據(jù)韓國《Edaily》近日報道，三星電子與SK海力士正加速第七代高帶寬內(nèi)存HBM4E研發(fā)，以搶占AI芯片市場先機(jī)。

三星已計劃于5月完成HBM4E首批樣品生產(chǎn)，該產(chǎn)品將用于英偉達(dá)（NVDA.US）下一代AI加速器，并目標(biāo)于2027年實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)。

此前，三星已在英偉達(dá)GTC 2026展會首次公開展示HBM4E實物芯片。

SK海力士亦計劃于今年下半年向客戶交付HBM4E樣品。

為提升性能，其正優(yōu)先采用臺積電（TSM.US）3納米工藝制造邏輯裸片，較此前HBM4所用的12納米工藝實現(xiàn)顯著升級。

隨著英偉達(dá)、AMD等主流廠商陸續(xù)將HBM4E納入下一代AI加速器設(shè)計，韓系兩大存儲企業(yè)在高帶寬內(nèi)存的速度與性能競爭正進(jìn)一步白熱化。