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东京大学研发掺镓氧化铟晶体取代硅材料
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传统晶体管的极限 台积电3nm N3P已量产 N3X马上来
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英飞凌推出采用新型硅封装的 CoolGaN™ G3晶体管
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TechInsights发布台积电2nm和Intel 18A工艺细节对比
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苹果A系列芯片10年晶体管数量增长19倍
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三极管的重要参数介绍
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台积电首次公开2nm工艺的关键技术细节和性能指标
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英飞凌推出提升消费和工业应用性能的CoolGaN 700 V功率晶体管
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晶体管成本10年前已停止下降 摩尔定律定格 28nm
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1530亿晶体管:AMD发布史上最大、最强芯片！
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硅的潜在设计——MoS 2或 WSe 2沟道
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聚硫酸盐可广泛用于各种高性能电子元件的原料
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超导性在“魔角”石墨烯中开启和关闭
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教程：反馈电路分析方法详解
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中科院微电子所在晶体管器件物理领域取得进展
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直流输入光晶体管耦合器MPC356引脚图及功能
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2030单颗芯片容纳1万亿晶体管，中国科学家设计1nm晶体管惊艳全世界
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集成高 k 钙钛矿氧化物和二维半导体的新型晶体管
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芯片互联的大麻烦
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