頭條 英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性 【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。 最新資訊 采用塑料封裝和IMS襯底的混合動力汽車功率IGBT模塊 采用塑料封裝和IMS襯底的混合動力汽車功率IGBT模塊 發(fā)表于：2/11/2012 基于DSP的晶閘管數(shù)字觸發(fā)器的研究與設(shè)計(jì) 極向場電源原有的模擬觸發(fā)板受速度和性能限制，控制精度和實(shí)時性不夠理想，無法60o改變一次α角，大多的數(shù)字觸發(fā)器由過零檢測、計(jì)數(shù)器、脈沖分配器組成，本文設(shè)計(jì)了一種以DSP為控制核心的數(shù)字觸發(fā)器，大大簡化了硬件電路的組成，提高了控制精度和實(shí)時性，并且軟件易于調(diào)試，調(diào)節(jié)范圍靈活。 發(fā)表于：2/11/2012 可控硅(晶閘管)的檢測方法 可控硅（SCR）國際通用名稱為Thyyistoy，中文簡稱晶閘管。它能在高電壓、大電流條件下工作，具有耐壓高、容量大、體積小等優(yōu)點(diǎn)，它是大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用在電力、電子線路中。 發(fā)表于：2/11/2012 高壓變頻器控制器的電磁兼容設(shè)計(jì) 設(shè)備或系統(tǒng)在其電磁環(huán)境中能正常工作且不對該環(huán)境中任何事物構(gòu)成不能承受的電磁騷擾的能力。 發(fā)表于：2/11/2012 直下式LED背光源的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 背光源實(shí)際方案及達(dá)到的技術(shù)效果。并通過對一款47inLED背光源的設(shè)計(jì)和制作。進(jìn)行了詳細(xì)的闡述。測試結(jié)果為中心亮度11，230nits、整體功耗178W、均勻度96.26%、色彩還原性達(dá)到NTSC標(biāo)準(zhǔn)的128.15%.遠(yuǎn)遠(yuǎn)超過了CCFL背光源的70%. 發(fā)表于：2/11/2012 多模式開關(guān)電源控制芯片的低功耗設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn) 針對降低多模式開關(guān)電源控制芯片在輕載與待機(jī)工作模式下功耗，提高其全負(fù)載條件下工作效率的需要，提出一種開關(guān)電源控制芯片供電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案，實(shí)現(xiàn)了其在啟動、關(guān)斷、重載、輕載以及待機(jī)等各種工作情況下的高效率低功耗工作。該供電系統(tǒng)主要包括欠壓鎖定電路、數(shù)字模塊電源單元和兩種不同的模擬模塊電源單元，以及狀態(tài)檢測模塊和模式控制邏輯單元，能夠?qū)崿F(xiàn)電源的上電、掉電控制，同時能夠根據(jù)電源的負(fù)載條件控制各模塊的開通關(guān)斷以實(shí)現(xiàn)低功耗工作。該系統(tǒng)已應(yīng)用于綠色多模式反激式開關(guān)控制器的設(shè)計(jì)中，取得了提高電源效率、降低待機(jī)功耗的作用。芯片采用1.5 um BiCMOS工藝設(shè)計(jì)制成。測試表明，所設(shè)計(jì)電源的各項(xiàng)指標(biāo)均已達(dá)到設(shè)計(jì)要求。 發(fā)表于：2/11/2012 NXPSSL21081LED驅(qū)動器參考設(shè)計(jì) NXP公司的SSL2108x系列是用于通用照明的高壓LED驅(qū)動器,效率高達(dá)95%,具有低成本的材料清單(BOM)和小的PCB占位面積,容易實(shí)現(xiàn)緊湊的解決方案.SSL2108x系列集成了欠壓鎖住(UVLO),前沿消隱(LEB),過流保護(hù)(OCP),繞組短路保護(hù)(SWP)和內(nèi)部超溫保護(hù)(OTP).本文介紹了SSL2108X主要特性和優(yōu)勢,方框圖,幾種應(yīng)用電路以及SSL21081LED驅(qū)動器參考板主要特性,電路圖和材料清單. 發(fā)表于：2/11/2012 鋰電池萬能充電器設(shè)計(jì)解析 鋰電池萬能充電器設(shè)計(jì)具有電池極性自動識別電路，免去了以往需要人工轉(zhuǎn)換極性的操作，使用起來更加方便。 發(fā)表于：2/11/2012 帶反并聯(lián)二極管IGBT中的二極管設(shè)計(jì) 反并聯(lián)二極管的正確設(shè)計(jì)需要考慮各種因素。其中一些與自身技術(shù)相關(guān)，其它的與應(yīng)用相關(guān)。但是，正向壓降Vf 、反向恢復(fù)電荷Qrr 以及Rth與Zth散熱能力最終將構(gòu)成一種三角關(guān)系。 發(fā)表于：2/10/2012 IGBT集成驅(qū)動模塊的研究 簡要介紹了絕緣柵雙極晶體管IGBT驅(qū)動保護(hù)電路的原則，詳細(xì)分析了多種常用的ICBT集成驅(qū)動模塊的特性，并進(jìn)行了比較。 發(fā)表于：2/10/2012 ?…1072107310741075107610771078107910801081…?
