三星 相關(guān)文章(5306篇)
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三星兩名芯片工人遭受輻射：造成事故機(jī)器已停用
發(fā)表于：2024/5/31 9:00:25
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消息稱SK海力士將在1c DRAM生產(chǎn)中采用新型光刻膠
發(fā)表于：2024/5/30 11:13:05
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英特爾三星正尋求玻璃芯片技術(shù)挑戰(zhàn)臺(tái)積電
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:36
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NAND Flash開始邁向300層
發(fā)表于：2024/5/29 8:36:15
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三星否認(rèn)自家HBM內(nèi)存芯片未通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：2024/5/27 8:50:40
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消息稱三星首款可穿戴機(jī)器人Bot Fit已完成開發(fā)
發(fā)表于：2024/5/27 8:50:29
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韓國政府斥資26萬億韓元扶持芯片產(chǎn)業(yè)
發(fā)表于：2024/5/24 15:11:30
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三星顯示QD-OLED顯示器累計(jì)出貨量達(dá)100萬臺(tái)
發(fā)表于：2024/5/24 14:40:15
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三星HBM內(nèi)存芯片因發(fā)熱和功耗問題未通過英偉達(dá)測試
發(fā)表于：2024/5/24 14:14:24
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三星3nm芯片下半年量產(chǎn) Galaxy S25全球首發(fā)
發(fā)表于：2024/5/23 8:38:18
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三星已啟動(dòng)2nm應(yīng)用芯片項(xiàng)目 計(jì)劃2025年量產(chǎn)
發(fā)表于：2024/5/23 8:38:06
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三星計(jì)劃用第二代3nm爭取英偉達(dá)
發(fā)表于：2024/5/22 8:58:23
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三星與ARM牽手推動(dòng)6G關(guān)鍵技術(shù) 網(wǎng)速1TB/s
發(fā)表于：2024/5/22 8:58:09
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機(jī)構(gòu)：2024年底前HBM將占先進(jìn)制程比例為35%
發(fā)表于：2024/5/21 8:50:16
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量子點(diǎn)自發(fā)光 三星顯示展示18.2英寸QD-LED顯示面板
發(fā)表于：2024/5/16 8:35:16
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三星SK海力士將超過20%的DRAM產(chǎn)線轉(zhuǎn)換為HBM
發(fā)表于：2024/5/15 8:39:29
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HBM4內(nèi)存競爭已達(dá)白熱化
發(fā)表于：2024/5/15 8:39:14
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消息稱三星電子放棄自動(dòng)駕駛汽車研究項(xiàng)目
發(fā)表于：2024/5/11 8:39:35
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消息稱蘋果已與三星簽署協(xié)議為首款折疊iPhone提供顯示屏物料
發(fā)表于：2024/5/11 8:39:15
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三星AI推理芯片Mach-1即將原型試產(chǎn)
發(fā)表于：2024/5/10 9:00:27
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三星：僅用1年就制霸全球OLED顯示器市場
發(fā)表于：2024/5/9 8:28:38
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全球TOP10芯片巨頭Q1業(yè)績最新出爐
發(fā)表于：2024/5/9 8:28:12
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三星開始量產(chǎn)首款3nm Exynos芯片
發(fā)表于：2024/5/8 11:16:39
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三星組建百人工程師團(tuán)隊(duì)爭奪英偉達(dá)下一代AI芯片訂單
發(fā)表于：2024/5/8 11:16:32
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三星GAA工藝高性能移動(dòng)SoC成功生產(chǎn)流片
發(fā)表于：2024/5/7 8:50:50
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三星目標(biāo)2025年量產(chǎn)2nm工藝：性能和效率顯著提升
發(fā)表于：2024/5/6 9:12:27
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英偉達(dá)疑煽動(dòng)三星SK海力士價(jià)格競爭
發(fā)表于：2024/5/6 9:12:00
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消息稱三星計(jì)劃量產(chǎn)的1c DRAM使用MOR光刻膠
發(fā)表于：2024/4/30 8:55:20
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三星在德國被判侵犯大唐4G專利
發(fā)表于：2024/4/29 8:58:42
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華星光電有望年內(nèi)宣布8.6代OLED生產(chǎn)線計(jì)劃
發(fā)表于：2024/4/29 8:58:01
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