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業(yè)界動(dòng)態(tài)

三安集成亮相EDICON 2026

近日，第十一届电子设计创新大会（EDICON 2026）在北京召开。作为全球微波与射频领域的权威盛会，EDICON汇聚了产业链上下游的顶尖专家，共同探讨下一代通信技术的演进路径。三安光电旗下子公司三安集成受邀出席，并发表了题为《三安射频技术在下一代应用中的布局》的技术报告，深入分享了其在砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）及滤波器领域的最新工艺进展。

發(fā)表于：2026/4/23 下午1:18:41

中国科学院黑磷快充电池关键技术取得重要突破

4月23日讯，据中国科学院官网，随着新能源汽车与大规模储能系统对超快充、高容量电池的需求日益迫切，传统石墨负极材料的电池性能已逼近理论极限。黑磷（BP）作为负极材料具有极高的储锂容量，却因导电性差、反应动力学迟缓、充放电过程体积膨胀剧烈等固有缺陷，导致电池快充性能快速衰减。

發(fā)表于：2026/4/23 上午10:37:39

台积电再次推迟导入ASML最新光刻设备至2029年

4月23日消息，近日，台积电(TSM.US)表示，为节省成本，将推迟到2029年之后才会将荷兰阿斯麦公司(ASML.US)最先进的芯片光刻设备用于量产，这可能会对这家昂贵设备的制造商构成打击。

發(fā)表于：2026/4/23 上午10:35:40

世界首座金刚石半导体量产工厂预计2028年全面投运

4 月 23 日消息，据日本地方媒体福岛民友新闻社当地时间 21 日报道，该国企业大熊钻石器件公司表示，其建设的福岛县双叶郡大熊町工厂预计 2028 年投运。

發(fā)表于：2026/4/23 上午10:29:59

寒武纪回应互联网大厂自研芯片影响

4 月 22 日消息，据人民财讯消息，就互联网大厂自研芯片的影响，4 月 22 日寒武纪董事长、总经理陈天石在业绩说明会上进行回应。

發(fā)表于：2026/4/23 上午10:25:20

力积电正与美光合作开发1P制程DRAM内存

4 月 22 日消息，中国台湾地区半导体企业力晶积成电子制造股份公司（力积电、PSMC）昨日举行 2026 年第 1 季度线上法人说明会。该企业会上表示已与美光启动 1P 制程 DRAM 内存的联合研发，预计 2027Q1 导入设备、2028H1 试产、2028H2 量产。

發(fā)表于：2026/4/23 上午10:12:37

台积电揭示A13和A12尖端逻辑制程工艺

4 月 23 日消息，台积电 (TSMC) 美国当地时间 22 日举行了 2026 年北美技术论坛，其中在尖端逻辑制程方面该企业揭示了 A14 后的 A13、A12 尖端工艺，这两项技术均将于 2029 年量产。

發(fā)表于：2026/4/23 上午9:54:10

中国科学家让光学超材料生产“像印报纸一样简单”

4 月 23 日消息，光学超材料通过对人工微纳结构的精准设计，可突破传统材料的物理极限，实现对光的传播、散射、相位等特性的高效精准调控，成为支撑新一代信息技术与高端装备发展的材料基础。然而，当前光学超材料受结构尺度单一、性能调控受限、加工工艺复杂等瓶颈制约，难以广泛应用。北京时间 4 月 22 日晚，国际学术期刊《自然》发表了光学超材料突破性研究成果。中国科学院化学研究所与新加坡国立大学合作的科研团队，自主研发出的卷对卷增材纳米打印制造设备，实现了多尺度光学超材料的大规模可控制备与精准集成，让超材料生产“像印报纸一样简单”。

發(fā)表于：2026/4/23 上午9:51:46

马斯克称计划采用英特尔14A工艺制造Terafab芯片

当地时间4月22日（周三）美股盘后，特斯拉（TSLA.US）发布2026年第一季度财报，并于当天举行投资者电话会议。特斯拉CEO马斯克表示，公司计划在其Terafab项目中使用英特尔（INTC.US）的先进14A制造工艺来制造芯片。这一消息推动英特尔股价美股盘后涨超3%。

發(fā)表于：2026/4/23 上午9:50:47

三星与SK海力士HBM4E交付竞争加剧

据韩国《Edaily》近日报道，三星电子与SK海力士正加速第七代高带宽内存HBM4E研发，以抢占AI芯片市场先机。三星已计划于5月完成HBM4E首批样品生产，该产品将用于英伟达（NVDA.US）下一代AI加速器，并目标于2027年实现大规模量产。此前，三星已在英伟达GTC 2026展会首次公开展示HBM4E实物芯片。

發(fā)表于：2026/4/23 上午9:44:35

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