1月20日消息，據媒體報道，存儲巨頭SK海力士已順利完成其中國無錫工廠的制程升級，將DRAM生產節(jié)點從原有的1z nm全面轉向更先進的1a nm。

目前，無錫工廠的DRAM月產能約為18萬至19萬片12英寸晶圓，其中約90%已完成向1a制程的轉換。在DRAM工藝中，1z代表10納米級別第三代制程，1a則屬于第四代。

更先進的制程意味著更高的性能、更低的功耗以及每片晶圓可產出更多芯片，此次升級使SK海力士在無錫得以生產性能顯著提升的DRAM產品。

無錫工廠的升級備受關注，主要因其在全球供應鏈中占據關鍵地位——該廠貢獻了SK海力士全球DRAM產量的30%至40%，是公司核心的生產基地。

此前市場曾擔憂，美國半導體設備出口管制可能影響無錫廠獲取先進設備，進而阻礙其技術升級并沖擊全球供應。目前來看，這一風險已得到有效管控。

值得注意的是，1a DRAM制程需使用極紫外（EUV）光刻設備，而此類設備受美國管制無法直接對華出口。

為此，SK海力士采取了“分段制造”策略：將EUV光刻這一關鍵步驟安排在韓國進行，隨后把晶圓運回無錫完成后續(xù)工序。盡管該方案增加了流程復雜性與成本，但鑒于無錫廠的戰(zhàn)略重要性，公司仍堅定推進了制程遷移。

自2006年投產以來，SK海力士在無錫工廠累計投入已達數十萬億韓元。與此同時，在韓國本土，公司正加速向更先進的1c（第六代10納米級）制程邁進，相關生產主要集中在利川的M14和M16工廠。

通過這一布局，無錫工廠承擔大規(guī)模、成熟制程的DRAM生產，韓國工廠則聚焦于最先進的DRAM及HBM等高端產品，從而在符合地緣政策要求的同時，保持技術領先地位。