基于電流補償?shù)牡碗娫丛肼昉WM振蕩器設計
所屬分類：技術論文
上傳者：aet
文檔大小：435 K
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文檔介紹：基于CSMC 0.18 μm工藝，介紹了一種應用于LED驅動芯片內部的PWM振蕩器電路。采用雙低壓線性穩(wěn)壓器（LDO）結構，針對傳統(tǒng)PWM振蕩器高頻振蕩時因內部時延造成輸出占空比偏差嚴重的問題，通過電流雙向補償技術，在保持電路振蕩頻率不變的情況下，消除了內部時延對輸出占空比的影響；利用高PSRR帶隙基準為電路提供基準電壓，抑制電源噪聲。仿真結果表明，該振蕩器輸出頻率為200 Hz~20 MHz，在固定頻率下占空比可從10%~90%連續(xù)變化，電源電壓抑制比為110 dB。
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