《電子技術(shù)應(yīng)用》
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美光率先推出第六代10nm級(jí)LPDDR5xDRAM內(nèi)存

速度可達(dá)10.7Gbps
2025-06-04
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 美光 DDR5 10nm DRAM 內(nèi)存

6 月 4 日消息,美光當(dāng)?shù)貢r(shí)間昨日宣布在業(yè)界率先推出基于第六代 10nm 級(jí)制程(注:按美光命名為 1γ、1-gamma,按三星和 SK 海力士命名為 1c)的 LPDDR5x DRAM 內(nèi)存。

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美光的 1γ LPDDR5x 可實(shí)現(xiàn)業(yè)界一流的 10.7Gbps(較準(zhǔn)確值應(yīng)為 10667MT/s)數(shù)據(jù)傳輸速率,同時(shí)相較上代 1β 產(chǎn)品節(jié)省 20% 功耗。

此外其 DRAM 模塊厚度達(dá)到了最低的 0.61mm,相較美光 1β LPDDR5x 降低 14%,也比友商低 6%,為超薄與折疊屏智能手機(jī)留出了更大設(shè)計(jì)空間。

美光的 1γ 制程是其第一代 EUV DRAM 內(nèi)存工藝,此前已在 DDR5 上得到應(yīng)用。而其 1γ LPDDR5x 現(xiàn)正向指定合作伙伴提供 16GB 封裝容量的樣品,并將提供從 8GB 到 32GB 的各種容量,搭載在 2026 年的旗艦智能手機(jī)上。


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