4月1日，國際半導體產業(yè)協(xié)會（SEMI）在其最新300毫米晶圓（12英寸晶圓）制造展望中報告稱，預計全球300毫米晶圓設備支出將在2026年增長18%，達到1330億美元；2027年將繼續(xù)增長14%，達到1510億美元。這一強勁增長反映了數(shù)據(jù)中心和邊緣設備對AI芯片需求的激增，以及通過本地化工業(yè)生態(tài)系統(tǒng)和供應鏈重組，關鍵區(qū)域對半導體自給自足的日益承諾。展望未來，報告預測投資將持續(xù)增長3%，2028年達到1550億美元，2029年將再增長11%，達到1720億美元。

SEMI總裁兼首席執(zhí)行官Ajit Manocha表示：“人工智能正在重塑半導體制造投資的規(guī)模?！薄叭?00毫米晶圓設備支出預計2027年首次突破1500億美元，行業(yè)正對推動人工智能時代所需的先進產能和韌性供應鏈做出歷史性且持續(xù)的承諾?！?/p>

細分市場增長

邏輯與微元件（Micro Components，包括MCU、MPU、DSP）預計將在2027年至2029年間引領設備擴展，總投資總額達2280億美元，主要得益于代工廠需求強勁，這得益于2nm以下尖端產能投資。先進的節(jié)點技術對于提升芯片性能和能效至關重要，以滿足各種AI應用中嚴格的芯片設計要求。更先進的節(jié)點技術預計將在2027年至2029年間進入量產階段。此外，AI性能的提升預計將推動各種邊緣AI設備的巨大增長。除了先進節(jié)點外，所有節(jié)點和各種電子設備的需求預計將適度增長，支持對成熟節(jié)點的投資。

存儲領域預計在設備支出中排名第二，2027年至2029年總額為1750億美元。這一時期標志著該細分市場新增長周期的開始。在存儲類別中，DRAM設備支出預計從2027年至2029年累計達到1110億美元，而同期3D NAND設備的支出預計為620億美元。

由于人工智能訓練和推理，對存儲的需求顯著增加。人工智能訓練顯著推動了對高帶寬內存（HBM）的需求，而模型推斷則帶來了對存儲容量的巨大需求，從而推動了數(shù)據(jù)中心中NAND閃存應用的增長。這種強勁的需求促使短期和長期內存供應鏈持續(xù)大量投資，有助于緩解傳統(tǒng)內存周期波動帶來的潛在下行。

區(qū)域投資趨勢

預計全球300毫米晶圓設備投資將在2027年至2029年間廣泛分布于主要半導體制造區(qū)域，反映出先進節(jié)點擴展、內存容量增加以及政策支持的供應鏈本地化相結合的趨勢。中國大量、中國臺灣、韓國和美洲預計在該期間將有大量支出，而日本、歐洲和中東以及東南亞也在從較小的基礎繼續(xù)擴大投資。

中國投資預計將繼續(xù)受到國內產能擴充和國家級加強半導體制造能力舉措的支持。中國臺灣地區(qū)預計支出主要由前沿代工產能的持續(xù)擴展推動，包括2nm和2nm以下技術。韓國的投資前景仍與記憶領域緊密相關，該領域AI相關需求支持了新一輪產能和技術升級周期。在美洲，預計支出將以先進工藝擴展和加強國內制造生態(tài)系統(tǒng)的更廣泛努力為支撐。

日本、歐洲及中東以及東南亞也預計將在2029年實現(xiàn)顯著增長。在這些地區(qū)，設備投資得益于政府激勵措施、供應鏈韌性戰(zhàn)略以及有針對性的半導體制造能力擴展努力。