3 月 31 日消息，《韓國經濟日報》當地時間昨日援引業(yè)內消息報道稱，三星電子的晶圓代工業(yè)務已定下 2030 年前完成 1nm 級先進制程工藝 SF1.0 開發(fā)并轉移至量產階段的目標。
報道指出，SF1.0 將采用 forksheet 叉片晶體管器件結構，這是現(xiàn)有 nanosheet GAA 全環(huán)繞柵極晶體管的演化。其在標準 GAA 的基礎上新增介質壁，可進一步提升晶體管密度與性能，該結構又分為“內壁”與“外壁”兩種類型。
▲ 內壁 forksheet，介質壁位于 nMOS 與 pMOS 之間圖源：imec
▲ 外壁 forksheet，介質壁位于 p-n 結外側圖源：imec
此外報道提到，三星電子計劃 2027 年實現(xiàn) SF2P+ 工藝的商業(yè)化投產，而特斯拉的 AI6 芯片則將以 SF2T 工藝于 2027 年量產。
本站內容除特別聲明的原創(chuàng)文章之外，轉載內容只為傳遞更多信息，并不代表本網站贊同其觀點。轉載的所有的文章、圖片、音/視頻文件等資料的版權歸版權所有權人所有。本站采用的非本站原創(chuàng)文章及圖片等內容無法一一聯(lián)系確認版權者。如涉及作品內容、版權和其它問題，請及時通過電子郵件或電話通知我們，以便迅速采取適當措施，避免給雙方造成不必要的經濟損失。聯(lián)系電話：010-82306118；郵箱：aet@chinaaet.com。