《電子技術應用》
您所在的位置:首頁 > EDA與制造 > 業(yè)界動態(tài) > 光刻技術重磅進展!

光刻技術重磅進展!

2021-06-12
來源:ZYNQ

中科院網(wǎng)站消息中國科學院上海光學精密機械研究所信息光學與光電技術實驗室提出一種基于虛擬邊(Virtual Edge)與雙采樣率像素化掩模圖形(Mask pixelation with two-phase sampling)的快速光學鄰近效應修正技術(Optical proximity correction,OPC),仿真結果表明該技術具有較高的修正效率。

微信圖片_20210612180328.jpg

OPC技術通過調整掩模圖形的透過率分布修正光學鄰近效應,從而提高成像質量。基于模型的OPC技術是實現(xiàn)90nm及以下技術節(jié)點集成電路制造的關鍵計算光刻技術之一。

本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外,轉載內容只為傳遞更多信息,并不代表本網(wǎng)站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題,請及時通過電子郵件或電話通知我們,以便迅速采取適當措施,避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話:010-82306118;郵箱:aet@chinaaet.com。