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融合GDT和MOV，Bourns打造創(chuàng)新型過(guò)壓保護(hù)器件

融合GDT和MOV，Bourns打造創(chuàng)在使用電子電氣設(shè)備的眾多惡劣環(huán)境中，雷電是其中的代表。我國(guó)某縣城的統(tǒng)計(jì)數(shù)據(jù)顯示，每年因雷電導(dǎo)致過(guò)壓造成的設(shè)備損壞占整體的70.11%，單一工作單位的損失就可達(dá)數(shù)十萬(wàn)元。再加上如今消費(fèi)者對(duì)于設(shè)備的功能要求越來(lái)越嚴(yán)苛和多樣，促使電路保護(hù)元件已經(jīng)從最開始的玻璃管保險(xiǎn)絲，發(fā)展成為龐大的電子元器件分支。為了幫助設(shè)備廠商應(yīng)對(duì)日益復(fù)雜多變的市場(chǎng)環(huán)境，提高產(chǎn)品市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力，全球知名的電子元器件制造與供貨商美國(guó)柏恩（Bourns）推出了GMOV?系列過(guò)電壓保護(hù)元件（以下簡(jiǎn)稱GMOV?系列）。新型過(guò)壓保護(hù)器件

發(fā)表于：8/13/2019

中國(guó)壓鑄展圓滿落幕諾瑞肯“鑄”力本土化發(fā)展

中國(guó)上海，2019年 8月12日——每年舉辦的中國(guó)國(guó)際壓鑄會(huì)議暨展覽會(huì)備受行業(yè)矚目，較高的專業(yè)性和知名度吸引了各大行業(yè)代表企業(yè)出席。此前，諾瑞肯集團(tuán)攜旗下四大品牌：迪砂（DISA）、意特佩雷斯高斯（Italpresse Gauss）、史杰克西（StrikoWestofen），以及維爾貝萊特（Wheelabrator）成功亮相了本屆中國(guó)壓鑄展，充分展示了其領(lǐng)先的行業(yè)水平和卓越的品牌實(shí)力。諾瑞肯從創(chuàng)新技術(shù)入手，引領(lǐng)壓鑄行業(yè)順應(yīng)終端市場(chǎng)的變革，這一發(fā)展方向與本屆展會(huì)的主題“高端壓鑄件制造技術(shù)的發(fā)展與多元化”不謀而合。

發(fā)表于：8/13/2019

關(guān)于芯片產(chǎn)業(yè)的未來(lái)，專家是這樣看的！

2019年度國(guó)際計(jì)算機(jī)體系結(jié)構(gòu)旗艦會(huì)議ISCA于6月在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城召開。6月23日與ISCA一起舉行的遠(yuǎn)景研討會(huì)（SIGARCH Visioning Workshop）吸引了上百位聽(tīng)眾。一方面是因?yàn)榇舜窝杏憰?huì)主題“面向下一代計(jì)算的敏捷開放硬件（Agile and Open Hardware for Next-Generation Computing）”是當(dāng)前體系結(jié)構(gòu)研究領(lǐng)域的前沿?zé)狳c(diǎn)，引起了很多人的關(guān)注；另一方面11位報(bào)告人中大牛云集，有圖靈獎(jiǎng)得主David Patterson教授，也有多位美國(guó)工程院院士加持，還有來(lái)自MIT、Berkeley、Stanford、UCSD、Google、Nvidia、DARPA等頂尖大學(xué)、企業(yè)和政府機(jī)構(gòu)的專家（自己成了唯一的一位來(lái)自美國(guó)以外的報(bào)告人，多少有些勢(shì)單力?。?。

發(fā)表于：8/11/2019

5G到底能給制造業(yè)帶來(lái)什么？

都說(shuō)5G是迎接工業(yè)4.0時(shí)代的前奏，5G“三超”（超高速、超大連接、超低時(shí)延）的關(guān)鍵能力，和萬(wàn)物互聯(lián)的應(yīng)用場(chǎng)景將開啟新一輪信息產(chǎn)業(yè)革命，5G技術(shù)已成為支撐智能制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。

發(fā)表于：8/11/2019

ADC的電源選型

ADC是一個(gè)敏感器件，要好好對(duì)待它的各個(gè)輸入端口，才能得到它本身的性能。常規(guī)的，我們會(huì)在輸入端加入抗混疊濾波器，時(shí)鐘端使用抖動(dòng)極低的時(shí)鐘芯片的輸出，那電源輸入端呢？

發(fā)表于：8/11/2019

氮化鎵半導(dǎo)體材料在5G時(shí)代的應(yīng)用前景

氮化鎵，分子式為GaN，是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料，并與SiC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的第三代半導(dǎo)體材料。

發(fā)表于：8/11/2019

氮化鎵在射頻領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)盤點(diǎn)

氮化鎵是一種二元III/V族直接帶隙半導(dǎo)體晶體，也是一般照明LED和藍(lán)光播放器最常使用的材料。另外，氮化鎵還被用于射頻放大器和功率電子器件。氮化鎵是非常堅(jiān)硬的材料;其原子的化學(xué)鍵是高度離子化的氮化鎵化學(xué)鍵，該化學(xué)鍵產(chǎn)生的能隙達(dá)到3.4 電子伏特。

發(fā)表于：8/11/2019

射頻氮化鎵市場(chǎng)前景分析

據(jù)麥姆斯咨詢介紹，近年來(lái)，GaN憑借高頻下更高的功率輸出和更小的占位面積，被射頻行業(yè)大量應(yīng)用。在電信基礎(chǔ)設(shè)施和國(guó)防兩大主要市場(chǎng)的推動(dòng)下，預(yù)計(jì)到2024年RF GaN整體市場(chǎng)規(guī)模將增長(zhǎng)至20億美元。

發(fā)表于：8/11/2019

電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展專利之爭(zhēng)全面開啟

電信和國(guó)防應(yīng)用推動(dòng)射頻氮化鎵(RF GaN)蓬勃發(fā)展。根據(jù)市調(diào)機(jī)構(gòu)Yole Développement調(diào)查指出，RF GaN產(chǎn)業(yè)于2017~2023年間的年復(fù)合增長(zhǎng)率達(dá)到23%。隨著工業(yè)不斷地發(fā)展，截至2017年底，RF GaN市場(chǎng)產(chǎn)值已經(jīng)接近3.8億美元，2023年將達(dá)到13億美元以上。

發(fā)表于：8/11/2019

氮化鎵的世界你知道多少？！

氮化鎵，分子式GaN，英文名稱Gallium nitride，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體。

發(fā)表于：8/11/2019

中國(guó)5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)分析（下）：重要企業(yè)與產(chǎn)品匯總

GaN-on-SiC 射頻器件的供應(yīng)商主要為 IDM 企業(yè)，核心產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié)包括 SiC 襯底材料制作、GaN 材料外延生長(zhǎng)、器件設(shè)計(jì)和制造、封裝測(cè)試。本文將從 SiC 襯底、GaN 材料外延、器件設(shè)計(jì)和制造三個(gè)環(huán)節(jié)來(lái)闡述。

發(fā)表于：8/11/2019

中國(guó)5G氮化鎵PA產(chǎn)業(yè)及市場(chǎng)分析（上）

　　GaN 是屬于異質(zhì)結(jié) HEMT（High Electron Mibility Transistro），異質(zhì)結(jié)就是利用一種比 GaN 禁帶寬度更高的(Al，Ga)GaN 與 GaN 組合在一起。　　由于(Al，Ga)GaN 和 GaN 的異質(zhì)結(jié)存在兩種極化效應(yīng)：自發(fā)極化(RSP)和壓電極化(RPE)，正是由于這兩種極化共同作用，所以在(Al，Ga)GaN 和 GaN 的界面處產(chǎn)生極化靜電荷，從而形成兩維電子氣（2DEG:2-D electron gas)，2DEG 的速度比普通的電子快 2.7 倍，因此其擁有更高的工作頻率。

發(fā)表于：8/11/2019

GaN（氮化鎵）適用于哪些關(guān)鍵領(lǐng)域？

半導(dǎo)體行業(yè)在摩爾定律的“魔咒”下已經(jīng)狂奔了50多年，一路上挾風(fēng)帶雨，好不風(fēng)光。不過(guò)隨著半導(dǎo)體工藝的特征尺寸日益逼近理論極限，摩爾定律對(duì)半導(dǎo)體行業(yè)的加速度已經(jīng)明顯放緩。

發(fā)表于：8/11/2019

藍(lán)寶石微講堂第五十三期-氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資分析（上篇）

2019“振華半導(dǎo)體”藍(lán)寶石&半導(dǎo)體上海高峰論壇，浙江品利基金的投資總監(jiān)王飛堯作為嘉賓為參會(huì)的各位行業(yè)同仁做了關(guān)于《氮化鎵芯片產(chǎn)業(yè)鏈投資分析》的專題報(bào)告。報(bào)告闡述了氮化鎵材料的特性及其應(yīng)用市場(chǎng)，并簡(jiǎn)要分析了不同硅、碳化硅、氮化鎵、藍(lán)寶石等基體材料對(duì)氮化鎵的應(yīng)用和影響。

發(fā)表于：8/11/2019

全球功率GaN產(chǎn)業(yè)鏈七大版塊及代表廠商一覽

在電源管理領(lǐng)域，隨著應(yīng)用對(duì)高壓和高性能的要求逐步提升，GaN（氮化鎵）越來(lái)越受到重視。從理論的角度來(lái)看，GaN提供了超越傳統(tǒng)硅MOSFET的技術(shù)優(yōu)勢(shì)。盡管目前的功率GaN市場(chǎng)與32.8億美元的硅電源管理市場(chǎng)相比顯得微不足道，但GaN器件正在向各應(yīng)用領(lǐng)域滲透，例如，LiDAR，這是高端應(yīng)用，可充分利用功率GaN的高頻開關(guān)特性。據(jù)Yole Développement預(yù)測(cè)，到2023年，功率GaN市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到4.23億美元，復(fù)合年增長(zhǎng)率（CAGR）為93％。

發(fā)表于：8/11/2019