功率半導(dǎo)體被比喻為純電動(dòng)汽車和工業(yè)設(shè)備等需要較多電力的設(shè)備的“肌肉”。這些設(shè)備需要將通過電池等獲得的電力高效地轉(zhuǎn)換為動(dòng)力,承擔(dān)這一功能的正是功率半導(dǎo)體。隨著電動(dòng)車和各種綠化智能的需求成為主流,功率器件的重要程度日益提高。據(jù)悉,目前全球的功率半導(dǎo)體器件主要由歐洲、美國、日本三個(gè)國家和地區(qū)提供,他們憑借先進(jìn)的技術(shù)和生產(chǎn)制造工藝,以及領(lǐng)先的品質(zhì)管理體系,大約占據(jù)了全球60%的市場(chǎng)份額。此前我們報(bào)道了華為全面進(jìn)攻功率器件的新聞。而放眼全球,中國大陸、日本、韓國和歐洲的功率器件競(jìng)賽已然拉開帷幕。
日本功率半導(dǎo)體產(chǎn)能大擴(kuò)建
日本在功率半導(dǎo)體方面實(shí)力比較強(qiáng)。在功率元件方面占據(jù)優(yōu)勢(shì)的日本半導(dǎo)體企業(yè)有:三菱電機(jī)、富士電機(jī)、日立功率元件、東芝電子元件與存儲(chǔ)器件等等。中堅(jiān)企業(yè)有羅姆、產(chǎn)研電氣、新電元工業(yè)等等。
2020年12月,東芝稱,在截至2024年3月的財(cái)年,東芝將花費(fèi)約800億日元為其位于日本石川縣的工廠增加生產(chǎn)設(shè)備。該集團(tuán)的晶片生產(chǎn)能力將從每月15萬片升至20萬片。額外的晶圓將交付給日本汽車制造商、中國和其他地方的汽車制造商。東芝擅長生產(chǎn)能有效處理300伏特或更低電壓的低壓產(chǎn)品。東芝希望將功率半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的銷售額提高30%,從目前的1,500億日?qǐng)A左右增至2,000億日?qǐng)A。
今年3月10日,東芝又宣布,計(jì)劃引進(jìn)一條新的12英寸晶圓生產(chǎn)線。傳統(tǒng)上,該公司的功率半導(dǎo)體主要使用8英寸晶圓生產(chǎn)。而隨著采用12英寸晶圓生產(chǎn)模擬芯片成為全球趨勢(shì),該公司似乎也在跟緊潮流。東芝表示,新廠建成后,可將功率半導(dǎo)體產(chǎn)能提高20%。
據(jù)悉,東芝引進(jìn)12英寸晶圓生產(chǎn)線的主要目標(biāo)是提高低壓MOSFET和IGBT的生產(chǎn)能力。根據(jù)規(guī)劃,新產(chǎn)線將于2023財(cái)年上半年投產(chǎn),該公司表示,將根據(jù)市場(chǎng)趨勢(shì),逐步確定后續(xù)投資計(jì)劃,并將繼續(xù)擴(kuò)大日本工廠的分立器件,特別是功率半導(dǎo)體器件的生產(chǎn)。
富士電機(jī)也表示,到2023財(cái)年將在國內(nèi)外投資1200億日元。該公司計(jì)劃提升馬來西亞和日本以外其他地方工廠的產(chǎn)能,使工人能夠?qū)⑷毡局圃斓牧悴考庸こ沙善?。該公司的目?biāo)是,到2023財(cái)年,汽車占功率半導(dǎo)體銷售額的一半,高于2019財(cái)年的35%。
三菱電機(jī)是IGBT模塊的第二大制造商(根據(jù)Omidea的數(shù)據(jù))。他們將部署從夏普收購的廣島縣工廠,以提高產(chǎn)能。今年11月,新工廠將投入200億日元投入運(yùn)營。2022財(cái)年的總產(chǎn)能將比2019財(cái)年翻一番。
除此之外,日本一些小企業(yè)還在研究潛力無限氧化鎵,并且在元件、基板等方面的研發(fā)全球領(lǐng)先。資料顯示,日本的功率元件方向的氧化鎵研發(fā)始于以下三位:國立研究開發(fā)法人--信息通信研究機(jī)構(gòu)(NICT:National Institute of Information and Communications Technology)的東脅正高先生、京都大學(xué)的藤田靜雄教授、田村(Tamura)制作所的倉又朗人先生。
NICT的東脅先生于2010年3月結(jié)束在美國大學(xué)的赴任并回日本,以氧化鎵功率元件作為新的研發(fā)主題并進(jìn)行構(gòu)想。京都大學(xué)的藤田教授于2008年發(fā)布了氧化鎵深紫外線檢測(cè)和Schottky Barrier Junction、藍(lán)寶石(Sapphire)晶圓上的晶膜生長(Epitaxial Growth)等研發(fā)成果后,又通過利用獨(dú)自研發(fā)的薄膜生產(chǎn)技術(shù)(Mist CVD法)致力于研發(fā)功率元件。倉又先生在田村(Tamura)制作所負(fù)責(zé)研發(fā)LED方向的氧化鎵單結(jié)晶晶圓,并考慮應(yīng)用到功率半導(dǎo)體方向。
三人的接觸與新能源·產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合開發(fā)機(jī)構(gòu)(NEDO)于2011年度提出的“節(jié)能革新技術(shù)開發(fā)事業(yè)—挑戰(zhàn)研發(fā)(事前研發(fā)一體型)、超耐高壓氧化鎵功率元件的研發(fā)”這一委托研發(fā)事業(yè)有一定關(guān)聯(lián),接受委托的是NICT、京都大學(xué)、田村制作所等??梢哉f,由此開啟了功率元件的正式研發(fā)。后來,NICT和田村制作所合作成立了風(fēng)險(xiǎn)投資企業(yè)“Novel Crystal Technology”,京都大學(xué)成立了風(fēng)險(xiǎn)投資企業(yè)“FLOSFIA”。現(xiàn)在,兩家公司都是日本氧化鎵研發(fā)的中堅(jiān)企業(yè)。
歐洲功率半導(dǎo)體穩(wěn)扎穩(wěn)打
歐洲素來在汽車工業(yè)和機(jī)械工程領(lǐng)域具有明顯優(yōu)勢(shì),這一終端優(yōu)勢(shì)培育了歐洲在功率半導(dǎo)體和車用半導(dǎo)體領(lǐng)域的強(qiáng)大競(jìng)爭(zhēng)力,英飛凌、恩智浦、意法半導(dǎo)體等不僅是歐洲的代表企業(yè),更在全球名列前茅。
2020年4月16日,英飛凌宣布完成對(duì)賽普拉斯半導(dǎo)體公司的收購。使得英飛凌在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的地位更加鞏固。去年,英飛凌花費(fèi)16億歐元(19億美元)在奧地利建造了一座新工廠。該公司去年5月宣布,已經(jīng)完成了建筑外殼的建設(shè),并計(jì)劃在2021年底啟動(dòng)設(shè)施。2月,英飛凌宣布,為了緩解全球車用芯片產(chǎn)能不足的困境,將在奧地利新建12英寸晶圓廠,專門用于生產(chǎn)車用芯片,預(yù)計(jì)將于今年第三季度動(dòng)工。
2020年3月初意法半導(dǎo)體收購法國氮化鎵(GaN)創(chuàng)新企業(yè)Exagan公司的多數(shù)股權(quán)。Exagan的外延工藝、產(chǎn)品開發(fā)和應(yīng)用經(jīng)驗(yàn)將拓寬并推進(jìn)意法半導(dǎo)體的汽車、工業(yè)和消費(fèi)用功率GaN的開發(fā)規(guī)劃和業(yè)務(wù)。另外早在2019年,意法半導(dǎo)體還收購了瑞典碳化硅晶圓制造商N(yùn)orstel AB。
博世在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域,也在生產(chǎn)傳統(tǒng)硅基的IGBT和碳化硅功率半導(dǎo)體,前者主要打包成系統(tǒng)產(chǎn)品對(duì)外出售,后者則是計(jì)劃會(huì)直接對(duì)外銷售。博世于2019年10月正式宣布開展碳化硅的相關(guān)業(yè)務(wù),并在德國羅伊特林根建有一條車規(guī)級(jí)生產(chǎn)線。博世已于今年1月份在德累斯頓工廠開始生產(chǎn)其首批厚度僅為60微米的晶圓。今年3月份,歐洲大廠博世正在德國德累斯頓建設(shè)新的12英寸晶圓廠,投資額達(dá)到10億歐元。計(jì)劃今年下半年實(shí)現(xiàn)商用生產(chǎn)。新的生產(chǎn)工廠將生產(chǎn)功率半導(dǎo)體,可用于電動(dòng)汽車及其他領(lǐng)域。
韓國發(fā)起自救主攻三代功率半導(dǎo)體
韓國在功率半導(dǎo)體領(lǐng)域相對(duì)薄弱,目前韓國國內(nèi)市場(chǎng)規(guī)模約為20億美元,由于缺乏技術(shù)和專利,長期以來90%以上的市場(chǎng)需求依賴日本進(jìn)口。自日本去年對(duì)三種關(guān)鍵半導(dǎo)體材料實(shí)施出口管制后,韓國企業(yè)就一直在尋求替代供貨源,同時(shí),用國產(chǎn)擺脫日產(chǎn)也成為當(dāng)?shù)刂圃焐痰哪繕?biāo)之一。于是他們也瞄準(zhǔn)了第三代功率半導(dǎo)體。
今年年初,SK集團(tuán)的投資控股公司SK Holdings以268億韓元的價(jià)格收購了韓國唯一的碳化硅(SiC)功率半導(dǎo)體制造商Yes Power Techniques的33.6%的股份。近些年來,SK集團(tuán)對(duì)SiC功率半導(dǎo)體的投入不小。除了收購Yes Power Techniques的股份以外,SK Siltron 于還曾以4.5億美元收購美國化學(xué)大廠杜邦 (DuPont) 的碳化硅 (SiC) 晶圓業(yè)務(wù),以其拓展車用功率半導(dǎo)體市場(chǎng)。SK Siltron表示,“在硅晶圓領(lǐng)域要追上日本恐怕很難,因此將在次世代技術(shù)上進(jìn)行挑戰(zhàn)”。
近日,韓國政府發(fā)布了一份先進(jìn)功率半導(dǎo)體研發(fā)和產(chǎn)能提升計(jì)劃。 與傳統(tǒng)芯片相比,功率芯片可以處理更大的電壓和電流。 在民間企業(yè)的配合下,韓國政府計(jì)劃到2025年將市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力提升到全球水平,以便到那一年韓國至少有5種先進(jìn)的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品上市。致力于SiC、GaN、Ga2O3三種材料的應(yīng)用技術(shù)和技術(shù),克服硅酮材料的局限性,協(xié)助國內(nèi)企業(yè)的材料和芯片研發(fā)工作。
韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部在一份聲明中表示,將與韓國國內(nèi)的代工廠建立6 - 8英寸的制造工藝,以擴(kuò)大相關(guān)的代工服務(wù)。 “政府計(jì)劃積極支持研發(fā)和基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè),以搶占仍處于早期階段的下一代功率半導(dǎo)體市場(chǎng),并建立一個(gè)堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)生態(tài)系統(tǒng),”韓國產(chǎn)業(yè)通商資源部長官成允模在聲明中表示。
中國功率半導(dǎo)體重資投入
國內(nèi)在功率半導(dǎo)體方面這幾年的發(fā)展步伐也很快,投資,建生產(chǎn)線,擴(kuò)產(chǎn),尤其是第三代半導(dǎo)體項(xiàng)目,遍地開花。
華為正在為公司的功率器件研發(fā)大肆招兵買馬,其中包括IGBT、MOSFET、SiC、GaN等主流的功率器件,據(jù)說隊(duì)伍目前已有數(shù)百人。在目前的國際形勢(shì)下,華為的海外業(yè)務(wù)受阻,新興的汽車業(yè)務(wù)成為了華為尋求增長的一個(gè)突破口,在華為業(yè)務(wù)板塊中的重要性越來越高。進(jìn)軍做功率器件,無論是IGBT、SiC還是GaN都是為其汽車零部件供應(yīng)商的身份蓋樓。再就是基于這些功率器件各自的優(yōu)越特性為其自身的設(shè)備如基站電源、快充、光電子的研發(fā)等應(yīng)用服務(wù)。
華潤微在今年2月份欲募集50億元,主要用于封裝測(cè)試標(biāo)準(zhǔn)功率半導(dǎo)體產(chǎn)品、先進(jìn)面板級(jí)功率產(chǎn)品、特色功率半導(dǎo)體產(chǎn)品。該功率半導(dǎo)體封測(cè)基地計(jì)劃建設(shè)周期為三年,項(xiàng)目建成達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)功率封裝工藝產(chǎn)線年產(chǎn)能將達(dá)約37.5億顆,先進(jìn)封裝工藝產(chǎn)線年產(chǎn)能將達(dá)約22.5億顆。
今年3月初,斯達(dá)半導(dǎo)募資35億元人命幣,大舉押注SiC。項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后,預(yù)計(jì)將形成年產(chǎn) 36 萬片功率半導(dǎo)體芯片的生產(chǎn)能力。
也是在3月,安世半導(dǎo)體全球銷售資深副總裁張鵬崗在接受央視專訪時(shí)談到,聞泰科技安世半導(dǎo)體位于上海臨港的 12 寸晶圓廠已于今年一月破土動(dòng)工,將于 2022 年 7 月投產(chǎn),產(chǎn)能預(yù)計(jì)將達(dá)到每年 40 萬片。
而據(jù)《日本經(jīng)濟(jì)新聞》4月9日?qǐng)?bào)道,聞泰科技又計(jì)劃投資120億元人民幣,在上海建廠生產(chǎn)用于控制電路的功率半導(dǎo)體。報(bào)道稱,聞泰科技此次同荷蘭安世半導(dǎo)體合作建設(shè)的工廠將于2022年投入運(yùn)營,主要生產(chǎn)功率半導(dǎo)體和晶體管等“分立半導(dǎo)體”。工廠在生產(chǎn)過程中將使用大口徑的12寸晶圓,年產(chǎn)量可達(dá)40萬枚,將成為分立半導(dǎo)體行業(yè)的世界第一大生產(chǎn)商。分立半導(dǎo)體不在美國的制裁范圍內(nèi)。分立半導(dǎo)體無需精密加工,用傳統(tǒng)制造裝置也可實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)。由于這些裝置在制裁名單之外,Omdia公司專家南川明認(rèn)為,中國的企業(yè)容易自主進(jìn)行設(shè)備投資。
2020年12月21日,士蘭微電子12吋特色工藝芯片生產(chǎn)線在廈門海滄正式投產(chǎn)!規(guī)劃項(xiàng)目總投資170億元,規(guī)劃建設(shè)兩條以功率半導(dǎo)體芯片、MEMS傳感器芯片為主要產(chǎn)品的12吋特色工藝功率半導(dǎo)體芯片生產(chǎn)線。 第一條12吋產(chǎn)線,總投資70億元,工藝線寬90納米,計(jì)劃月產(chǎn)8萬片。
近日,又一家功率半導(dǎo)體廠商芯導(dǎo)科技正式闖關(guān)科創(chuàng)板。申報(bào)稿顯示,芯導(dǎo)科技此次擬募集資金4.4億元,扣除發(fā)行費(fèi)用后,將全部用于高性能分立功率器件開發(fā)和升級(jí)、高性能數(shù)?;旌想娫垂芾硇酒_發(fā)及產(chǎn)業(yè)化、硅基氮化鎵高電子遷移率功率器件開發(fā)項(xiàng)目、以及研發(fā)中心建設(shè)項(xiàng)目。
諸如此類的功率半導(dǎo)體項(xiàng)目不勝枚舉。目前國內(nèi)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈正在日趨完善,技術(shù)也正在取得突破,相信在新風(fēng)口新技術(shù)之下,國內(nèi)還是可以一搏的。