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三星电子计划2027年推出0a nm DDR内存
發(fā)表于：2024/9/6 上午10:30:57
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三星电子宣布中国销售部门裁员130人
發(fā)表于：2024/9/5 上午10:53:29
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三星电子HBM3E内存已获英伟达验证
發(fā)表于：2024/9/4 上午9:33:36
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消息称三星电子测试TEL公司Acrevia GCB设备以改进EUV光刻工艺
發(fā)表于：2024/9/4 上午8:11:01
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消息称三星电子SK海力士堆叠式移动内存2026年后商业化
發(fā)表于：2024/9/3 上午11:36:23
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消息称三星电子确认平泽P4工厂1c nm DRAM内存产线投资
發(fā)表于：2024/8/13 上午10:39:10
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三星芯片主管警告：不改革将陷入“恶性循环”
發(fā)表于：2024/8/2 上午8:16:00
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罢工已两周，消息称三星电子劳资双方薪资谈判未取得进展
發(fā)表于：2024/7/24 上午9:02:00
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三星电子2024年底量产256GB CXL 2.0内存模块
發(fā)表于：2024/7/18 下午9:22:00
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消息称三星电子以自家4nm先进工艺打造HBM4内存逻辑芯片
發(fā)表于：2024/7/16 下午6:55:00
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三星电子计划在HBM4世代为客户开发多样化定制HBM内存
發(fā)表于：2024/7/11 上午9:15:00
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消息称三星电子正研发3.3D先进封装技术
發(fā)表于：2024/7/3 上午8:37:00
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三星电子存储部门宣布进行重组
發(fā)表于：2024/6/20 上午8:35:37
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三星决定投资GPU正面与NVIDIA竞争
發(fā)表于：2024/6/19 上午8:30:46
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消息称三星正考虑将得州工厂工艺规划从4nm改为2nm
發(fā)表于：2024/6/19 上午8:30:25
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消息称三星将推出HBM三维封装技术SAINT-D
發(fā)表于：2024/6/18 上午8:38:45
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三星宣布其首个背面供电工艺节点SF2Z将于2027年量产
發(fā)表于：2024/6/13 上午8:59:26
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三星电子计划2025年完成4F2 VCT DRAM原型开发
發(fā)表于：2024/5/22 上午8:58:25
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消息称三星电子8层堆叠HBM3E内存尚未正式通过英伟达验证
發(fā)表于：2024/5/14 上午8:39:21
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三星电子解散Bot Fit机器人业务团队
發(fā)表于：2024/5/14 上午8:39:20
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消息称SK海力士三星电子陆续停产DDR3内存
發(fā)表于：2024/5/13 上午10:55:06
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消息称三星电子已提前组建1dnm内存技术开发团队
發(fā)表于：2024/5/10 上午9:00:16
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三星电子深化与蔡司在EUV光刻和先进半导体设备合作
發(fā)表于：2024/4/30 上午8:55:22
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三星电子：4nm 节点良率趋于稳定
發(fā)表于：2024/4/30 上午8:55:11
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三星获美国至多64亿美元补贴于得克萨斯建2nm晶圆厂
發(fā)表于：2024/4/16 上午8:50:39
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韩国半导体大厂相继开启氖气回收计划
發(fā)表于：2024/4/16 上午8:50:00
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SK 海力士、三星电子有望于年内先后启动1c纳米DRAM内存量产
發(fā)表于：2024/4/9 下午11:09:13
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存储芯片大反弹，三星一季度利润暴涨近10倍
發(fā)表于：2024/4/8 上午10:29:37
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三星SSD价格二季度将上调20-25%
發(fā)表于：2024/4/2 上午9:08:41
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三星升级HBM团队以加速AI推理芯片Mach-2开发
發(fā)表于：2024/4/1 上午9:51:00
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