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治安信息五要素智能搜索引擎研究及應(yīng)用[通信與網(wǎng)絡(luò)][其他]

如何把分散的信息有效組織起來，實(shí)現(xiàn)跨部門、跨地區(qū)的信息共享，是金盾工程建設(shè)必須解決的一個(gè)關(guān)鍵問題。主要介紹如何圍繞“人、地、物、事件、組織”治安信息五要素的業(yè)務(wù)模型，利用Web Services、UDDI等技術(shù)創(chuàng)建智能搜索引擎，實(shí)現(xiàn)全省范圍內(nèi)治安信息五要素關(guān)聯(lián)查詢及異構(gòu)系統(tǒng)間的全網(wǎng)漫游。

發(fā)表于：11/1/2011

SYN flood 攻擊檢測(cè)技術(shù)綜述[通信與網(wǎng)絡(luò)][其他]

分析SYN flood attack攻擊原理，并在此基礎(chǔ)上研究幾種典型的SYN flood 攻擊檢測(cè)方法。對(duì)主要技術(shù)進(jìn)行分析和比較，這些技術(shù)均有各自的優(yōu)點(diǎn)和局限性，多種方法有機(jī)融合互補(bǔ)將成為SYN flood 攻擊檢測(cè)研究的重點(diǎn)。

發(fā)表于：11/1/2011

RF-SIM卡的多應(yīng)用COS研究與設(shè)計(jì)[通信與網(wǎng)絡(luò)][其他]

1前言隨著芯片技術(shù)的發(fā)展以及運(yùn)營(yíng)商之間的業(yè)務(wù)擴(kuò)展，手機(jī)智能卡將會(huì)突破個(gè)人身份識(shí)別的單應(yīng)用平臺(tái)向多應(yīng)用平臺(tái)方向發(fā)展，特別是移動(dòng)支付平臺(tái)。如今芯片生產(chǎn)商已經(jīng)開發(fā)出了支持2.4GHz頻率的RF-SIM卡，它是接觸式智能卡與非接觸式智能卡的結(jié)合，在設(shè)計(jì)上，接觸式界面遵守ISO7816接口標(biāo)準(zhǔn)，非接觸式界面采用2.4GISM頻段進(jìn)行通信。在硬件實(shí)現(xiàn)上，RF-SIM卡有三芯片、雙芯片和單芯片三種硬件實(shí)現(xiàn)架構(gòu)方式[1]（如圖1）。在安全方面，數(shù)據(jù)采用自動(dòng)TDES加密技術(shù)進(jìn)行空中傳輸，防止竊聽數(shù)據(jù)，在刷卡時(shí)采用雙向認(rèn)證的安全機(jī)制，所以它是可靠的連接和安全的通信。另外，在

發(fā)表于：11/1/2011

基于DSP控制的數(shù)字移相器—變壓變頻器模塊的設(shè)計(jì)[電源技術(shù)][其他]

兩個(gè)同頻信號(hào)，特別是工頻信號(hào)之間的移相，在電力行業(yè)的繼電保護(hù)領(lǐng)域中是一個(gè)模擬、分析事故的重要手段。傳統(tǒng)的移相方式都是通過三相供電用特殊變壓器抽頭，以跨相的方法進(jìn)行移相，可統(tǒng)稱為電工式移相。還有一種方法就是在信號(hào)衰減后，經(jīng)模擬電路或數(shù)字電路實(shí)現(xiàn)移相，再由功放進(jìn)行放大輸出，一般稱為電子式移相。工頻信號(hào)經(jīng)倍頻電路(一般為3600或36000倍頻)產(chǎn)生倍頻信號(hào)送至微CPU，由其經(jīng)過D/A轉(zhuǎn)換器進(jìn)行波形重新合成，同時(shí)微CPU改變合成波形的起始點(diǎn)時(shí)間，再經(jīng)功放放大輸出實(shí)現(xiàn)移相，一般稱為程控式移相。

發(fā)表于：11/1/2011

MIPS® -- 適用于MCU的處理器[嵌入式技術(shù)][其他]

選擇正確的處理器架構(gòu)是使MCU產(chǎn)品達(dá)到性能、成本和上市時(shí)間目標(biāo)的關(guān)鍵決策條件。本文將對(duì)MIPS®處理器內(nèi)核中實(shí)現(xiàn)的設(shè)計(jì)功能進(jìn)行介紹，這些功能對(duì)其達(dá)到業(yè)界領(lǐng)先的性能起到了關(guān)鍵作用。此外，我們將對(duì)基于MIPS和ARM架構(gòu)（兩種最流行的嵌入式處理器架構(gòu)）的MCU設(shè)計(jì)解決方案進(jìn)行比較。我們的分析將會(huì)證明，MIPS提供的解決方案性能更高、功耗更低且具有更先進(jìn)的功能和卓越的開發(fā)支持。

發(fā)表于：11/1/2011

TI RM48Lx30安全系統(tǒng)MCU解決方案[嵌入式技術(shù)][其他]

TI公司的RM48Lx30是高性能安全系統(tǒng)用的微控制器(MCU),它的安全架構(gòu)包括兩個(gè)步調(diào)一致的CPU,CPU和存儲(chǔ)器內(nèi)置自測(cè)(BIST)邏輯,閃存和數(shù)據(jù)SRAM的ECC,效率高達(dá)1.6 DMIPS/MHz的ARM® Cortex?-R4F浮點(diǎn)CPU,并可配置到在200MHz運(yùn)行,提供高達(dá)320DMIPS,支持little-endian [LE32]格式,主要用在工業(yè)安全系統(tǒng)如工業(yè)自動(dòng)化,安全PLC,電源產(chǎn)生和分布,電梯以及醫(yī)療電子如呼吸機(jī), 心臟除顫器, 輸液泵和胰島素泵, 放射療法和手術(shù)機(jī)器人等.本文介紹了RM48Lx30主要特性, 功能方框圖和RM48 Hercules? ARM® Safety MCU開發(fā)套件(HDK)主要特性,方框圖與電路圖.

發(fā)表于：11/1/2011

OnSemi Q32M210 32位MCU血糖儀應(yīng)用方案[嵌入式技術(shù)][其他]

On Semi公司的Q32M210是精密的混合信號(hào)32位MCU, 集成了2個(gè)16位模數(shù)轉(zhuǎn)換器、高精度電壓參考、3個(gè)10位數(shù)模轉(zhuǎn)換器和基于ARM® Cortex-M3 32位內(nèi)核以及高度可配置的模擬前端及可編程的32位內(nèi)核和256kB閃存.芯片還集成所有關(guān)鍵功能，包括實(shí)時(shí)時(shí)鐘、電源管理、112段液晶顯示屏(LCD)接口、片上低阻抗開關(guān)、非限定(uncommitted)運(yùn)算放大器、精密電壓參考(< 50 PPM/℃)及電阻電容(RC)振蕩器。器件具有高精度感測(cè),可預(yù)測(cè)工作以及低功耗等特性,主要用于便攜感測(cè)應(yīng)用如病人監(jiān)測(cè)器、無線心電圖機(jī)(ECG)和血糖儀等便攜醫(yī)療設(shè)備.本文介紹了Q32M210主要特性,方框圖, 正常工作條件配置圖以及典型和擴(kuò)展電源配置圖, 血糖儀應(yīng)用電路圖和相應(yīng)的材料清單.

發(fā)表于：11/1/2011

基于TB6612FNG和單片機(jī)的直流電機(jī)控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)[嵌入式技術(shù)][其他]

利用TB6612FNG和單片機(jī)構(gòu)成直流電機(jī)控制單元，并將其應(yīng)用在差速驅(qū)動(dòng)的輪式移動(dòng)機(jī)器人系統(tǒng)中。試驗(yàn)運(yùn)行表明，這款器件與單片機(jī)結(jié)合應(yīng)用能夠?qū)崿F(xiàn)靈活穩(wěn)定的電機(jī)驅(qū)動(dòng)控制。TB6612FNG在集成性、運(yùn)行性能和輸出能力等方面達(dá)到了較好的平衡，適用于單、雙直流電機(jī)數(shù)字控制系統(tǒng)的設(shè)計(jì)開發(fā)。

發(fā)表于：11/1/2011

單片機(jī)上電復(fù)位和復(fù)位延時(shí)的時(shí)序分析[嵌入式技術(shù)][其他]

80C51單片機(jī)的上電復(fù)位POR（PmverOnReset）實(shí)質(zhì)上就是上電延時(shí)復(fù)位，也就是在上電延時(shí)期間把單片機(jī)鎖定在復(fù)位狀態(tài)上。為什么在每次單片機(jī)接通電源時(shí)，都需要加入一定的延遲時(shí)間呢？

發(fā)表于：11/1/2011

CCD攝像機(jī)測(cè)試[顯示光電][其他]

測(cè)試攝像機(jī)主要測(cè)試晰度和色彩還原性、照度、逆光補(bǔ)償，其次是測(cè)其球型失真、耗電量、最低工作電壓，下面先把清晰度和色彩還原性以及照度、逆光補(bǔ)償?shù)臏y(cè)量步驟先介紹一下。

發(fā)表于：11/1/2011

CCD攝像機(jī)基本原理[顯示光電][其他]

CCD是Charge Coupled Device(電荷耦合器件)的縮寫，它是一種半導(dǎo)體成像器件，因而具有靈敏度高、抗強(qiáng)光、畸變小、體積小、壽命長(zhǎng)、抗震動(dòng)等優(yōu)點(diǎn)。

發(fā)表于：11/1/2011

快速充電的特點(diǎn)及原理[電源技術(shù)][其他]

快速充電是指能在1～5h內(nèi)使蓄電池達(dá)到或接近完全充電狀態(tài)的一種充電方法。常用于牽引用蓄電池需要在較短時(shí)間內(nèi)恢復(fù)完全充電狀態(tài)時(shí)的充電?？焖俪潆妼?duì)蓄電池的性能和壽命有損。蓄電池的正常充電耗時(shí)約10～20h，如何能快速充電而不損害蓄電池的性能和壽命，是人們關(guān)注的熱門研究課題。

發(fā)表于：11/1/2011

MEMS與CMOS技術(shù)的異同[模擬設(shè)計(jì)][其他]

在某種程度上，MEMS可以看作CMOS集成電路的擴(kuò)展。如果將CMOS比喻為人的大腦和神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)，那么MEMS就是大腦智慧的手臂，為這信息系統(tǒng)提供了獲取信號(hào)的微傳感器和執(zhí)行命令的微執(zhí)行器。

發(fā)表于：11/1/2011

MEMS/MEMS壓力傳感器[模擬設(shè)計(jì)][其他]

MEMS是英文Micro Electro Mechanical systems的縮寫，即微電子機(jī)械系統(tǒng)。

發(fā)表于：11/1/2011

LDO和DC-DC的區(qū)別[電源技術(shù)][其他]

應(yīng)當(dāng)可以這樣理解：DC-DC的意思是直流變（到）直流（不同直流電源值的轉(zhuǎn)換），只要符合這個(gè)定義都可以叫DC-DC轉(zhuǎn)換器，包括LDO。但是一般的說法是把直流變（到）直流由開關(guān)方式實(shí)現(xiàn)的器件叫DC-DC。

發(fā)表于：11/1/2011