中芯國際天津生產線機臺逐步移入
中芯國際天津T2/T3集成電路生產線項目，總投資約15.0億美元(折合人民幣約100.00億元)，項目完成投產后年產值約10.0億美元(折合人民幣約67.00億元)。
2016年的10月18日，中芯國際正式啟動中芯天津產能擴充項目，該項目預計投資額為15億美金。全面生產后，產能加上老廠將達到每月15萬片。
自7月份首臺設備進駐，目前相關機臺已經開始陸續(xù)進入。
中芯國際天津公司成立于2003年，并于2004年1月收購了摩托羅拉(中國)電子有限公司天津西青芯片廠，主要生產8英寸成品晶圓，產品廣泛應用在指紋識別、電源管理、汽車電子、圖像傳感器等方面。經過十幾年的發(fā)展，中芯國際天津廠已經成為國內重要的8英寸集成電路生產基地。
晉華集成設備安裝有序推進
晉華一廠一期設備安裝從7月開始，進入8月設備安裝有序推進，據EPC總承包商表示，目前一切順利。
預估2018年9月正式投產，到2019年底一廠一期項目可實現月產6萬片12英寸晶圓的產能，到2020年底一廠二期也將達產6萬片。并適時啟動二廠的建設，到二廠達產時，總產能將達24萬片。
晉華集成(JHICC)是由福建省電子信息集團、及泉州、晉江兩級政府共同出資設立，被納入我國“十三五”集成電路重大生產力布局規(guī)劃。晉華集成電路與臺灣聯(lián)華電子開展技術合作，專注于隨機存取存儲器（DRAM）領域。
華虹半導體（無錫）有限公司生產廠房鋼屋架吊裝儀式舉行
8月12日，華虹半導體（無錫）有限公司生產廠房鋼架屋桁架吊裝儀式舉行。首根桁架吊裝完成標志著這個總投資100億美元、無錫歷史上單體投資規(guī)模最大的項也進入到了施工新階段。
華虹集成電路研發(fā)和制造基地占地約700畝，總投資100億美元，一期投資25億美元，新建一條12英寸“超越摩爾”特色工藝集成電路生產線，采用先進工藝90～65/55nm、月產能約4萬片，支持5G、汽車電子和物聯(lián)網等新興領域的應用。
2018年4月3日，華虹半導體（無錫）有限公司一期（華虹七廠）樁基工程啟動；2018年7月21日，F1廠房首件鋼柱完成吊裝。項目計劃于2019年上半年完成土建施工，下半年完成凈化廠房建設和動力機電設備安裝、通線并逐步實現達產。
華虹無錫基地將成為華虹集團繼上海金橋、上海張江、上?？禈蛑蟮牡谒膫€生產基地，也是華虹集團走出上海、全國布局的第一個集成電路研發(fā)制造基地。華虹無錫集成電路研發(fā)和制造基地項得到國家大基金的強力金援，大基金向華虹注資9.22億美元，其中4億美元投給華虹半導體，持股18.94%；5.22億美元投給華虹無錫，持股29%。強強聯(lián)合，形成資本、技術、產業(yè)的疊加優(yōu)勢，對于推動中國集成電路制造產業(yè)整體競爭力的提升，促進全產業(yè)鏈聯(lián)動協(xié)同發(fā)展，具有重要意義。
無錫市代市長黃欽在啟動儀式上表示，華虹集成電路研發(fā)和制造基地落戶無錫，是無錫史來最大的單體投資項目，將助力無錫打造集成電路產業(yè)新（芯）高地。
積塔半導體特色工藝生產線在上海臨港開工
8月16日，中國電子信息產業(yè)集團積塔半導體有限公司特色工藝生產線項目在上海臨港正式開工。
積塔半導體特色工藝生產線項目位于上海臨港裝備產業(yè)區(qū)，占地面積23萬平方米，項目總投資359億元，目標是建設月產能6萬片的8英寸生產線和5萬片12英寸特色工藝生產線。產品重點面向工控、汽車、電力、能源等領域，將顯著提升中國功率器件（IGBT）、電源管理、傳感器等芯片的核心競爭力和規(guī)模化生產能力。
2017年12月，中國電子和上海市簽署了投資千億級的戰(zhàn)略合作協(xié)議，積塔半導體特色工藝生產線項目是該戰(zhàn)略合作協(xié)議的第一個落地項目。該項目自簽約起8個月內順利開工，體現了上海速度、臨港速度。
燕東微電子入主廣義微電子
8月18日，燕東微電子投資四川廣義微電子簽約儀式在遂寧經開區(qū)舉行。作為國內芯片產業(yè)龍頭企業(yè)，燕東微電子本次計劃投資1.2億元入股四川廣義微電子，幫助后者在遂寧建設的6英寸芯片生產線短期內快速實現穩(wěn)定量產。
到今年底，四川廣義微電子6英寸芯片生產線月產能預計將達到3萬片，并計劃在2020年實現月產能10萬片規(guī)模，打造成為國內領先的集成電路制造商。
武漢新芯二期擴產項目正式開工建設
2018年8月28日，武漢新芯集成電路制造有限公司召開二期擴產項目現場推進會在武漢召開。據悉武漢新芯二期擴產項目規(guī)劃總投資17.8億美元，緊抓物聯(lián)網和5G運用的市場機遇，建設NOR FLASH（自主代碼型）閃存、微控制器和三維特種工藝三大業(yè)務平臺，相當于再造一個武漢新芯。
目前，武漢新芯一期擁有1.2萬片/月的NOR FLASH閃存和1.5萬片/月的背照式圖像傳感器(BSI)的生產能力。按照10億美元一萬片的投資規(guī)模，武漢新芯二期的投資大約可擴產2萬片產能。筆者預計刨去動力、氣體等方面的投資，大約可擴產3萬片產能。
根據規(guī)劃，武漢新芯的NOR FLASH閃存能力每個月擴充8000片，從月產能1.2萬片擴至月能2萬片，微控制器新增每個月擴充5000片，計劃用5年時間把武漢新芯建設成中國物聯(lián)網芯片領導型企業(yè)。
至于，三維特種工藝，筆者認為是指3D TSV封裝。因為武漢有新芯有背照式圖像傳感器(BSI)芯片的生產能力，本次擴充產能，將有望達3萬片規(guī)模。為了迎合背照式圖像傳感器的擴產，3D TSV封裝擴產也是勢在必行。
武漢新芯成立于2006年，由湖北省、武漢市、東湖區(qū)三級政府集體決策投資107億，建設中部地區(qū)第一條12英寸集成電路生產線，2008年建成投產。2016年，在武漢新芯基礎上，紫光集團、國家集成電路產業(yè)投資基金、湖北集成電路產業(yè)投資基金、湖北省科技投資集團共同出資組建長江存儲科技有限責任公司，武漢新芯整體并入長江存儲，成為長江存儲全資子公司。
經過十年艱苦運營，2016年，武漢新芯成功扭虧為盈；2017年實現銷售收入22億元，營業(yè)利潤0.7億元，首次實現全年主營業(yè)務盈利，并榮獲“2017年中國半導體制造十大企業(yè)”稱號。