2017年的5月對于中國來說，注定不是一個平凡的5月?！耙粠б宦贰眹H合作高峰論壇在北京召開，中國再次成為全球矚目的焦點。
2017年的5月對于中國半導體產(chǎn)業(yè)來說，注定不是一個平凡的5月。
2017年5月23日，科技部會同北京市和上海市人民政府組織召開了國家科技重大專項“極大規(guī)模集成電路制造裝備及成套工藝”（簡稱集成電路專項）成果發(fā)布會。發(fā)布會介紹了集成電路專項實施取得的攻關(guān)成果及應(yīng)用情況。
此次發(fā)布的專項成果包括9年來已研發(fā)成功并進入海內(nèi)外市場的30多種高端裝備和上百種關(guān)鍵材料產(chǎn)品，面向全球開展服務(wù)的65至28納米產(chǎn)品工藝和高密度封裝集成技術(shù)成果。
過去九年中，在集成電路制造創(chuàng)新體系的引領(lǐng)帶動下，專項成績斐然，碩果累累：
北方華創(chuàng)通過近九年的科技攻關(guān)，完成了刻蝕機、磁控濺射、氧化爐、低壓化學氣相沉積、清洗機、原子層沉積等集成電路設(shè)備90/55/40/28納米工藝驗證，實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)化。公司的刻蝕機等三大類集成電路設(shè)備進入14納米工藝驗證階段，首次實現(xiàn)與國外設(shè)備同步驗證。在02專項支持下，12英寸集成電路設(shè)備實現(xiàn)從無到有，批量銷售，成為公司的主要收入來源之一。
中微半導體通過先后承擔并圓滿完成65-45納米、32-22納米、22-14納米等三項等離子介質(zhì)刻蝕設(shè)備產(chǎn)品研制和產(chǎn)業(yè)化的02專項任務(wù)，使我國在該項設(shè)備領(lǐng)域中的技術(shù)基本保持了與國際先進水平同步。中微半導體已經(jīng)有460多個介質(zhì)刻蝕反應(yīng)臺在海內(nèi)外27條生產(chǎn)線上高質(zhì)穩(wěn)定的生產(chǎn)了4000多萬片晶圓。中微半導體在臺積電的研發(fā)線上正在進行5納米的刻蝕開發(fā)和核準。中微半導體刻蝕設(shè)備材料國產(chǎn)化率達到35%，已開發(fā)了20多個國內(nèi)的反應(yīng)器和系統(tǒng)主機加工等供應(yīng)廠商，加工能力和質(zhì)量達到了國際先進水平，并成功迫使美國從瓦森納協(xié)定的軍民兩用出口限制清單中將刻蝕設(shè)備移除。
中芯國際產(chǎn)能和技術(shù)研發(fā)取得突破性進展，成套工藝水平由2008年的110納米提升到28納米，完成65-45-28納米成套工藝研發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)；65/55納米產(chǎn)品累計銷售超過180億元，40/45納米產(chǎn)品累計銷售超過100億元；2015年32/28納米工藝開始量產(chǎn)高通驍龍系列產(chǎn)品，2016年28納米高K金屬柵工藝(HKMG)成功流片，并經(jīng)聯(lián)芯4G移動終端CPU產(chǎn)品認證；14納米研發(fā)獲得突破；2017年聯(lián)合中科院微電子所等單位開始了“7-5納米集成電路先導工藝與系統(tǒng)集成新技術(shù)”的研發(fā)。
長電科技承擔重大專項五項，借助專項的實施，掌握了國際先進封裝技術(shù)，包括WLCSP、WAafer Bumping、FC、銅線工藝等十大封裝技術(shù)，成為全球最大的集成電路WLCSP封裝基地，同時也是全球第四大晶圓凸塊封裝基地；
晶方半導體專注于傳感器領(lǐng)域先進封測服務(wù)，為全球最大的晶圓級芯片尺寸封測服務(wù)商，是全球首家具備12英寸晶圓級芯片尺寸封裝量產(chǎn)能力的專業(yè)封測廠商 ，在傳感器領(lǐng)域擁有全球封裝量產(chǎn)最完整的專利布局。
江豐電子、安集微電子等公司的濺射靶材和拋光液等上百種關(guān)鍵材料通過大生產(chǎn)線考核進入批量銷售；
自主知識產(chǎn)權(quán)體系逐漸建立，集成電路專項已申請了2.3萬余項國內(nèi)發(fā)明專利和2000多項國際發(fā)明專利，所形成的知識產(chǎn)權(quán)體系使國內(nèi)企業(yè)在國際競爭中的實力和地位發(fā)生了巨大變化，掌握了發(fā)展的主動權(quán)，發(fā)展模式也從“引進消化吸收再創(chuàng)新”轉(zhuǎn)變?yōu)椤白灾餮邪l(fā)為主加國際合作”的新模式。
在專項支持下，一批龍頭企業(yè)進入世界前列；一批骨干企業(yè)進入國際市場；一批企業(yè)成功上市，備受青睞。與此同時，國內(nèi)企業(yè)應(yīng)用專項成果研制出成套的LED和光伏制造裝備，使得我國LED和光伏等泛半導體產(chǎn)業(yè)綜合競爭力大幅躍升，產(chǎn)業(yè)規(guī)模和技術(shù)水平實現(xiàn)了國際領(lǐng)先。