10 月 29 日消息，韓國(guó)媒體 EBN News 昨日（10 月 28 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱英偉達(dá)已成為臺(tái)積電下一代 A16 工藝的目前唯一客戶，雙方正就此展開聯(lián)合測(cè)試，該工藝預(yù)估 2027 年部署。

與此同時(shí)，消息還指出，作為臺(tái)積電長(zhǎng)期大客戶的蘋果公司，尚未就其移動(dòng)應(yīng)用處理器（AP）采用 A16 工藝一事展開洽談。

援引博文介紹，根據(jù)英偉達(dá)公布的 GPU 路線圖，其產(chǎn)品演進(jìn)順序?yàn)?Hopper、Blackwell、Rubin，最終到達(dá) Feynman。其中，計(jì)劃于 2028 年推出的 Feynman 架構(gòu) GPU，預(yù)計(jì)將全面采用臺(tái)積電的 A16 工藝制造。

盡管距離正式發(fā)布尚有約三年時(shí)間，但為了確保良率與生產(chǎn)效率，英偉達(dá)很可能需要在 2027 年下半年開始推動(dòng) A16 工藝的生產(chǎn)爬坡。這意味著，從先進(jìn)工藝的導(dǎo)入周期來看，英偉達(dá)與臺(tái)積電的合作已進(jìn)入實(shí)質(zhì)性階段。

歷史上，英偉達(dá)為維持其高達(dá) 61%（2026 財(cái)年第二季度數(shù)據(jù)）的驚人營(yíng)業(yè)利潤(rùn)率，一直采取相對(duì)保守的策略，避免在 GPU 上首發(fā)采用臺(tái)積電最尖端的工藝節(jié)點(diǎn)。

例如，其 Hopper 和 Blackwell 架構(gòu)均采用成熟的 4nm 工藝，而明年的 Rubin 架構(gòu)則采用 3nm 工藝。不過，EBN News 分析認(rèn)為，隨著 Feynman 這一代開始轉(zhuǎn)向 A16 節(jié)點(diǎn)，英偉達(dá)開始調(diào)整策略。面對(duì)先進(jìn)制程價(jià)格的急劇上漲，英偉達(dá)的制造成本預(yù)計(jì)將在 2027 至 2028 年間顯著增加。

根據(jù)臺(tái)積電官網(wǎng)信息，A16 工藝將首次集成先進(jìn)的納米片晶體管（Nanosheet transistors）與超級(jí)電軌（Super Power Rail）供電技術(shù)。

與 N2P 工藝相比，A16 在相同工作電壓下能提供 8-10% 的速度增益，或在同等速度下實(shí)現(xiàn) 15-20% 的功耗降低，同時(shí)芯片密度提升最高可達(dá) 1.1 倍。