頭條 使用有安全保障的閃存存儲構建安全的汽車系統(tǒng) 在現(xiàn)代汽車嵌入式系統(tǒng)中，高度安全的數(shù)據(jù)存儲是必不可少的，尤其是在面對日益高明的網(wǎng)絡攻擊時。本文將介紹設計師正確使用閃存的步驟。 最新設計資源 增強型MOS晶體管,增強型MOS晶體管是什么意思[模擬設計][消費電子] 根據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。所謂增強型是指：當VGS=0時管子是呈截止狀態(tài)，加上正確的VGS后，多數(shù)載流子被吸引到柵極，從而“增強”了該區(qū)域的載流子，形成導電溝道。 發(fā)表于：8/18/2016 什么是耗盡型MOS晶體管[模擬設計][消費電子] 據(jù)導電方式的不同，MOSFET又分增強型、耗盡型。耗盡型是指，當VGS=0時即形成溝道，加上正確的VGS時，能使多數(shù)載流子流出溝道，因而“耗盡”了載流子，使管子轉向截止。 耗盡型MOS場效應管，是在制造過程中，預先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子，因此，在UGS=0時，這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應”出足夠的電子，形成N型導電溝道。 發(fā)表于：8/18/2016 最新耐用型大功率LDMOS晶體管耐用測試及應用類型[模擬設計][消費電子] 目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導體（LDMOS）晶體管，這種產(chǎn)品能夠承受相當于65.0:1的電壓駐波比（VSWR）的負載失配。但這些晶體管真的無懈可擊嗎？這種耐用性適用于哪些類型的應用？本報告將介紹一些最新的耐用型大功率LDMOS晶體管以及它們的電氣特性，并通過比較測試過程來判斷它們的耐用水平。 發(fā)表于：8/18/2016 新型高耐壓功率場效應晶體管[模擬設計][消費電子] ?摘要：分析了常規(guī)高壓MOSFET的耐壓與導通電阻間的矛盾，介紹了內(nèi)建橫向電場的高壓MOSFET的結構，分析了解決耐壓與導通電阻間矛盾的方法與原理，介紹并分析了具有代表性的新型高壓MOSFET的主要特性。 發(fā)表于：8/18/2016 場效應晶體管放大器[模擬設計][消費電子] 場效應晶體管放大器是電壓控制器件，具有輸入阻抗高、噪聲低的優(yōu)點，被廣泛應用在電子電路中，特別是具有上述要求前級放大器顯示器出越性。根據(jù)場效應管兩大類型--結型場效應管和絕緣柵場效應管可構成相應的場效應管放大器。以下以結型管為例給出三種基本組態(tài)放大器的等效電路和性能指標計算表達式，見表5.2-7。圖為場效應管具有與晶體管類似的正向受控作用，它也可構成共源極、共漏極、共柵極三種基本放大器。 發(fā)表于：8/18/2016 基于稀疏分解的SFM信號的時頻分析方法[微波|射頻][工業(yè)自動化] 針對正弦調頻(SFM)信號Wigner-Ville分布(WVD)存在嚴重的時頻交叉項干擾問題，提出了一種基于稀疏分解的時頻分析方法。該方法首先由信號的時頻參數(shù)構建Gabor原子字典，然后利用匹配追蹤(MP)算法實現(xiàn)信號分解，并結合改進遺傳算法尋找最佳匹配原子，最后將每次分解得到的Gabor原子通過Wigner-Ville變換疊加得到無交叉項的信號WVD。仿真結果表明，該方法能提高對信號稀疏分解的計算效率，且Gabor原子的選取較為靈活，用少量原子可表示信號WVD。與傳統(tǒng)的時頻分析方法相比，該方法能有效抑制時頻交叉項干擾，且保持高時頻分辨率。 發(fā)表于：8/18/2016 基于ARM的四攝像頭光學觸摸屏系統(tǒng)研制[嵌入式技術][工業(yè)自動化] 針對目前超大觸摸屏價格昂貴、通用性差的問題，采用圖像識別技術構建了基于ARM的四攝像頭光學觸摸屏系統(tǒng)。系統(tǒng)通過安裝在4個頂點的CMOS攝像頭同步采集觸摸屏區(qū)域圖像，ARM微處理器對采集的圖像進行觸摸點檢測，根據(jù)觸點成像位置和攝像頭標定得到觸點的方向直線，最后通過計算任意兩條直線相交于一點來確定觸點的位置。實驗表明，此系統(tǒng)對單點和兩點觸摸能達到99%的識別率，觸點坐標位置誤差小于2%。 發(fā)表于：8/18/2016 MOS管技術:電源應用中場效應晶體管的崩潰效應[模擬設計][消費電子] 在 SMPS(Switching Mode POWER Supply) 以及 DC-DC 轉換器設計中 , 使用場效應晶體管當作切換開關已經(jīng)越來越普遍。在設計中為了減少尺寸大小和提升電源密度 , 其電源操作工作頻率也要求越來越高。如此會造成較高的 di/dt 產(chǎn)生使得雜散電感效應加諸于場效應晶體管兩端 (Drain & Source) 的瞬間電壓會更加明顯。尤其在電源開機的霎那間 , 此瞬間電壓會達到最大值。這是由于變壓器一次側電感值相當于漏電感 ( 最小電感值 ) 而且輸出電容完全未充電的狀態(tài)所致。幸運的是一般場效應晶體管皆可承受高于某些程度的額定電壓范圍 , 在此條件范圍內(nèi)設計者并不需要增加額外的保護線路以避免不必要的成本支出。此篇文章可帶領各位去判斷何種條件下對場效應晶體管所造成的影響 , 進而幫助設計者去衡量成本及可靠度以取得最佳的平衡點。 發(fā)表于：8/17/2016 增強型和耗盡型場效應晶體管[模擬設計][消費電子] 總的來說，場效應晶體管可區(qū)分為耗盡型和增強型兩種。耗盡型場效應晶體管(D-FET)就是在0柵偏壓時存在溝道、能夠導電的FET;增強型場效應晶體管(E-FET)就是在0柵偏壓時不存在溝道、不能夠導電的FET。 發(fā)表于：8/17/2016 電力雙極型晶體管(GTR)詳解[模擬設計][消費電子] 電力雙極型晶體管(GTR)是一種耐高壓、能承受大電流的雙極晶體管，也稱為BJT，簡稱為電力晶體管。它與晶閘管不同，具有線性放大特性，但在電力電子應用中卻工作在開關狀態(tài)，從而減小功耗。GTR可通過基極控制其開通和關斷，是典型的自關斷器件。 發(fā)表于：8/17/2016 單結晶體管工作原理[模擬設計][消費電子] 單結晶體管（簡稱UJT）又稱基極二極管，它是一種只有一個PN結和兩個電阻接觸電極的半導體器件，它的基片為條狀的高阻N型硅片，兩端分別用歐姆接觸引出兩個基極b1和b2。在硅片中間略偏b2一側用合金法制作一個P區(qū)作為發(fā)射極e。其結構、符號和等效電呼如圖1所示。 發(fā)表于：8/17/2016 光敏晶體管工作原理[模擬設計][消費電子] 光敏二極管和光敏三極管是光電轉換半導體器件，與光敏電阻器相比具有靈敏度高、高頻性能好，可靠性好、體積小、使用方便等優(yōu)。 一、光敏二極管 1．結構特點與符號 光敏二極管和普通二極管相比雖然都屬于單向導電的非線性半導體器件，但在結構上有其特殊的地方。 光敏二極管在電路中的符號如圖Z0129 所示。光敏二極管使用時要反向接入電路中，即正極接電源負極，負極接電源正極。 發(fā)表于：8/17/2016 慣性MEMS 從提升生活品質到拯救生命[嵌入式技術][醫(yī)療電子] 運動是生命中不可或缺的重要組成部分。能夠移動的人似乎在一刻不停地運動著，而不能移動的人則可能需要借助某種形式的機械助力來幫助實現(xiàn)運動。因此，不難想象，能夠測量這種運動的慣性傳感器在提供有關我們自身的有用信息方面具有重大價值。如今的音頻（麥克風）或光學（相機）傳感器就是這樣。 發(fā)表于：8/17/2016 功率場效應晶體管(MOSFET)原理[模擬設計][消費電子] 功率場效應管(Power MOSFET)也叫電力場效應晶體管，是一種單極型的電壓控制器件，不但有自關斷能力,而且有驅動功率小,開關速度高、無二次擊穿、安全工作區(qū)寬等特點。由于其易于驅動和開關頻率可高達500kHz，特別適于高頻化電力電子裝置，如應用于DC/DC變換、開關電源、便攜式電子設備、航空航天以及汽車等電子電器設備中。但因為其電流、熱容量小，耐壓低，一般只適用于小功率電力電子裝置。 發(fā)表于：8/17/2016 單結晶體管的工作原理與伏安特性電路圖[模擬設計][消費電子] 單結晶體管具有負租特性，其工作原理和伏安特性見圖1-31。 發(fā)表于：8/17/2016 ?…497498499500501502503504505506…?
