消息稱DDR6內(nèi)存有望后年啟動(dòng)大規(guī)模導(dǎo)入
單通道位寬亦提升50%，有望后年啟動(dòng)大規(guī)模導(dǎo)入
2025-07-23
來(lái)源：IT之家
7 月 23 日消息，臺(tái)媒《工商時(shí)報(bào)》今日?qǐng)?bào)道稱，JEDEC 目前正在積極推進(jìn) DDR6 內(nèi)存規(guī)范的準(zhǔn)備工作，三大 DRAM 內(nèi)存原廠已完成 DDR6 原型芯片設(shè)計(jì)，新一代的 DDR 內(nèi)存有望在 2026 年的平臺(tái)測(cè)試與驗(yàn)證后在 2027 年進(jìn)入大規(guī)模導(dǎo)入期。
與已經(jīng)公布的 LPDDR6 規(guī)范類(lèi)似，DDR6 的單通道位寬也將提升 50% 來(lái)到 96bit，同時(shí)子通道劃分也從 DDR5 時(shí)期的 2× 32bit 細(xì)化到 4× 24bit；原生頻率方面起步 8800MT/s，最高有望來(lái)到 17600MT/s。
DDR6 與 LPDDR6 的位寬同比變化，有利于筆記本電腦 SoC 等雙內(nèi)存規(guī)范平臺(tái)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。
而在模組外形規(guī)格方面，為應(yīng)對(duì) DDR6 對(duì)信號(hào)完整性、I/O 設(shè)計(jì)的更高要求，新興的 CAMM 系預(yù)計(jì)將成為主流解決方案，取代歷史悠久的傳統(tǒng) DIMM。
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