集邦咨詢半導體研究中心（DRAMeXchange）最新研究顯示，由于DRAM供貨吃緊至今未有改善的跡象，因此延續(xù)2016下半年的價格漲勢，2017年第一季DRAM平均銷售單價呈大幅上漲格局，DDR3 4GB模組的合約價最高已超過25美元，季漲幅超過三成，為DRAM史上首個在傳統(tǒng)淡季下仍能維持強勢漲價的季度。

DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示，根據(jù)現(xiàn)已成交的合約看來，2017年第一季標準型內(nèi)存價格持續(xù)攀高，平均漲幅接近三成，服務器內(nèi)存的漲幅略同，R－DIMM 32GB模組已超過200美元大關，漲幅同樣超過兩成。

行動式內(nèi)存也因智能手機在中國新年鋪貨的需求帶動下，不論是單顆顆粒（discrete product）或eMCP解決方案，價格都同樣攀高，季漲幅估將超過一成。

行動式與服務器內(nèi)存需求持續(xù)強勁，供貨吃緊將可能持續(xù)整年

2016年起，由于中國品牌崛起帶動智能手機需求旺盛，DRAM原廠陸續(xù)調(diào)降標準型內(nèi)存產(chǎn)出，轉(zhuǎn)作行動式內(nèi)存。在供貨減少下，DDR3 4GB均價一路攀升至今，連帶讓服務器內(nèi)存價格也呈現(xiàn)大漲，甚至行動式內(nèi)存在2017年第一季也有近15％的季漲幅，此外，圖形處理用內(nèi)存與利基型內(nèi)存也都雨露均沾，季漲幅至少超過一成。

展望2017年，各DRAM原廠資本支出較為保守，皆不傾向過分擴張產(chǎn)能，并以獲利導向為主要經(jīng)營策略。

DRAMeXchange預估，2017年DRAM產(chǎn)業(yè)的供給端位元年成長率僅19％，遠低于往年至少二成甚至超過三成的年成長率，在2017年DRAM需求端年成長超過22％情況下，供不應求的嚴峻程度可見一斑。

從市場面觀察，由于2017年旗艦手機內(nèi)存搭載量將上看8GB，加上中端手機多邁向搭載4GB規(guī)格，因此行動式內(nèi)存依然是DRAM產(chǎn)業(yè)需求成長最為強勁的類別，整體而言，2017年智能手機內(nèi)存容量年成長將超過30％，超越一般筆電使用的內(nèi)存規(guī)格。

此外，因各式云服務興起，服務器用內(nèi)存需求也顯著成長。DRAMeXchange預估，2017年服務器的平均內(nèi)存容量將達130GB以上，其中，中國市場的強勁需求力道高于世界水平，亦驅(qū)使DRAM廠在2017年的產(chǎn)能分配下，皆計劃將產(chǎn)能轉(zhuǎn)往行動式內(nèi)存與服務器內(nèi)存，持續(xù)使部分的DRAM產(chǎn)品供貨吃緊甚至發(fā)生缺貨情形。

現(xiàn)階段DRAM廠多采取制程轉(zhuǎn)進的方式滿足客戶需求，而不傾向增加產(chǎn)能，因此，2017年供貨短缺的情況極有可能持續(xù)一整年度，有助于DRAM產(chǎn)業(yè)維持豐厚獲利。