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功率mosfet
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Littelfuse推出高性能超级结X4-Class 200V功率MOSFET
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英飞凌发布StrongIRFET™ 2功率MOSFET 30V产品组合
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英飞凌推出用于功率MOSFET的新型SSO10T TSC顶部冷却封装
發(fā)表于:2024/4/12 下午5:11:00
英飞凌推出采用PQFN 2x2封装的OptiMOSTM 5 25 V 和 30 V功率MOSFET,树立技术新标准
發(fā)表于:2022/3/15 下午6:04:24
英飞凌推出全新的OptiMOS™源极底置功率MOSFET
發(fā)表于:2022/2/16 上午9:26:45
英飞凌OptiMOS源极底置功率MOSFET系列新添PQFN封装的40 V装置
發(fā)表于:2020/11/4 上午10:05:00
英飞凌联合Schweizer开发出面向轻度混合动力汽车的芯片嵌入式功率MOSFET
發(fā)表于:2019/5/15 下午4:10:01
减少交通碳排放:大陆集团率先在48 V轻混系统中采用英飞凌及Schweizer联合开发的创新技术
發(fā)表于:2019/5/14 下午4:49:45
稳健的汽车40V 功率MOSFET提高汽车安全性
發(fā)表于:2019/1/22 上午1:13:00
功率MOSFET并联应用
發(fā)表于:2018/8/14 下午5:11:37
ST推出5x6mm双面散热微型封装汽车级功率MOSFET管
發(fā)表于:2017/5/28 下午9:10:00
英飞凌推出支持高压、高速IGBT和功率MOSFET的IRS2005
發(fā)表于:2015/12/12 下午10:44:00
e络盟为亚太区新增英飞凌革命性的COOLMOS™系列功率MOSFET
發(fā)表于:2014/8/7 下午4:44:48
Vishay新款TrenchFET®功率MOSFET再度刷新业内最低导通电阻记录
發(fā)表于:2014/3/28 上午10:29:10
Vishay的新款超小外形尺寸的TrenchFET® Gen III P沟道功率MOSFET具有极低导通电阻
發(fā)表于:2013/9/6 上午9:29:32
意法半导体(ST)的功率创新技术可减少相当于数千辆汽车尾气排放量的温室气体
發(fā)表于:2013/4/2 上午11:02:33
恩智浦推出针对热插拔应用的新一代功率MOSFET
發(fā)表于:2013/1/24 下午4:27:18
Vishay Siliconix推出业内最低导通电阻的TrenchFET®功率MOSFET
發(fā)表于:2013/1/14 下午4:48:53
意法半导体(ST)发布先进功率MOSFET系列产品, 抓住新兴生态设计标准和绿色能源市场机会
發(fā)表于:2012/9/13 上午9:02:41
用于计算应用的占位面积优化功率器件
發(fā)表于:2012/5/31 下午2:18:21
得益于晶圆减薄工艺与创新的封装,功率MOSFET在不断进步
發(fā)表于:2012/5/3 下午3:30:45
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發(fā)表于:2012/4/19 下午4:50:40
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开关电源中几种过流保护方式的比较分析
發(fā)表于:2011/10/28 上午12:00:00
意法半导体(ST)扩大第六代功率MOSFET产品系列,为太阳能、电信及消费电子应用领域实现节能省电优势
發(fā)表于:2011/6/17 上午12:00:00
Vishay展示业内领先的电容器、电阻和功率MOSFET器件
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2011年中国功率MOSFET市场放缓的两个因素
發(fā)表于:2011/6/9 上午11:00:29
大功率开关电源中功率MOSFET的驱动技术
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深入理解功率MOSFET数据表中的各个参数
發(fā)表于:2011/3/28 上午12:00:00
深入理解功率MOSFET数据表
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