晶體管制造技術(shù)" title="制造技術(shù)">制造技術(shù)正迎來(lái)巨大的變化，柵極結(jié)構(gòu)上新材料和新工藝的整合運(yùn)用使芯片速度更快，功耗更低，從而使摩爾定律得以延續(xù)。近日，應(yīng)用材料公司" title="應(yīng)用材料公司">應(yīng)用材料公司推出了一系列已被全面驗(yàn)證的生產(chǎn)工藝，幫助我們的客戶(hù)在大規(guī)模生產(chǎn)中制造高K介電常數(shù)/金屬柵極（HK/MG）結(jié)構(gòu)。?

應(yīng)用材料公司資深副總裁、硅系統(tǒng)業(yè)務(wù)部總經(jīng)理Tom St. Dennis表示：“多年以來(lái)，整合新的柵極材料是我們客戶(hù)在技術(shù)延展上碰到的最艱難的障礙。我們提供已被整合驗(yàn)證的HK/MG技術(shù)，使客戶(hù)能夠提高晶體管的速度，幫助他們把風(fēng)險(xiǎn)降到最小。應(yīng)用材料公司歷來(lái)都能非常成功的幫助客戶(hù)將新材料整合到工藝流程中，最近的一次是在銅互聯(lián)工藝中使用低K介電常數(shù)" title="介電常數(shù)">介電常數(shù)技術(shù)。由于我們擁有相關(guān)的上下游技術(shù)，所以我們有能力優(yōu)化工藝順序并幫助客戶(hù)成功整合HK/MG技術(shù)用于生產(chǎn)最先進(jìn)的晶體管?！?/SPAN>?

制造HK/MG結(jié)構(gòu)的方法有很多種，應(yīng)用材料公司有一系列可靠的系統(tǒng)支持客戶(hù)所使用的不同的制造方法。這些已被完全驗(yàn)證的工藝經(jīng)過(guò)了整合測(cè)試，可以減少客戶(hù)的調(diào)試時(shí)間，達(dá)成全面優(yōu)化的HK/MG結(jié)構(gòu)。應(yīng)用材料公司提供的不僅僅是高K介電常數(shù)薄膜，而是基于單個(gè)Centura^?平臺(tái)的整合的電介質(zhì)疊合層解決方案，它包括四個(gè)關(guān)鍵的工藝——高K介質(zhì)沉積、氧化、氮化和退火。在具有挑戰(zhàn)性的金屬柵極疊合層方面，應(yīng)用材料公司運(yùn)用多年來(lái)在金屬沉積上的領(lǐng)先技術(shù)，提供一系列基于Endura^?平臺(tái)上的整合方案，使用ALD（原子層沉積）和PVD（物理氣相沉積）技術(shù)幫助客戶(hù)實(shí)現(xiàn)各種不同的設(shè)計(jì)。應(yīng)用材料公司創(chuàng)新的高溫刻蝕技術(shù)能提供HK/MG疊合層生產(chǎn)刻蝕中至關(guān)重要的側(cè)面垂直度。應(yīng)用材料公司的缺陷檢測(cè)、評(píng)價(jià)和分析系統(tǒng)具有25納米的缺陷靈敏度和自動(dòng)FIB（聚焦離子束），可以加快對(duì)HK/MG結(jié)構(gòu)的關(guān)鍵缺陷和工藝的研究進(jìn)程。?

應(yīng)用材料公司在全球最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝" title="半導(dǎo)體工藝">半導(dǎo)體工藝實(shí)驗(yàn)室之一——Maydan技術(shù)中心對(duì)其HK/MG技術(shù)進(jìn)行了特定調(diào)試。應(yīng)用材料公司的工程師利用公司的系統(tǒng)和技術(shù)成功的在最小達(dá)22納米技術(shù)節(jié)點(diǎn)上對(duì)邏輯和存儲(chǔ)（電荷擷取快閃記憶體）器件的HK/MG結(jié)構(gòu)進(jìn)行了演示和測(cè)試。這些結(jié)構(gòu)能夠幫助客戶(hù)在下一代工藝流程中處于領(lǐng)先地位。欲了解HK/MG解決方案的詳細(xì)情況，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.appliedmaterials.com/Highk_MetalGate.?

?

應(yīng)用材料公司是納米制造技術(shù)方案的全球領(lǐng)導(dǎo)廠商。公司廣泛的產(chǎn)品包括創(chuàng)新的設(shè)備、服務(wù)和軟件，它們被應(yīng)用于半導(dǎo)體芯片、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、軟性電子產(chǎn)品和節(jié)能玻璃面板的制造。應(yīng)用材料公司用納米制造技術(shù)來(lái)改善人們的生活。想要了解更多應(yīng)用材料公司的信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)公司網(wǎng)站www.appliedmaterials.com.?