半導體制程誰領先？其實單就芯片制造技術的角度來看，英特爾的確仍是市場龍頭，不論是高介電金屬閘極（HKMG）或是3D電晶體架構(gòu)，仍是領先全球最先采用的廠商，之后臺積電及三星才跟進。雖然臺積電今年已量產(chǎn)10納米制程，但至今仍不敢講出技術上已超越英特爾這句話。

若由摩爾定律的定義，也就是集成電路中的電晶體數(shù)量，每隔18～24個月就會增加一倍的情況來看，英特爾的制程節(jié)點的確是按摩爾定律發(fā)展。就最先進的10納米鰭式場效電晶體（FinFET）技術而言，每平方公厘內(nèi)含電晶體數(shù)超過1億個，電晶體閘極間距（gate pitch）達54納米，最小金屬間距（min metal pitch）僅36納米，都已創(chuàng)下半導體業(yè)界新紀錄。

以臺積電或三星的10納米FinFET制程來看，不僅芯片集成度不如英特爾，閘極間距約70納米左右，最小金屬間距約在40納米左右，也與英特爾10納米技術有所差距。也因此，英特爾才會在昨日的技術及制程大會中，強調(diào)自己仍是全球技術最先進的半導體廠。

不過，英特爾的主力產(chǎn)品是處理器，處理器本來就是要追求最高的芯片集成度，才能不斷的提升運算時脈速度。但對晶圓代工廠臺積電等廠商來說，許多客戶的芯片并不是要追求最高的集成度。如手機芯片來說，運算時脈很快其實不代表什么，更低的運算功耗、更多的功能整合，反而才是重點。

對臺積電來說，該公司的10納米制程本來就跟英特爾的10納米制程不一樣，微縮的速度、制程節(jié)點的界定等，各有各的優(yōu)缺點。簡單來說，英特爾在最小閘極間距及最小金屬閘距上，以及芯片集成度上，的確勝過臺積電，但在功耗的表現(xiàn)上，臺積電的每一世代制程微縮，都可讓功耗明顯降低，英特爾的制程表現(xiàn)似乎就沒那么明確。

總體來看，英特爾及臺積電在半導體技術上是各擅勝場，且兩家業(yè)者是處于既競爭又合作的關系之中，但在先進制程上、兩家業(yè)者卻有個共通點，那就是“摩爾定律仍然有效”。