近年來，在國家政策和資金支持下，我國大力發(fā)展第三代半導體，各地方政府掀起了不斷加碼，尤其是第三代半導體產業(yè)或將寫入“十四五規(guī)劃”的消息更是進一步推動了該領域的投資熱潮，項目開工、企業(yè)布局等不斷涌現...

1、第三代半導體產業(yè)或將寫入“十四五規(guī)劃”

2020年9月，有消息稱我國計劃把大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè)，寫入正在制定中的“十四五”規(guī)劃，計劃在2021-2025年期間，在教育、科研、開發(fā)、融資、應用等等各個方面，大力支持發(fā)展第三代半導體產業(yè)，以期實現產業(yè)獨立自主。

2、長沙三安160億第三代半導體項目開工

2020年7月20日，投資160億元，占地面積1000畝的“三安光電第三代半導體產業(yè)園”，在長沙高新區(qū)啟動開工建設。該產業(yè)園主要用于建設具自主知識產權的襯底（碳化硅）、外延、芯片及封裝產業(yè)生產基地。這里，也將誕生我國首條碳化硅全產業(yè)鏈產線。

3、Cree推進建造全球最大SiC器件制造工廠

2020年8月，Cree（科銳）宣布推進從硅 (Si) 向碳化硅 (SiC) 的產業(yè)轉型。科銳于2019年9月宣布將在美國紐約州 Marcy 建造一座全新的采用最先進技術并滿足車規(guī)級標準的 200 mm 碳化硅（SiC）功率和射頻（RF）制造工廠。該工廠目前已經完成基礎工程施工，并開始主體工程施工。

4、華為投資入股北京天科合達等

2020年華為哈勃先后投資入股了國內三家化合物半導體企業(yè)，分別為：北京天科合達，持股比例4.82%；寧波潤華全芯微電子，投資數額約214.29萬元，投資比例占6.31%；瀚天天成，認繳出資977.2萬元。

5、全球最大氮化鎵工廠進入量產階段

2020年9月，英諾賽科蘇州第三代半導體基地舉行設備搬入儀式。這意味著英諾賽科蘇州第三代半導體基地開始由廠房建設階段進入量產準備階段，標志著全球最大氮化鎵工廠正式建設完成。該項目建成后，滿產可實現月產8英寸硅基氮化鎵晶圓65000片。

6、臺積電與意法半導體合作，加快GaN技術開發(fā)

2020年2月，臺積電宣布與意法半導體合作加速市場采用氮化鎵產品。意法半導體此前預計在2020年將首批樣品交給其主要客戶。透過此合作，意法半導體將采用臺積公司的氮化鎵制程技術來生產其氮化鎵產品。

7、日本研發(fā)長晶新技術，1小時可制成優(yōu)質GaN基底

外媒稱，日本國家材料科學研究所與東京工業(yè)大學研發(fā)了一種生長高質量GaN晶體的技術，與現有技術生長的GaN晶體相比，新技術制成的GaN晶體缺陷會少很多。該技術能有效地減少位錯的形成，從而合成高質量的晶體。該技術只需要一個簡單的工藝，在大約1小時內就可以制成高質量的GaN基底。

8、穩(wěn)懋投850億新臺幣建廠

2020年8月，穩(wěn)懋進駐南科高雄園區(qū)的投資案獲得科技部園區(qū)審議會核準，穩(wěn)懋預計將投入850億新臺幣（約201億人民幣）蓋新廠。此計劃將自2021年起分3年進行投資，新廠完成后月產能將超過10萬片，總產能為目前北部廠的兩倍以上。

9、比亞迪規(guī)劃自建SiC產線

比亞迪半導體產品總監(jiān)楊欽耀表示，比亞迪車規(guī)級的IGBT已經走到5代，碳化硅MOSFET已經走到3代，第4代正在開發(fā)當中。目前在規(guī)劃自建SiC產線，預計到2021年有自己的產線。

10、露笑科技第三代功率半導體產業(yè)園開工

2020年11月，露笑科技在合肥投建的的第三代功率半導體（碳化硅）產業(yè)園項目開工，項目總投資為人民幣100億元。主要建設國際領先的第三代功率半導體(碳化硅)的設備制造、長晶生產、襯底加工、外延制作等產業(yè)鏈的研發(fā)和生產基地。