美光相關(guān)文章(446篇)

美光投资43亿元扩建西安封装和测试工厂
發(fā)表于：2024/3/28 上午9:15:05
美光展示MCRDIMM DDR5-8800内存模块
發(fā)表于：2024/3/25 上午8:59:05
美光预估AI时代旗舰手机DRAM内存用量将提升50%~100%
發(fā)表于：2024/3/22 上午9:00:31
美光：HBM内存消耗3倍晶圆量
發(fā)表于：2024/3/22 上午9:00:19
消息称HBM4标准放宽三星、SK海力士推迟引入混合键合技术
發(fā)表于：2024/3/11 上午9:00:00
美光计划部署纳米印刷技术以降低DRAM芯片生产成本
發(fā)表于：2024/3/6 上午9:00:46
南亚内存20nm技术被盗损失数十亿
發(fā)表于：2024/3/5 上午9:30:28
美光推出业界领先的紧凑封装型 UFS
發(fā)表于：2024/2/29 下午5:02:57
美国法院裁定：福建晋华“不存在经济间谍活动”
發(fā)表于：2024/2/29 上午9:30:00
美光推出紧凑封装型UFS 4.0
發(fā)表于：2024/2/29 上午9:30:00
美光发布最小尺寸UFS4.0手机存储芯片
發(fā)表于：2024/2/28 上午9:30:17
美光宣布量产24GB的HBM3E，将用于英伟达H200
發(fā)表于：2024/2/27 上午10:22:30
HBM供不应求：SK海力士售罄！美光售罄！
發(fā)表于：2024/2/26 上午10:03:03
1c纳米内存竞争：三星计划增加EUV使用，美光将引入钼、钌材料
發(fā)表于：2024/2/4 上午10:21:00
三星宣布开发280层QLC闪存：M.2 SSD可达16TB！
發(fā)表于：2024/1/30 上午9:42:49
美光率先上市基于LPDDR5X的 LPCAMM2内存模块
發(fā)表于：2024/1/19 上午9:53:00
消息称英伟达已向SK海力士和美光预购大量HBM3内存
發(fā)表于：2024/1/4 上午10:39:10
消息称三星和美光第 1 季度 DRAM 价格已上调 15%-20%
發(fā)表于：2024/1/3 上午11:48:30
一文读懂：美光、晋华握手言和，“存储芯片战”剧终
發(fā)表于：2023/12/28 下午4:39:35
涉专利侵权！长江存储在美起诉美光！
發(fā)表于：2023/11/13 下午9:40:46
美光推出基于1β技术的DDR5内存，速率高达7,200MT/s
發(fā)表于：2023/10/27 下午8:04:46
“美光被限”后，再看我国存储IC
發(fā)表于：2023/5/24 上午9:45:51
突发！美光在华销售产品没通过审查（附事件梳理）
發(fā)表于：2023/5/22 上午11:54:46
安全审查和市场衰退双至美光还为芯片法案冲锋吗？
發(fā)表于：2023/4/4 上午10:11:00
网信办：对美光在华销售产品实施安全审查！揭露美光背后的利益链和幕后黑手
發(fā)表于：2023/4/3 上午11:21:29
美光 1.5TB microSD 卡开始上市，采用 176 层 NAND 闪存
發(fā)表于：2023/2/8 上午6:31:35
美光 DDR5 为第四代英特尔® 至强® 可扩展处理器家族带来更强的性能和可靠性
發(fā)表于：2023/1/18 上午10:14:08
美光与AMD宣布全新技术合作
發(fā)表于：2022/12/21 上午7:35:36
美光 DDR5 内存配合第四代 AMD EPYC 处理器，提升高性能计算工作负载
發(fā)表于：2022/12/20 上午8:27:00
美光开始出货业界首款采用 232 层 NAND 技术的消费级 SSD
發(fā)表于：2022/12/8 上午9:29:12

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