李志堅（1928年5月1日-2011年5月2日），微電子學(xué)專家，中國科學(xué)院院士。出生于浙江寧波，1947年至1951年在浙江大學(xué)物理系學(xué)習(xí)，獲學(xué)士學(xué)位，1953年至1958年在前蘇聯(lián)列寧格勒大學(xué)物理系留學(xué)，獲副博士學(xué)位。1958年回國任教于清華大學(xué)，為清華大學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)的創(chuàng)立和發(fā)展傾注了畢生心血，是我國硅基半導(dǎo)體科學(xué)研究的奠基人和開創(chuàng)者。早在1950年代未，他就提出了以硅技術(shù)為半導(dǎo)體專業(yè)的主要研究方向；1970年代末，他又提出以CMOS集成微電子學(xué)為主要學(xué)術(shù)方向。這兩次學(xué)術(shù)方向的確立對我國的半導(dǎo)體事業(yè)和清華大學(xué)微電子學(xué)科的成功起步及持續(xù)發(fā)展有著極為重要的戰(zhàn)略意義。李志堅院士曾獲得一項國家發(fā)明獎、兩項國家科技進(jìn)步獎和多項部級科技進(jìn)步獎，曾獲得陳嘉庚信息科學(xué)獎、何梁何利科技進(jìn)步獎；1979年被評為北京市勞動模范和全國勞動模范，1984年被評為國家級有突出貢獻(xiàn)的專家，1991年當(dāng)選中國科學(xué)院院士。在50余年的教學(xué)科研中，培養(yǎng)了一大批活躍在國內(nèi)外微電子學(xué)領(lǐng)域的優(yōu)秀人才。

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烽火少年，立志報國

1928年5月1日李志堅出生于浙江省鎮(zhèn)?？h柴橋鎮(zhèn)（現(xiàn)浙江省寧波市北侖區(qū)柴橋街道），1934年就讀于柴橋小學(xué)，1940年升入鎮(zhèn)海中學(xué)（建校于1911年）。

鎮(zhèn)海中學(xué)

根據(jù)鎮(zhèn)海中學(xué)的校記表明：1937年，抗日戰(zhàn)爭爆發(fā)，敵機轟炸鎮(zhèn)海，學(xué)校遷至西門外渡駕橋回向寺。時，一年級為普通初中，二、三年級為商科，學(xué)生百余人。1939年8月，因戰(zhàn)火威脅，又遷校于柴橋瑞巖寺，改收普通初中新生，計三個學(xué)期。1940年，因當(dāng)時縣府指示，學(xué)校遷至莊市湯家廟。1941年4月19日，日寇入侵鎮(zhèn)?？h城。清晨，師生得訊，倉猝星散，學(xué)校器具典籍盡損。

在戰(zhàn)火的威脅下，師生們總是要提心吊膽地提防著日軍的偷襲和轟炸，時常要進(jìn)行逃生準(zhǔn)備和演練。

李志堅在小學(xué)和中學(xué)時，因抗日戰(zhàn)爭幾度隨著學(xué)校在農(nóng)村和山區(qū)輾轉(zhuǎn)。盡管當(dāng)時生活環(huán)境極為惡劣，教學(xué)設(shè)施非常匱乏，但是大家卻不以為苦。李志堅原本應(yīng)無憂無慮的孩童時光卻因抗日戰(zhàn)爭的爆發(fā)被改寫。

李志堅目睹了日本侵略者的暴行，感受到國破山河在的苦難。戰(zhàn)亂時代的經(jīng)歷使他樹立了堅定不移的愛國報國思想，也培養(yǎng)了他百折不撓的意志?！拔槐拔锤彝鼞n國”的家國情懷，影響了他的一生。

本碩博緣結(jié)半導(dǎo)體    

抗日戰(zhàn)爭結(jié)束后，回到鎮(zhèn)海中學(xué)再度學(xué)習(xí)一年的李志堅于1947年考取浙江大學(xué)（1897年創(chuàng)建求是書院，1928年定名為浙江大學(xué)）物理系，在何增祿（1898年8月13日-1979年5月12日，1947—1952年任系主任）、束星北（1907年10月01日-1983年10月30日，1946年-1952年任教）、盧鶴紱（1914年6月7日-1997年2月13日，核物理學(xué)家）、王淦昌（1907年5月28日-1998年12月10日，中國科學(xué)院院士、核物理學(xué)家、中國核科學(xué)的奠基人和開拓者之一、“兩彈一星功勛獎?wù)隆鲍@得者）等當(dāng)時中國物理學(xué)界最優(yōu)秀的教授的引領(lǐng)下，走進(jìn)了物理學(xué)的殿堂。1951年大學(xué)畢業(yè)后被分配到同濟大學(xué)物理系任助教。1953年接到學(xué)校通知，要他前去北京俄專學(xué)習(xí)一年后留學(xué)蘇聯(lián)。就這樣，李志堅踏上了去前蘇聯(lián)求學(xué)的旅程。1953年9月，李志堅成為列寧格勒大學(xué)物理系學(xué)生。

1947年美國貝爾實驗室發(fā)明了半導(dǎo)體點接觸式晶體管，從而開創(chuàng)了人類的硅文明時代。李志堅到達(dá)列寧格勒大學(xué)時，前蘇聯(lián)的半導(dǎo)體研究也剛剛起步，師從當(dāng)時的物理學(xué)家亞歷山大·阿列克謝耶夫·列別捷夫（英文名Alexander Aleksyev Lebedev；俄文名Александр Алексиев Лебедев；1893年11月27日-1969年3月15日，1953年10月當(dāng)選蘇聯(lián)科學(xué)院院士）。列別捷夫在前蘇聯(lián)國防單位工作，同時在列寧格勒大學(xué)物理系兼教研室主任，他在做半導(dǎo)體研究時側(cè)重紅外夜視的半導(dǎo)體。目前在俄羅斯科學(xué)院還有以列別捷夫命名的物理研究所。

留學(xué)期間，李志堅克服了語言難關(guān)，僅用半年時間就完成了導(dǎo)師規(guī)定的兩年學(xué)習(xí)任務(wù)（包括固體物理、量子力學(xué)等四、五門課程）。

李志堅在通過了相關(guān)課程的考試后，他的研究集中在紅外光電器件性能的改善和相關(guān)理論探索。得益于浙大物理系學(xué)習(xí)時練就的良好實驗技能，在實驗中自制了多項實驗工具，根據(jù)大量試驗結(jié)果，開創(chuàng)性地成功提出薄膜光導(dǎo)體的晶粒電子勢壘理論，完成關(guān)于CdS、CdSe薄膜的電子激發(fā)電導(dǎo)的畢業(yè)論文，以優(yōu)異的成績獲得了列寧格勒大學(xué)物理—數(shù)學(xué)科學(xué)副博士學(xué)位。

白手起家，開創(chuàng)硅基半導(dǎo)體研究

1958年2月，從列寧格勒大學(xué)留學(xué)回國的李志堅來到了清華大學(xué)，參與到無線電電子學(xué)系半導(dǎo)體教研組的創(chuàng)建中。

當(dāng)時，中國半導(dǎo)體研究也剛剛起步。1950年，政務(wù)院批準(zhǔn)在重工業(yè)部組建電信工業(yè)局，中國電子工業(yè)開始進(jìn)入發(fā)展新階段。1956年，國家制定了《一九五六年至一九六七年科學(xué)發(fā)展遠(yuǎn)景規(guī)劃綱要》，根據(jù)國外發(fā)展電子元器件的進(jìn)程，提出了中國也要研究半導(dǎo)體科學(xué)。，把半導(dǎo)體技術(shù)列為國家四大緊急措施（計算技術(shù)、半導(dǎo)體技術(shù)、無線電電子學(xué)、自動學(xué)和遠(yuǎn)距離操縱技術(shù)）之一。

為了落實國家提出的發(fā)展半導(dǎo)體器件，中國科學(xué)院應(yīng)用物理所首先舉辦了半導(dǎo)體器件短期培訓(xùn)班，請回國的半導(dǎo)體專家黃昆、吳錫九、黃敞、林蘭英、王守武、成眾志等講授半導(dǎo)體理論、晶體管制造技術(shù)和半導(dǎo)體線路。1956年暑期，在五所大學(xué)――北京大學(xué)、復(fù)旦大學(xué)、吉林大學(xué)、廈門大學(xué)和南京大學(xué)聯(lián)合在北京大學(xué)開辦了半導(dǎo)體物理專業(yè)，共同培養(yǎng)第一批半導(dǎo)體人才。1957年畢業(yè)的第一批學(xué)生中有中國科學(xué)院院士王陽元、工程院院士許居衍和原電子工業(yè)部總工程師俞忠鈺。

為落實高教部在清華大學(xué)創(chuàng)辦包括半導(dǎo)體在內(nèi)的十個新專業(yè)的方案，加上前往北京大學(xué)半導(dǎo)體專業(yè)學(xué)習(xí)的曹培棟、張建人、莊同曾、金保生（離開到部隊研究所）、應(yīng)聯(lián)華（離開去無錫）、黃培中（離開到上海交通大學(xué)）、俞魯棣和崔君（離開到天津大學(xué)）等八員大將畢業(yè)回校，無線電電子學(xué)系半導(dǎo)體教研組于1957年9月正式成立。1958年2月，加入半導(dǎo)體教研組的李志堅主講“半導(dǎo)體物理”。

在創(chuàng)建過程中，人員匱乏，條件簡陋，李志堅邊授課、邊學(xué)習(xí)、邊建設(shè)、邊實驗，1959年在國內(nèi)首次用四氯化硅氫還原法獲得了純度高達(dá)“九個九”的高純多晶硅，拉出了國內(nèi)第一根鎢絲區(qū)熔單晶硅，研制出了PbS光敏電阻、SiC非線性電阻等，隨后在開發(fā)硅平面工藝的基礎(chǔ)上，研制出硅高反壓晶體管。

作為我國半導(dǎo)體學(xué)科的創(chuàng)立者之一，李志堅憑著自己敏銳的洞察力，提出了對半導(dǎo)體科學(xué)研究方向的預(yù)測。

1950年代未，鍺是當(dāng)時生產(chǎn)半導(dǎo)體的主要材料，在此背景下，李志堅獨辟蹊徑，帶領(lǐng)半導(dǎo)體教研組選擇專攻硅基半導(dǎo)體，準(zhǔn)確把握住集成電路發(fā)展的正確方向。1970年代末，他又提出以CMOS集成微電子學(xué)為主要學(xué)術(shù)方向。

這兩次學(xué)術(shù)方向的確立對我國的半導(dǎo)體事業(yè)和清華大學(xué)微電子學(xué)科的成功起步及持續(xù)發(fā)展有著極為重要的戰(zhàn)略意義。

攻艱克難，捍衛(wèi)國家信息安全

1969年，教研組一分為二，一部分留在北京專攻MOS電路，一部分去了綿陽分校專攻雙極電路。1978年綿陽的人員全部回到北京，1980年以原半導(dǎo)體教研組的人馬為班底組建了清華大學(xué)微電子所，并全力投入到大規(guī)模、超大規(guī)模集成技術(shù)及器件物理的研究中。

微電子所成立后，由于國外對中國半導(dǎo)體技術(shù)和設(shè)備實行禁運和控制，李志堅帶領(lǐng)大家在資金短缺的情況下，自主建立了國內(nèi)第一個可滿足集成電路生產(chǎn)要求的超凈車間和1.0-1.5微米CMOS前道工藝生產(chǎn)線，并研究開發(fā)了成套生產(chǎn)工藝（包括電路設(shè)計、工藝流水試制、測試分析），并成功購得荷蘭ASML生產(chǎn)的PAS2500光刻機臺（當(dāng)時荷蘭沒有對中國實行禁運）。

1990年11月研制成功具有我國獨立自主版權(quán)，在性能指標(biāo)上達(dá)到世界先進(jìn)水平的1兆位（1M）漢字只讀存儲器（ROM）芯片，突破國外對先進(jìn)科技的禁運，滿足國家的戰(zhàn)略需求。1兆位漢字只讀存儲器芯片就是用點陣技術(shù)描述一個漢字，再由兩個芯片形成一級漢字庫，這樣會加快運算速度，這個成果后來推廣到了無錫華晶。

在參與我國第二代身份證專用集成電路的研制和制造中，李志堅克服了重重困難，向政府建言獻(xiàn)策，堅持“自主版權(quán)，國內(nèi)生產(chǎn)”的基本原則，促進(jìn)了我國集成電路產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，捍衛(wèi)了國家的信息安全。

桃李天下，春暉四方

從1958年學(xué)成回國，在其五十多年的從教生涯中，李志堅培養(yǎng)了眾多優(yōu)秀人才。他們中既有成績斐然的專業(yè)學(xué)者，如中國科學(xué)院微電子所的吳德馨院士、中國科學(xué)院半導(dǎo)體所的鄭厚植院士；也有業(yè)界精英，如展訊通信的共同創(chuàng)辦人并獲得國家科技進(jìn)步一等獎的陳大同博士。學(xué)生中很多已經(jīng)成為我國微電子學(xué)術(shù)界、教育界、產(chǎn)業(yè)界的骨干。

李志堅還是我國微電子專業(yè)最早的博士生導(dǎo)師。他指導(dǎo)的博士生鄒泉波的論文獲“首屆全國優(yōu)秀博士論文”，博士生馬玉濤的論文獲2003年“全國優(yōu)秀博士論文”。

作為清華大學(xué)微電子所的創(chuàng)建人，李志堅不僅對自己所培養(yǎng)的研究生事必躬親，而且對微電子所的教學(xué)工作也給予了細(xì)心關(guān)注，對許多年輕的教員給予有益的指點。

李志堅一直深受師生愛戴，因他在教學(xué)工作中突出貢獻(xiàn)，獲得了2003年度清華大學(xué)“教書育人獎”。

后記

在“向科學(xué)進(jìn)軍”的號召下，正是在一批從海外回國的半導(dǎo)體學(xué)者帶領(lǐng)下，開始建立起中國自主的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)。李志堅的一生與半導(dǎo)體密不可分。從1951年大學(xué)畢業(yè)后，其60年的學(xué)術(shù)生涯，是清華大學(xué)半導(dǎo)體學(xué)科創(chuàng)建和成長的縮影，是中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)從無到有艱難前行的展現(xiàn)。