人人添人人妻人人爽夜欢视av,蜜桃视频欧美一区二区国产,欧美熟妇XXXXX

頭條

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

英飛凌與羅姆攜手推進(jìn)SiC功率器件封裝兼容性

【2025年9月25日，德國慕尼黑與日本京都訊】全球功率系統(tǒng)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（總部位于德國諾伊比貝格，以下簡(jiǎn)稱“英飛凌”）今日宣布，與全球知名半導(dǎo)體制造商羅姆（總部位于日本京都市）就建立SiC功率器件封裝合作機(jī)制簽署了備忘錄。

程控直流電源的設(shè)計(jì)

LM317是一款輸出可變電壓的三端穩(wěn)壓塊，通過調(diào)節(jié)控制端電壓，而改變輸出端的電壓，LM317的控制端電壓與輸出端電壓的基準(zhǔn)電壓約為1.25V. 只要給輸出端-1.25-13.75V的電壓值，我們就可以得到0-15V的輸出電壓。控制端電壓我們可以通過單片機(jī)最小系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)智能控制，將DA信號(hào)運(yùn)算放大調(diào)整到-1.25-13.75V。

發(fā)表于：12/17/2011

一種MID電源管理解決方案

MID(mobile Internet Devices)是一種結(jié)合行動(dòng)電話、數(shù)字相機(jī)與平板計(jì)算機(jī)的行動(dòng)上網(wǎng)裝置。AME的LDO、Step-Down DC/DC Converter可提供穩(wěn)定的電源與高轉(zhuǎn)換效率，并具有OCP、OTP保護(hù)設(shè)計(jì)，提高產(chǎn)品的穩(wěn)定性與效能，讓使用者能體驗(yàn)MID行動(dòng)上網(wǎng)帶來的便利與影音享受。

發(fā)表于：12/17/2011

改變電源頻率降低EMI性能

本文這種方法涉及了對(duì)電源開關(guān)頻率的調(diào)制，以引入邊帶能量，并改變窄帶噪聲到寬帶的發(fā)射特征，從而有效地衰減諧波峰值。需要注意的是，總體EMI性能并沒有降低，只是被重新分布了。

發(fā)表于：12/17/2011

茅于海：深入分析LED光衰的重要原因

現(xiàn)在大家開始意識(shí)到，光衰是大功率LED路燈不能長(zhǎng)期工作的主要原因，也開始認(rèn)識(shí)到降低光衰的一個(gè)重要方法就是改進(jìn)其散熱。盡管如此，從這次深圳市燈光環(huán)境管理中心對(duì)各種路燈的測(cè)試結(jié)果來看，仍然有大多數(shù)路燈的光衰是不能滿足使用要求的。

發(fā)表于：12/17/2011

多電源系統(tǒng)的監(jiān)控和時(shí)序控制

現(xiàn)今，電子系統(tǒng)往往具有許多不同的電源軌。在采用模擬電路和微處理器、DSP、ASIC、FPGA的系統(tǒng)中，尤其如此。為實(shí)現(xiàn)可靠、可重復(fù)的操作，必須監(jiān)控各電源電壓的開關(guān)時(shí)序、上升和下降速率、加電順序以及幅度。既定的電源系統(tǒng)設(shè)計(jì)可能包括電源時(shí)序控制、電源跟蹤、電源電壓/電流監(jiān)控和控制。

發(fā)表于：12/17/2011

二級(jí)保護(hù)器件協(xié)助功率系統(tǒng)防止熱失控引起的損壞

我們家庭、辦公室和車輛中電力電子應(yīng)用的持續(xù)增長(zhǎng)，推動(dòng)著走向新材料和更高效率電源組件這一趨勢(shì)的發(fā)展。高功率、高溫的應(yīng)用帶來了對(duì)電力電子系統(tǒng)更大的需求，從而導(dǎo)致了器件因長(zhǎng)期暴露在各種惡劣環(huán)境中出現(xiàn)故障而引起潛在的多種嚴(yán)重?zé)釂栴}的可能各種。因此，現(xiàn)在大多數(shù)工業(yè)電子和消費(fèi)電子設(shè)備中采用了熱保護(hù)器件，以提高可靠性和安全性。

發(fā)表于：12/17/2011

功率器件IGBT在不間斷電源（UPS）中的應(yīng)用

在UPS 中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT 既有功率MOSFET 易于驅(qū)動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT 成為UPS 功率設(shè)計(jì)的首選，只有對(duì)IGBT的特性充分了解和對(duì)電路進(jìn)行可靠性設(shè)計(jì)，才能發(fā)揮IGBT 的優(yōu)點(diǎn)。本文介紹UPS 中的IGBT 的應(yīng)用情況和使用中的注意事項(xiàng)。

發(fā)表于：12/17/2011

高效率雙通道同步降壓型控制器提供完整的 DDR 電源解決方案并符合 DDR1 / DDR2 / DDR3 標(biāo)準(zhǔn)要求

凌力爾特公司 (Linear Technology Corporation) 推出高效率雙輸出同步降壓型 DC/DC 控制器 LTC3876，該器件為 DDR1 / DDR2 / DDR3 以及未來的標(biāo)準(zhǔn)存儲(chǔ)器應(yīng)用產(chǎn)生 VDDQ 電源電壓、VTT 總線終端電壓和 VTTR 基準(zhǔn)電壓。第一個(gè)通道的輸出產(chǎn)生 VDDQ，并可在電流高達(dá) 25A 時(shí)，在 2.5V 直至 1V 的范圍內(nèi)設(shè)定 VDDQ。第二個(gè)通道的輸出產(chǎn)生 VTT，并提供卓越的負(fù)載調(diào)節(jié)準(zhǔn)確度和效率。一個(gè)內(nèi)部 LDO 提供準(zhǔn)確度為 ±1.2% 的 VTTR 基準(zhǔn)。VTT 和 VTTR 均可用一個(gè)內(nèi)部電阻分壓器設(shè)定為等于 VDDQ 電源電壓的一半，并在 1.25V 至 0.5V 的范圍內(nèi)工作，以支持所有 DDR 標(biāo)準(zhǔn)。VTT 電源能提供對(duì)稱的輸出電流能力，在 VTT 為 ±25A (提供 / 吸收) ，而在 VTTR 則為 ±50mA。

發(fā)表于：12/16/2011

雙ARM7SoC參考設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn)多電壓AVS

電壓調(diào)節(jié)技術(shù)與頻率調(diào)節(jié)技術(shù)的結(jié)合使用為時(shí)鐘切換添加了新原則，以確保新時(shí)鐘頻率擁有安全的電壓電平。此外，電壓調(diào)節(jié)功能需要在SoC內(nèi)創(chuàng)建電壓域。這將在兩個(gè)可變電壓域之間或可變電壓域和靜態(tài)電壓域之間創(chuàng)建電壓域接口?？缭浇涌诘目勺冸妷弘娖讲顬榻涌谠O(shè)計(jì)帶來了獨(dú)特挑戰(zhàn)。時(shí)鐘、信號(hào)電平轉(zhuǎn)換以及電壓域隔離等問題都必須仔細(xì)考慮，以確保最短延遲和信號(hào)完整性。

發(fā)表于：12/16/2011

電源設(shè)計(jì)小貼士 41：DDR 內(nèi)存電源

CMOS 邏輯系統(tǒng)的功耗主要與時(shí)鐘頻率、系統(tǒng)內(nèi)各柵極的輸入電容以及電源電壓有關(guān)。器件形體尺寸減小后，電源電壓也隨之降低，從而在柵極層大大降低功耗。這種低電壓器件擁有更低的功耗和更高的運(yùn)行速度，允許系統(tǒng)時(shí)鐘頻率升高至千兆赫茲級(jí)別。在這些高時(shí)鐘頻率下，阻抗控制、正確的總線終止和最小交叉耦合，帶來高保真度的時(shí)鐘信號(hào)。傳統(tǒng)上，邏輯系統(tǒng)僅對(duì)一個(gè)時(shí)鐘沿的數(shù)據(jù)計(jì)時(shí)，而雙倍數(shù)據(jù)速率(DDR) 內(nèi)存同時(shí)對(duì)時(shí)鐘的前沿和下降沿計(jì)時(shí)。它使數(shù)據(jù)通過速度翻了一倍，且系統(tǒng)功耗增加極少。

發(fā)表于：12/16/2011