消費電子最新文章 AMD與英偉達AI GPU需求推動FOPLP發(fā)展 AMD與英偉達需求推動FOPLP發(fā)展，預估量產(chǎn)時間落在2027-2028年 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英偉達H200芯片2024Q3大量交付 7 月 3 日消息，臺媒《工商時報》消息，英偉達 H200 上游芯片端于二季度下旬起進入量產(chǎn)期，預計在三季度以后開始大規(guī)模交付。 據(jù)此前報道，OpenAI 近日在舊金山舉辦了一場研討會，英偉達首席執(zhí)行官黃仁勛親自出席，共同宣布交付第一臺 Nvidia DGX H200。 H200 作為 H100 的迭代升級產(chǎn)品，基于 Hopper 架構(gòu)，首次采用了 HBM3e 高帶寬內(nèi)存技術(shù)，實現(xiàn)了更快的數(shù)據(jù)傳輸速度和更大的內(nèi)存容量，對大型語言模型應用表現(xiàn)出顯著優(yōu)勢。 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱三星電子將為移動處理器引入HPB冷卻技術(shù) 消息稱三星電子將為移動處理器引入 HPB 冷卻技術(shù)，有望率先用于 Exynos 2500 7 月 3 日消息，韓媒 The Elec 報道稱，三星電子 AVP 先進封裝業(yè)務團隊目標在今年四季度完成一項名為 FOWLP-HPB 的移動處理器用封裝技術(shù)的開發(fā)和量產(chǎn)準備。 發(fā)表于：7/4/2024 （更新：三星否認）消息稱三星HBM內(nèi)存芯片通過英偉達測試 消息稱三星 HBM 內(nèi)存芯片通過英偉達測試，將開始大規(guī)模生產(chǎn) 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱英特爾將為LGA1851平臺提供可選RL-ILM 消息稱英特爾將為 LGA1851 平臺提供可選 RL-ILM，解決 CPU 頂蓋彎曲問題 發(fā)表于：7/4/2024 消息稱中國公司開始大量訂購英偉達H20芯片 中國公司開始大量訂購英偉達H20芯片？ 發(fā)表于：7/4/2024 AMD 創(chuàng) STAC 基準測試最快電子交易執(zhí)行速度世界紀錄 AMD 與全球領(lǐng)先的高級交易和執(zhí)行系統(tǒng)提供商 Exegy 合作，取得了創(chuàng)世界紀錄的 STAC-T0 基準測試結(jié)果，實現(xiàn)了最低 13.9 納秒 ( ns ) 的交易執(zhí)行操作時延。相比此前的記錄，這一結(jié)果可令 tick-to-trade 時延至多降低 49%，是迄今為止發(fā)布的最快 STAC-T0 基準測試結(jié)果①。此前的最高速度記錄為 24.2 納秒，同樣來自采用 AMD 加速卡的參考設(shè)計①。 發(fā)表于：7/3/2024 三星與大唐移動專利糾紛達成和解 三星與大唐移動專利糾紛達成和解 發(fā)表于：7/3/2024 天津諾思與安華高纏斗9年后達成和解 纏斗9年，天津諾思與安華高達成和解！ 發(fā)表于：7/3/2024 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光 Intel下代接口LGA1851完整布局曝光：PCIe、USB一覽無余 發(fā)表于：7/3/2024 消息稱三星電子正研發(fā)3.3D先進封裝技術(shù) 消息稱三星電子正研發(fā)“3.3D先進封裝技術(shù)，目標 2026 年二季度量產(chǎn) 發(fā)表于：7/3/2024 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 三星第9代V-NAND金屬布線量產(chǎn)工藝被曝首次使用鉬技術(shù) 發(fā)表于：7/3/2024 Intel官宣放棄傲騰持久內(nèi)存200系列 傲騰神話終結(jié)！Intel官宣放棄傲騰持久內(nèi)存200系列 發(fā)表于：7/3/2024 傳下半年旗艦手機SoC全面采用N3E制程 傳下半年旗艦手機SoC全面采用N3E制程 發(fā)表于：7/3/2024 Kimi首發(fā)“上下文緩存”技術(shù) 月之暗面宣布 Kimi 開放平臺正式公測新技術(shù)——上下文緩存（Context Caching），該技術(shù)在 API 價格不變的前提下，可為開發(fā)者降低最高 90% 的長文本大模型使用成本，并且顯著提升模型的響應速度。 發(fā)表于：7/2/2024 ?…79808182838485868788…?
