3 月 11 日消息，IBM 美國當?shù)貢r間昨日宣布與半導體設備制造商泛林 (Lam Research) 就亞 1nm 尖端邏輯制程的開發(fā)達成合作，雙方為期 5 年的新協(xié)議將重點聚焦新材料、先進蝕刻 / 沉積工藝、High NA EUV 光刻的聯(lián)合開發(fā)。

兩家企業(yè)將結合 IBM 奧爾巴尼園區(qū)的先進研究能力和泛林的端到端工藝工具和創(chuàng)新技術，團隊將構建并驗證納米片和納米堆疊器件以及背面供電的完整工藝流程。這些能力旨在將 High NA EUV 圖案可靠地轉移到實際器件層中，實現(xiàn)高良率，并支持持續(xù)的微縮化、性能提升以及未來邏輯器件的可行量產(chǎn)路徑。

IBM 半導體總經(jīng)理 Mukesh Khare 表示：

十多年來，泛林一直是 IBM 的重要合作伙伴，為邏輯微縮和器件架構方面的關鍵突破做出了貢獻，例如納米片技術以及 IBM 于 2021 年發(fā)布的全球首款 2nm 節(jié)點芯片。我們很高興能夠擴大合作，共同應對下一階段的挑戰(zhàn)，以實現(xiàn)高數(shù)值孔徑極紫外光刻技術和 1nm 以下節(jié)點工藝。

泛林首席技術與可持續(xù)發(fā)展官 Vahid Vahedi 表示：

隨著行業(yè)進入 3D 微縮的新時代，進步取決于重新思考如何將材料、工藝和光刻技術整合為一個單一的高密度系統(tǒng)。我們很榮幸能夠與 IBM 在成功合作的基礎上，進一步推動 High NA EUV 干式光刻膠和工藝的突破，加速開發(fā)低功耗、高性能晶體管，這對于 AI 時代至關重要。