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美光推出首款太空認(rèn)證NAND閃存

業(yè)界最高256Gb容量耐輻射SLC
2025-07-23
來源:IT之家
關(guān)鍵詞: 美光 NAND 閃存 存儲(chǔ)

7 月 23 日消息,美光美國(guó)愛達(dá)荷州博伊西當(dāng)?shù)貢r(shí)間 22 日宣布推出擁有在耐輻射 SLC NAND 領(lǐng)域最高 256Gb 容量的閃存。這不僅是美光首款獲得正式且完整太空認(rèn)證的 NAND,也是首款由主要存儲(chǔ)器制造商提供的同規(guī)格產(chǎn)品。

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隨著發(fā)射任務(wù)的不斷增長(zhǎng),太空經(jīng)濟(jì)正在飛速發(fā)展,而通用計(jì)算與 AI 的創(chuàng)新又對(duì)在軌數(shù)據(jù)處理提出了更高需求。適用于太空環(huán)境的閃存可為在軌計(jì)算提供堅(jiān)實(shí)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保障。

美光此次推出的耐輻射 256Gb SLC NAND 通過了一系列嚴(yán)苛測(cè)試,包括以下內(nèi)容:

擴(kuò)展的質(zhì)量和性能測(cè)試,按照 NASA 的 PEM-INST-001 二級(jí)流程對(duì)組件進(jìn)行為期一年的篩選,測(cè)試內(nèi)容包括極端溫度循環(huán)、缺陷檢查、590 小時(shí)動(dòng)態(tài)老化;

針對(duì)總電離劑量的輻射表征測(cè)試,根據(jù)美國(guó)軍方標(biāo)準(zhǔn) MIL-STD-883 TM1019 condition D 評(píng)估產(chǎn)品在軌正常運(yùn)行期間累計(jì)可吸收伽馬輻射劑量,數(shù)據(jù)可用于確認(rèn)適用的任務(wù)生命周期。

針對(duì)單粒子事件效應(yīng)的輻射表征測(cè)試,依照 JEDEC JESD57 和美國(guó)材料與試驗(yàn)協(xié)會(huì) (ASTM) 的 F1192 標(biāo)準(zhǔn)評(píng)估高能粒子對(duì)半導(dǎo)體的影響,驗(yàn)證組件是否可在惡劣輻射環(huán)境中安全可靠運(yùn)行。


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