編者按：日前，王陽(yáng)元院士等撰寫的《構(gòu)建自主可控的集成電路產(chǎn)業(yè)體系》綜述文章（發(fā)表于《科技導(dǎo)報(bào)》2026年第3期），文章系統(tǒng)梳理了產(chǎn)業(yè)從“六五”到“十四五”的歷程與現(xiàn)狀，深刻剖析了問(wèn)題，并為“十五五”及未來(lái)十年指明了方向。
基于此，未來(lái)十年的發(fā)展路徑可概括為：“夯實(shí)安全底座、突破中端瓶頸、搶占未來(lái)高地、構(gòu)建協(xié)同生態(tài)”。
下面是對(duì)于這篇綜述文章的理解和分析。
一、 成就與基石：已站在攀登世界高峰的“第一臺(tái)階”
過(guò)去數(shù)十年，特別是近十五年，中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)已取得令世界矚目的成就，為未來(lái)十年奠定了堅(jiān)實(shí)基礎(chǔ)。
1. 筑牢國(guó)家安全底線：在涉及國(guó)家安全的衛(wèi)星、軍事網(wǎng)絡(luò)、攻防裝備等領(lǐng)域，中國(guó)已實(shí)現(xiàn)核心芯片100%自主可控，構(gòu)筑了堅(jiān)實(shí)的產(chǎn)業(yè)屏障。
2. 躋身全球主要賽道：一批中國(guó)企業(yè)已在全球市場(chǎng)占據(jù)重要地位。中芯國(guó)際躍居全球第三大晶圓代工廠；長(zhǎng)電科技、通富微電、華天科技包攬全球封測(cè)業(yè)第三、四、六名；長(zhǎng)鑫科技以4%的份額成為全球第四大DRAM制造商；長(zhǎng)江存儲(chǔ)的“晶?！奔軜?gòu)更是實(shí)現(xiàn)了技術(shù)在3D NAND領(lǐng)域的反向輸出，引領(lǐng)國(guó)際技術(shù)路線。在EDA、設(shè)備、材料等領(lǐng)域，也涌現(xiàn)出華大九天（全球EDA第六）、北方華創(chuàng)（全球設(shè)備第六）等進(jìn)入世界前十的“排頭兵”。
3. 掌握成熟工藝基本盤：全球80%的市場(chǎng)為≥28nm的成熟工藝芯片。中國(guó)在此領(lǐng)域的產(chǎn)能已占全球33%，且設(shè)計(jì)與制造基本不受制約，為產(chǎn)業(yè)的自主發(fā)展和內(nèi)循環(huán)提供了廣闊的戰(zhàn)略縱深。
二、 挑戰(zhàn)與癥結(jié)：從“大而不強(qiáng)”到“由大變強(qiáng)”的關(guān)卡
盡管成績(jī)斐然，但產(chǎn)業(yè)“大而不強(qiáng)”的深層次問(wèn)題依然嚴(yán)峻，是未來(lái)十年必須跨越的關(guān)卡。
1. 結(jié)構(gòu)性痼疾：“小散弱”與同質(zhì)化內(nèi)卷：3626家設(shè)計(jì)企業(yè)，銷售額卻不及英偉達(dá)一家；逾百家EDA、數(shù)百家設(shè)備企業(yè)，卻難以形成合力。這種“寧為雞頭”的分散格局，導(dǎo)致資源內(nèi)耗，難以與國(guó)際巨頭組成的“集團(tuán)軍”正面交鋒。
2. 生態(tài)鏈缺失：容錯(cuò)試錯(cuò)機(jī)制不暢：國(guó)產(chǎn)設(shè)備和材料在進(jìn)入生產(chǎn)線、國(guó)產(chǎn)芯片在進(jìn)入整機(jī)系統(tǒng)時(shí)，缺乏必要的容錯(cuò)和試錯(cuò)機(jī)制。上下游之間的信任和協(xié)同不足，使得即使有國(guó)產(chǎn)化能力，產(chǎn)品也難以在市場(chǎng)中撕開(kāi)缺口，例如國(guó)產(chǎn)汽車95%的芯片仍依賴進(jìn)口。
3. 關(guān)鍵瓶頸與“舉國(guó)之力”轉(zhuǎn)化不足：在EDA、高端光刻機(jī)（如EUV）、大硅片等關(guān)鍵領(lǐng)域，仍存在“卡脖子”風(fēng)險(xiǎn)。雖然各單項(xiàng)技術(shù)已有突破，但如何將“舉國(guó)之力”有效整合，像ASML集成5000家供應(yīng)商那樣，鍛造出可與強(qiáng)手對(duì)壘的“頭部企業(yè)”，是亟待解決的機(jī)制難題。
三、 未來(lái)十年四大發(fā)展方向：延續(xù)、拓展、超越與豐富摩爾
后摩爾時(shí)代，技術(shù)路徑多元化，為中國(guó)提供了換道超車或并跑的機(jī)遇。未來(lái)十年的技術(shù)發(fā)展將沿著四個(gè)方向齊頭并進(jìn)：
1. 延續(xù)摩爾：向物理極限精進(jìn)
繼續(xù)在14nm、7nm乃至更先進(jìn)節(jié)點(diǎn)上，通過(guò)FinFET、GAAFET（圍柵晶體管）等新結(jié)構(gòu)、新材料的應(yīng)用，提升集成度。重點(diǎn)在于完成全國(guó)產(chǎn)化7nm生產(chǎn)線的建設(shè)與穩(wěn)定運(yùn)行，確保14nm全產(chǎn)業(yè)鏈的自主可控。
2. 拓展摩爾：以系統(tǒng)級(jí)封裝（SiP）和芯粒（Chiplet）實(shí)現(xiàn)異構(gòu)集成
這是未來(lái)五到十年提升系統(tǒng)性能的主戰(zhàn)場(chǎng)。通過(guò)將不同工藝、不同材料的芯片（如邏輯、存儲(chǔ)、射頻）集成在一個(gè)封裝體內(nèi)，可以在不依賴極端制程的情況下，實(shí)現(xiàn)高性能、低成本的系統(tǒng)功能。中國(guó)在封測(cè)領(lǐng)域擁有全球領(lǐng)先的產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)和人才優(yōu)勢(shì)，應(yīng)大力發(fā)展Chiplet、2.5D/3D封裝等先進(jìn)封裝技術(shù)，以此作為提升國(guó)產(chǎn)芯片整體性能的重要突破口。
3. 超越摩爾：探索新器件、新原理
擺脫單純依賴線寬縮小的路徑，探索基于新物理機(jī)制的器件。北京大學(xué)黃如院士團(tuán)隊(duì)提出的FFET（倒裝堆疊晶體管）技術(shù)，提供了不依賴EUV實(shí)現(xiàn)3-2nm的中國(guó)路徑，已在國(guó)際學(xué)術(shù)界引起廣泛關(guān)注。未來(lái)十年，需加大對(duì)這類原始創(chuàng)新的投入，推動(dòng)其從實(shí)驗(yàn)室走向產(chǎn)線，實(shí)現(xiàn)從“跟隨”到“引領(lǐng)”的跨越。同時(shí)，存算一體、軟件定義芯片等新架構(gòu)也將是突破算力瓶頸的關(guān)鍵。
4. 豐富摩爾：拓展新材料、新應(yīng)用
以碳化硅（SiC）、氮化鎵（GaN）為代表的寬禁帶半導(dǎo)體，將在新能源汽車、高鐵、電網(wǎng)等高功率場(chǎng)景發(fā)揮核心作用。中國(guó)在SiC襯底材料等領(lǐng)域已具備全球競(jìng)爭(zhēng)力（如天岳先進(jìn)全球第二）。未來(lái)需進(jìn)一步鞏固優(yōu)勢(shì)，構(gòu)建從材料、器件到應(yīng)用的完整產(chǎn)業(yè)鏈，服務(wù)“雙碳”戰(zhàn)略與產(chǎn)業(yè)升級(jí)。
四、 關(guān)鍵舉措：構(gòu)建自主可控的強(qiáng)大產(chǎn)業(yè)體系
為實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，未來(lái)十年必須在以下方面實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)性突破：
1. 鍛造“頭部企業(yè)”，終結(jié)“小散弱”：通過(guò)政策引導(dǎo)和市場(chǎng)機(jī)制，鼓勵(lì)企業(yè)整合并購(gòu)，集中資源打造能與英特爾、三星、臺(tái)積電比肩的設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)“航母”。特別要舉國(guó)之力，在EUV光刻機(jī)、先進(jìn)EDA全流程、12英寸大硅片等核心環(huán)節(jié)，通過(guò)國(guó)家級(jí)整合機(jī)制，組建創(chuàng)新聯(lián)合體，實(shí)現(xiàn)“從0到1”的集群式突破。
2. 構(gòu)建容錯(cuò)試錯(cuò)生態(tài)，打通國(guó)產(chǎn)化“最后一公里”：研究制定國(guó)家層面的容錯(cuò)試錯(cuò)補(bǔ)貼、保險(xiǎn)和激勵(lì)機(jī)制，鼓勵(lì)下游整機(jī)企業(yè)和制造產(chǎn)線優(yōu)先試用國(guó)產(chǎn)芯片、設(shè)備和材料。在汽車電子、工業(yè)控制等關(guān)鍵領(lǐng)域，逐步建立國(guó)產(chǎn)芯片的“上車”驗(yàn)證標(biāo)準(zhǔn)和平臺(tái)，用市場(chǎng)應(yīng)用反哺技術(shù)迭代。
3. 優(yōu)化投資結(jié)構(gòu)與效率：國(guó)家大基金三期（3440億元）的成立為產(chǎn)業(yè)注入了強(qiáng)勁動(dòng)力。未來(lái)十年，投資需更加精準(zhǔn)和聚焦：一是在半導(dǎo)體市場(chǎng)低谷期進(jìn)行逆周期投資，收購(gòu)優(yōu)質(zhì)資產(chǎn)；二是大幅增加對(duì)基礎(chǔ)研究、前瞻技術(shù)（如FFET、原子級(jí)制造）的長(zhǎng)期穩(wěn)定投入；三是加強(qiáng)資金監(jiān)管，杜絕分散和尋租，確保每一分錢都用在刀刃上。
4. 深化產(chǎn)教融合，打造人才高地：集成電路是人才密集型產(chǎn)業(yè)。未來(lái)十年需進(jìn)一步支持北京大學(xué)軟件與微電子學(xué)院等國(guó)家示范性微電子學(xué)院建設(shè)，推動(dòng)高校與骨干企業(yè)聯(lián)合培養(yǎng)產(chǎn)業(yè)急需的復(fù)合型人才。對(duì)EDA、材料等基礎(chǔ)領(lǐng)域人才給予個(gè)稅減免、落戶等政策傾斜，增強(qiáng)行業(yè)吸引力，讓“星光”照亮產(chǎn)業(yè)前程。
五、 結(jié)語(yǔ)
未來(lái)十年，是中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)“臥薪嘗膽”、扎穩(wěn)根基的十年，也是從“中端”向“高端”發(fā)起總攻的十年。我們既要清醒認(rèn)識(shí)到技術(shù)封鎖的長(zhǎng)期性與復(fù)雜性，“丟掉幻想，準(zhǔn)備斗爭(zhēng)”；更要堅(jiān)定信心，基于14億人口的超大市場(chǎng)規(guī)模、全球最完整的制造業(yè)體系以及不斷增強(qiáng)的創(chuàng)新能力，沿著延續(xù)、拓展、超越、豐富摩爾的既定方向，一步一個(gè)腳印，構(gòu)建起自主可控、安全可靠的產(chǎn)業(yè)體系。這不僅關(guān)乎一個(gè)產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，更關(guān)乎中華民族偉大復(fù)興的進(jìn)程。中國(guó)芯，征途雖險(xiǎn)阻，前景必光明。
