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Vishay Siliconix的新款第三代12V TrenchFET功率MOSFET提供了业内最佳的导通电阻性能

SiR494DP在10V和4.5V栅极驱动下的最大导通电阻分别为1.2mΩ和1.7mΩ,皆为业界最佳;器件的导通电阻与栅电荷乘积
2009-07-29
作者:Vishay Intertech

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日前,Vishay Intertechnology, Inc.NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的新款N溝道MOSFET器件 --- SiR494DP,將該系列的第三代TrenchFET功率MOSFET的電壓降至12V,同時該器件的導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積也是這種額定電壓的器件當(dāng)中最低的。?

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額定電壓12VSiR494DP10V4.5V柵極驅(qū)動下的最大導(dǎo)通電阻分別為1.2mΩ和1.7mΩ。導(dǎo)通電阻與柵電荷的乘積是評價用于DC-DC轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中MOSFET的關(guān)鍵品質(zhì)因數(shù)(FOM),該器件在4.5V電壓下的柵電荷只有85nC。?

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與對低傳導(dǎo)損耗和低開關(guān)損耗進行過優(yōu)化的最接近的競爭器件相比,這些指標(biāo)表明該器件在10V4.5V下的導(dǎo)通電阻分別減小了40%35%,FOM降低了29%。更低的導(dǎo)通電阻和柵電荷意味著更低的傳導(dǎo)和開關(guān)損耗。?

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Vishay Siliconix SiR494DP可用于采用低輸入電壓(5V3.3V)同步降壓轉(zhuǎn)換器、低輸出電壓(5V,3.3V和更低)OR-ing應(yīng)用,以及各種采用5V3.3V輸入電壓負載點(POL)轉(zhuǎn)換器的系統(tǒng)中的低壓側(cè)MOSFET,在這些應(yīng)用中,新器件的低導(dǎo)通損耗和低開關(guān)損耗將能夠更有效率地使用能源。?

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對于低輸出電壓的應(yīng)用,12V的柵源額定電壓恰好夠用,但迄今為止,設(shè)計工程師被迫選用20V的器件,尤其是設(shè)計者同時需要最低的導(dǎo)通電阻和20V的柵源電壓時。SiR494DP是具有這些特性的首款MOSFETVDS=12V,VGS=±20V,在10V柵極驅(qū)動下的導(dǎo)通電阻只有1.2mΩ。?

新型功率MOSFET采用PowerPAK SO-8封裝。這款無鉛、無鹵素的器件符合IEC 61249-2-21的要求,符合RoHS Directive 2002/96/EC規(guī)范,并100%通過了RgUIS測試。?

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第三代N溝道TrenchFET家族中其他器件的詳細信息可至http://www.vishay.com/mosfets/trenchfet-gen-iii/查詢。SiR494DP現(xiàn)可提供樣品,并已實現(xiàn)量產(chǎn),大宗訂貨的供貨周期為十周至十二周。?

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VISHAY SILICONIX簡介?

Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎(chǔ)設(shè)備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應(yīng)商。Vishay Siliconix硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT)?

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創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設(shè)計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應(yīng)用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK) 和更小空間(ChipFET,MICRO FOOT)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復(fù)用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應(yīng)用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎(chǔ)設(shè)備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。?

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Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1998Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。?

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VISHAY簡介?

Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導(dǎo)體(二極管、整流器、MOSFET、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設(shè)備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及一站式服務(wù)使 Vishay 成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān) Vishay 的詳細信息,敬請瀏覽網(wǎng)站 www.vishay.com。?

TrenchFETPowerPAK Siliconix Incorporated 的注冊商標(biāo)?

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