汽車電子最新文章 效率飞跃：博世发布第三代碳化硅芯片 北京——碳化硅（SiC）半导体是提升电动汽车效率和增加续航里程的关键。博世正快速推进该领域的研发：公司已正式推出第三代碳化硅芯片 發(fā)表于：2026/4/23 中国科学院黑磷快充电池关键技术取得重要突破 4月23日讯，据中国科学院官网，随着新能源汽车与大规模储能系统对超快充、高容量电池的需求日益迫切，传统石墨负极材料的电池性能已逼近理论极限。黑磷（BP）作为负极材料具有极高的储锂容量，却因导电性差、反应动力学迟缓、充放电过程体积膨胀剧烈等固有缺陷，导致电池快充性能快速衰减。 發(fā)表于：2026/4/23 宁德时代官宣年内钠离子电池大规模量产 今日在2026年“超级科技日”发布会上，宁德时代首席科学家、中国工程院院士吴凯表示，电池材料坚持多化学体系发展是必选项，每一种材料都有自身局限性，没有任何一种材料可以达到完美。根据不同场景的不同需求，在多元体系上建立能力，用户才能有更适合自己的答案。宁德时代目前主要有磷酸铁锂、三元锂和钠离子三种材料，并同步推进更多前沿化学体系。 發(fā)表于：2026/4/22 国内首款，纳芯微推出通过TÜV莱茵认证的ASIL D等级隔离栅极驱动NSI6911F系列 纳芯微今日宣布推出国内首款基于全国产供应链、通过TÜV莱茵认证并达到ISO 26262 ASIL D等级的隔离栅极驱动——NSI6911F系列。该系列产品专为新能源汽车主驱逆变器、车载充电机及DC-DC转换器等高压应用设计，具备高达19A的峰值驱动能力、±150kV/μs的共模瞬态抗扰度（CMTI），并集成12位高精度隔离采样ADC与先进诊断架构，为新能源汽车电驱系统提供更高安全性与系统集成度的解决方案。 發(fā)表于：2026/4/21 特斯拉AI6和AI6.5芯片将分别应用三星和台积电在美2nm产能 马斯克表示，一颗 AI5 芯片的有效算力是双芯 AI4 解决方案的 5 倍。后续的 AI6 芯片由三星电子晶圆代工业务在美国得州泰勒市晶圆厂以 2nm 工艺制造，配备 LPDDR6 内存，以类似的面积 (400+mm²) 实现性能翻倍。AI6.5 芯片则将由台积电在美子公司 TSMC Arizona 以 2nm 制造，进一步提升性能。 發(fā)表于：2026/4/17 东风汽车全国首个自研国产化芯片+舱驾一体方案即将量产 4 月 17 日消息，东风汽车昨晚宣布，全国首个自研国产化芯片 + 舱驾一体方案即将量产。据介绍，市面上，很多智能汽车有两套计算单元，一套负责智能座舱（中控屏、语音、导航），另一套负责智能驾驶（刹车、转向、避障），这种各自独立的结构使其存在一定的交互延迟。 發(fā)表于：2026/4/17 小鹏汽车回应自动驾驶路线之争 L2直接到L4是最安全的路径 4 月 16 日，小鹏集团董事长 CEO 何小鹏在接受澎湃新闻等媒体采访时，回应近期的自动驾驶路线之争。 發(fā)表于：2026/4/17 中国科学院储能电池实现6000次超长循环无衰减 4月16日，中国科学院金属研究所团队在碱性全铁液流电池技术领域取得重要进展，成功实现电池在6000次循环后容量不衰减。该研究针对传统铁基液流电池稳定性差、寿命短等痛点，设计出一种新型双配体螯合负极液，通过特殊的双重保护结构，有效防止了活性物质的分解与渗透，从根本上解决了电池易失效的问题。 实测数据显示，该电池在80毫安每平方厘米的电流密度下，平均库仑效率达到99.4%，连续运行超过6000次循环后容量无衰减。在150毫安每平方厘米的高电流密度下，能量效率仍保持在78.5%。此外，在高浓度工况下，电池可稳定循环2000次且无沉淀或副产物生成。此项成果不仅提升了电池的性能与性价比，还建立了铁基电解液设计的新标准，为大规模储能提供了更稳定、更经济的技术方案。 發(fā)表于：2026/4/17 国内首颗车规级先进制程多域融合芯片问世 4月17日，中国一汽宣布成功研制国内首颗车规级先进制程多域融合芯片——“红旗1号”。该芯片由一汽研发总院联合产业链伙伴自主研制，旨在填补国内中央计算架构芯片空白，解决高端芯片依赖进口的难题。 作为中央计算级处理器，红旗1号实现了舱、驾、控一体化，将智能座舱、驾驶辅助、智慧车控、通信与安全五大功能域集成于单颗芯片中，替代了传统的多芯片方案。性能方面，其CPU逻辑算力提升21.7%，图像处理能力提升15.4%，支持12屏同显、行泊一体及高性能AI处理。安全上，芯片内置独立硬件安全岛，支持ASIL-D最高等级功能安全及国密二级信息安全。 红旗1号将通过减少ECU数量和线束来降低整车成本，提升供应链自主可控能力。该芯片未来将搭载于红旗后续车型，并带动国内车规级芯片产业链的协同升级。 發(fā)表于：2026/4/17 特斯拉宣布AI5芯片成功流片 4月15日消息，据媒体报道，特斯拉首席执行官埃隆·马斯克宣布，特斯拉AI芯片设计团队已成功完成AI5芯片的流片工作。与此同时，性能更强大的AI6、Dojo 3以及其他多款芯片也正在加紧研发中。 發(fā)表于：2026/4/16 L3级是否必须 国内厂商自动驾驶路线分歧家中 4月15日晚，在小鹏GX技术发布会上，小鹏集团董事长何小鹏再度回应了自动驾驶是否应跳过L3阶段的争议。他主张技术路线应从L2直接跨越到L4，认为中间增加L3级别对硬件、软件及法律法规均是挑战。他强调，最安全的方式是在L2到L4的过程中积累足够数据，L4的核心在于实现全无人驾驶并确保安全。 与此同时，华为高级副总裁靳玉志表示，L3是走向完全自动驾驶的必经阶段，无法跳过。 發(fā)表于：2026/4/16 英飞凌汽车业务本土化战略一周年 【2026年4月15日，中国上海讯】4月12日，由车百会研究院主办的2026智能电动汽车发展高层论坛在北京举行。英飞凌科技高级副总裁、汽车业务大中华区负责人曹彦飞应邀出席国际论坛发表演讲 發(fā)表于：2026/4/15 纳芯微出席车百会2026年度论坛 2026年4月11日至12日，首届“智能电动汽车发展高层论坛”在北京国家会议中心举办。作为中国新能源汽车领域的重要产业交流平台，本届论坛围绕智能化、绿色化与全球化发展趋势，汇聚整车厂、核心零部件厂商及产业链伙伴，共同探讨未来技术方向。 發(fā)表于：2026/4/15 霍尔式轮速传感器电路的设计 针对磁电式轮速传感器抗干扰能力差、输出信号不稳定的问题，在研究霍尔式轮速传感器工作原理的基础上，采用0.18 μm BCD工艺设计了一款霍尔式轮速传感器电路。该电路包含放大器、带通滤波器、迟滞电压比较器等模块。为抑制霍尔元件固有的失调电压，提出了一种基于四个霍尔元件的电压偏置正交方法。利用Cadence Virtuoso进行仿真验证，结果表明所设计的传感器电路具有较强的抗干扰能力，在4.5 V至30 V的宽电源电压范围和-40 ℃~125 ℃的温度范围内，均可输出幅值稳定的方波信号，能够实现车速的准确测量。 發(fā)表于：2026/4/14 一图读懂新能源汽车充电该怎么选 慢充、快充、超充、闪充、液冷超充……作为消费者，你是否也曾困惑，这些新能源汽车充电方式究竟有何不同？各种主流电池分别适合什么样的充电方式？频繁使用快充，真的会伤电池吗？怎样充电又划算、又不伤电池？ 發(fā)表于：2026/4/14 <12345678910…>
