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减慢开关转换时要谨慎
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【技术文章】准确测量开关损耗
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Littelfuse新推经过扩展的碳化硅肖特基二极管产品系列， 可降低开关损耗，提高效率和耐用性
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基于Saber的有源箝位反激电路设计与仿真
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IGBT模块开关损耗计算方法综述
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英飞凌推出新型 IGBT，将工作在 50Hz 至 20kHz 下的总功耗成功降至最低水平
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电源开关设计秘笈30例1——为您的电源选择正确的工作频率
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用于未来轨道牵引电路的双SiC MOSFET 模块的特性检测
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Littelfuse新一代Multipulse™ SIDAC器件优化最新的卤化物灯点火电路设计
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用于太阳能逆变器的 650V IGBT：效率不降低，阻断电压更高
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零电压开关技术在降压稳压器上的应用
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基于杂散电感对高效IGBT4逆变器设计的影响
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论述如何控制IGBT逆变器设计中的杂散电感
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业界首家！无肖特基势垒二极管的SiC-MOS模块开始量产
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飞兆半导体的碳化硅(SiC)解决方案为功率转换系统提供 业界领先的效率和更高的可靠性
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安森美半导体扩充用于电机控制、太阳能及不断间电源应用的 高性能沟槽型场截止IGBT阵容
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罗姆于世界首次实现SiC-SBD与SiC-MOSFET的一体化封装，并开始量产
發(fā)表于：2012/6/14 下午2:41:46
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为D类放大器选取合适的参数
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一种新型的自动恒流放电系统的研制
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IGBT选型需要注意诸多事项
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如何为电源选择正确的工作频率
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开关电源的最大效率验证和检定
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新型MOSFET在升压变换器中减少开关损耗的解决方案
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一种用于高效率太阳能逆变器的新型紧凑型功率模块系列
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