4 月 30 日消息，據路透社報道，當地時間周二，英特爾稱已有數家代工客戶計劃為公司正在開發(fā)的新一代制造工藝制作測試芯片。

英特爾在當日舉行的 Direct Connect 會議上透露，公司在晶圓代工業(yè)務方面收獲了不少客戶關注。盡管推進代工業(yè)務的過程中屢遇挑戰(zhàn)，英特爾仍希望能最終對標臺積電。

在圣何塞的活動上，新任 CEO 陳立武提到，過去五周業(yè)內人士頻頻詢問他是否會堅定投入晶圓代工業(yè)務。他表示：“答案是肯定的。我下定決心要讓英特爾的代工業(yè)務取得成功，也很清楚目前仍有許多需要改進的地方。”

英特爾打算通過一項名為 14A 的新工藝引入高數值孔徑 EUV 光刻設備（high-NA EUV），這一技術還能提升芯片電源輸送效率。

high-NA EUV 光刻設備有望簡化芯片制造流程，但同時也伴隨一定風險。英特爾晶圓代工技術主管納加?錢德拉謝卡蘭指出，公司仍將保留傳統(tǒng)工藝的選項，客戶不需要更改已有設計。

報道稱，在 2010 年代，英特爾曾因未及時采用 EUV 技術而錯失良機，而臺積電則在該技術上持續(xù)投入。如今重新?lián)肀?high-NA EUV，某種程度上也是對當年戰(zhàn)略失誤的糾正。

錢德拉謝卡蘭表示，公司的 18A 工藝仍處于不斷試驗與打磨階段，“和其他新技術一樣存在起伏”，但團隊的進展持續(xù)穩(wěn)步推進。預計英特爾將在 2025 年下半年具備以 18A 工藝進行大規(guī)模量產的能力，并開始向客戶供貨。

英特爾表示，18A 工藝初期將由位于俄勒岡州希爾斯伯勒的研發(fā)中心負責投片，亞利桑那州的工廠也將在年內擴大產能。

另據英特爾披露的數據，在 2021 年提出“四年五個工藝節(jié)點”計劃至 2024 年這四年間，英特爾在全球的資本支出達到了 900 億美元（注：現(xiàn)匯率約合 6546.83 億元人民幣），其中約 180 億美元投向了技術研發(fā)，370 億美元投向了晶圓廠設備支出。