隨著半導(dǎo)體制程邁入2nm制程時(shí)代，手機(jī)芯片大廠高通（Qualcomm）與聯(lián)發(fā)科（MediaTek）都在準(zhǔn)備下一代旗艦移動(dòng)芯片，即驍龍（Snapdragon）8 Elite Gen 6與天璣（Dimensity）9600。然而，這兩家手機(jī)芯片廠商接下來不僅需要向晶圓代工龍頭臺(tái)積電支付高昂的2nm代工費(fèi)用，現(xiàn)在更必須應(yīng)對LPDDR6 DRAM 價(jià)格的急劇上漲所帶來的困境。

市場消息指出，由于LPDDR6內(nèi)存價(jià)格不斷攀升，下一代內(nèi)存技術(shù)預(yù)計(jì)將只會(huì)應(yīng)用于驍龍8 Elite Gen 6 與天璣9600 旗艦級(jí)芯片中，而且預(yù)計(jì)只有“Pro等級(jí)”的芯片將在2026年搭載LPDDR6 DRAM 芯片。這意味著，雖然LPDDR6 技術(shù)代表著性能的提升，但其高昂的成本將使其在初期難以普及到非旗艦級(jí)設(shè)備。因此，包括晶圓代工與內(nèi)存上漲的雙重成本壓力，預(yù)計(jì)將對高通和聯(lián)發(fā)科的智能手機(jī)合作伙伴造成巨大負(fù)面影響。

然而，市場也有傳言稱，中國內(nèi)存制造商正在準(zhǔn)備于2026年大規(guī)模生產(chǎn)LPDDR6 DRAM 技術(shù)。如果此消息屬實(shí)，這或許能為高通的驍龍8 Elite Gen 6 和聯(lián)發(fā)科聯(lián)發(fā)科9600 在內(nèi)存采購價(jià)格上提供一定的談判籌碼或定價(jià)優(yōu)勢。

面對成本壓力與市場需求的分化，高通預(yù)計(jì)將針對其下一代旗艦芯片采取差異化策略。高通據(jù)稱將推出兩個(gè)版本的驍龍8 Elite Gen 6，也就是標(biāo)準(zhǔn)版和頂級(jí)的驍龍8 Elite Gen 6 Pro。市場消息指出，這兩個(gè)版本之間的主要差異在于：頂級(jí)的Pro 版本將配備更快的GPU，并支持更快的LPDDR6內(nèi)存。

三星最新曝光的LPDDR6內(nèi)存采用的是12nm制程，傳輸速率為 10.7Gbps，I/O 通道數(shù)量進(jìn)一步提升。而得益于動(dòng)態(tài)電源管理系統(tǒng)，其能效提升了約 21%。

在當(dāng)前DRAM芯片價(jià)格持續(xù)上漲，明年一整年都難以緩解的背景下，無論是否采用最新的LPDDR6，內(nèi)存成本無疑都會(huì)大幅上漲，這將會(huì)對2026年的旗艦設(shè)備造成不利影響。另一方面，高通和聯(lián)發(fā)科的最新旗艦移動(dòng)芯片還需要為臺(tái)積電2nm晶圓代工支付約每片3萬美元的高昂成本，因此定價(jià)或?qū)⑦M(jìn)一步增長。

值得注意的是，即使面臨高昂的成本，高通和聯(lián)發(fā)科仍在制程選擇上尋求微小的性能優(yōu)勢。有傳言指出，兩家芯片制造商將利用臺(tái)積電稍加改進(jìn)的2nm（N2P）構(gòu)架。盡管N2P 節(jié)點(diǎn)相較于標(biāo)準(zhǔn)的N2 制程僅提供了大約5%的性能提升，高通和聯(lián)發(fā)科仍希望借此獲得超越蘋果（Apple）公司的優(yōu)勢。據(jù)悉，蘋果將堅(jiān)持為其A20 和A 20 Pro 芯片使用標(biāo)準(zhǔn)的2nm（N2）制程。不過，高通和聯(lián)發(fā)科這種追求性能優(yōu)勢的舉動(dòng)，卻可能導(dǎo)致驍龍8 Elite Gen 6 和天璣9600 的定價(jià)進(jìn)一步上升。

所以，對于終端設(shè)備廠商來說，接下來將面臨著存儲(chǔ)芯片和移動(dòng)SoC芯片價(jià)格上漲所帶來的成本上漲，終端設(shè)備勢必也將面臨漲價(jià)的壓力，但是這將會(huì)抑制消費(fèi)者的購買欲。如果要保障出貨量，那么高通、聯(lián)發(fā)科和手機(jī)終端廠商都需要降低產(chǎn)品的漲價(jià)幅度，但這會(huì)侵蝕自身的毛利率。