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業(yè)界動態(tài)

臺積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能持續(xù)提高

臺積電CoWoS先進(jìn)封裝產(chǎn)能持續(xù)提高，2026年將達(dá)目前4倍

發(fā)表于：11/28/2024 9:18:21 AM

韓國計(jì)劃提供100億美元低息貸款支持本土半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展

11月27日消息，據(jù)路透社報(bào)導(dǎo)，韓國財(cái)政部近日表示，計(jì)劃明年推出14萬億韓元（約100億美元）的低息貸款，以支持韓國半導(dǎo)體業(yè)面臨中國競爭和美國新政府的不確定性。

發(fā)表于：11/28/2024 9:09:57 AM

IDC：華為百度領(lǐng)跑2023年中國工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺市場

11月27日消息（顏翊）近日，國際數(shù)據(jù)公司（IDC）發(fā)布報(bào)告顯示，2023年，受到下游不景氣等影響，中國工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)平臺企業(yè)側(cè)市場規(guī)模達(dá)到196.5億元人民幣，同比增長1.9%，市場整體仍呈現(xiàn)高度碎片化格局，CR7未超過30%。市場份額排名前五位的廠商依次為華為、百度、浪潮云洲、阿里巴巴、新華三。

發(fā)表于：11/28/2024 9:01:15 AM

三星電子官宣2025年度重大組織與高管結(jié)構(gòu)調(diào)整

三星電子還更換了 DS 部 Foundry 業(yè)務(wù)部的負(fù)責(zé)人，用 Han Jinman 替代崔時榮（注：Choi Siyoung），并由 Nam Seok Woo 擔(dān)任新設(shè)立的 Foundry 業(yè)務(wù)部總裁級 CTO。

發(fā)表于：11/27/2024 1:51:40 PM

2024年Q3全球半導(dǎo)體企業(yè)營收排行發(fā)布

據(jù)WSTS 報(bào)告稱，2024 年第三季度半導(dǎo)體市場增長 1660 億美元，較 2024 年第二季度增長 10.7%，這是自八年前 2016 年第三季度 11.6% 以來的最高環(huán)比增幅。此外，2024 年第三季度同比增長 23.2%，是自 2021 年第四季度 28.3% 以來的最高同比增長。在各大企業(yè)方面，憑借在 AI GPU 領(lǐng)域的實(shí)力，英偉達(dá)仍是 2024 年第三季度最大的半導(dǎo)體公司，營收達(dá) 351 億美元。三星半導(dǎo)體以 220 億美元的收入位居第二，AI 服務(wù)器內(nèi)存被認(rèn)為是主要的收入驅(qū)動因素。博通位居第三，其 2024 年第三季度的預(yù)期為 140 億美元，AI 半導(dǎo)體倍成為重要增長動力。此外，英特爾和 SK海力士位列前五。

發(fā)表于：11/27/2024 1:40:13 PM

2024Q3全球DRAM市場營收260.2億美元

11月26日消息，市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce發(fā)布最新研究報(bào)告稱，雖然受中國手機(jī)業(yè)者去化庫存和陸系DRAM供應(yīng)商擴(kuò)產(chǎn)，以及三大DRAM原廠的LPDDR4及DDR4出貨量下降影響，但供應(yīng)數(shù)據(jù)中心的DDR5及HBM需求上升，推動今年第三季DRAM市場營收環(huán)比增長13.6%至260.2億美元。

發(fā)表于：11/27/2024 1:01:10 PM

初步解析華為Mate 70系列供應(yīng)商有哪些

11月26日下午，在“華為Mate品牌盛典”上，華為常務(wù)董事、終端BG董事長、智能汽車解決方案BU董事長余承東正式發(fā)布了華為Mate 70系列，不僅帶來了新一代麒麟9020芯片和原生鴻蒙操作系統(tǒng)，還首發(fā)了衛(wèi)星尋呼功能，售價5499元起。

發(fā)表于：11/27/2024 11:20:13 AM

國產(chǎn)首顆全電推通信衛(wèi)星亞太6E在軌交付印尼

11 月 26 日消息，中國長城工業(yè)集團(tuán)有限公司和亞太星聯(lián)衛(wèi)星有限公司今日在香港舉行亞太 6E 衛(wèi)星在軌交付儀式，標(biāo)志著國產(chǎn)首顆全電推通信衛(wèi)星 —— 亞太 6E 正式在軌交付。

發(fā)表于：11/27/2024 11:11:50 AM

三星3D NAND閃存工藝取得重大突破

11 月 26 日消息，韓媒 The Elec 今天（11 月 26 日）發(fā)布博文，報(bào)道稱三星電子在生產(chǎn) 3D NAND 閃存方面取得重大突破，在其中光刻工藝中大幅縮減光刻膠（PR）用量，降幅達(dá)到此前用量的一半。

發(fā)表于：11/27/2024 11:02:05 AM

我國新型電力量測設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)取得突破

11 月 27 日消息，電力關(guān)鍵信息基礎(chǔ)設(shè)施是網(wǎng)絡(luò)安全的重中之重，關(guān)系到國家能源安全與社會穩(wěn)定大局。據(jù)科技日報(bào)，中國電力科學(xué)研究院牽頭的“基于自主操作系統(tǒng)的電力量測設(shè)備關(guān)鍵技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用”項(xiàng)目現(xiàn)取得重大突破。

發(fā)表于：11/27/2024 10:53:51 AM