近日，日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)宣布，已經(jīng)制造出一種用于 GaN（氮化鎵）外延生長(zhǎng)的 300 毫米（12 英寸）襯底，并于最近開(kāi)始供應(yīng)樣品。

據(jù)介紹，信越化學(xué)的 QST 300mm 晶圓具有與 GaN 相同的熱膨脹系數(shù) （CTE），避免了 GaN 外延層的翹曲和裂紋，從而提高了良率。在此之前，信越化學(xué)已經(jīng)對(duì)外銷(xiāo)售了 150 毫米（6 英寸）和 200 毫米（8 英寸）QST 襯底以及 QST 外延襯底上的 GaN。

Qromis 許可的 QST（Qromis 襯底技術(shù)）襯底由具有與 GaN 相匹配的 CTE 的多晶氮化鋁陶瓷芯和涂覆芯的多層無(wú)機(jī)薄膜組成。封裝層頂部的二氧化硅 SiO2 鍵合層允許單個(gè)晶體硅層形成外延 GaN 生長(zhǎng)的成核層。

GaN 器件制造商由于缺乏適合 GaN 生長(zhǎng)的大直徑襯底，因此無(wú)法從增加材料直徑中受益，盡管他們可以使用現(xiàn)有的 GaN 硅生產(chǎn)線。300mm QST 襯底可實(shí)現(xiàn) GaN 外延生長(zhǎng)，而不會(huì)出現(xiàn)翹曲或裂紋，這在硅片襯底上是無(wú)法實(shí)現(xiàn)的，從而顯著降低了器件成本。

這種襯底材料可實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量和厚的 GaN 外延生長(zhǎng)，并具有大直徑。信越化學(xué)表示，客戶(hù)正在評(píng)估用于功率器件、高頻器件和 LED 的 QST 襯底和 QST 外延襯底上的 GaN，并已進(jìn)入數(shù)據(jù)中心電源的開(kāi)發(fā)階段。