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解決方案

單結(jié)晶體管的工作原理與伏安特性電路圖[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

單結(jié)晶體管具有負(fù)租特性，其工作原理和伏安特性見(jiàn)圖1-31。

發(fā)表于：8/17/2016 4:11:00 PM

光敏二極管和光敏晶體管結(jié)構(gòu)原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

?光敏二極管的結(jié)構(gòu)與一般二極管相似。它裝在透明玻璃外殼中, 其PN結(jié)裝在管的頂部, 可以直接受到光照射。光敏二極管在電路中一般是處于反向工作狀態(tài)（見(jiàn)圖8-6所示）, 在沒(méi)有光照射時(shí), 反向電阻很大, 反向電流很小, 這反向電流稱(chēng)為暗電流。當(dāng)光照射在PN結(jié)上時(shí), 光子打在PN結(jié)附近, 使PN結(jié)附近產(chǎn)生光生電子和光生空穴對(duì)。它們?cè)赑N結(jié)處的內(nèi)電場(chǎng)作用下作定向運(yùn)動(dòng), 形成光電流。光的照度越大, 光電流越大。因此光敏二極管在不受光照射時(shí), 處于截止?fàn)顟B(tài), 受光照射時(shí), 處于導(dǎo)通狀態(tài)。

發(fā)表于：8/17/2016 4:03:00 PM

絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

絕緣柵雙極晶體管原理、特點(diǎn)及參數(shù) 絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。

發(fā)表于：8/17/2016 3:49:00 PM

程控單結(jié)晶體管(PUT)應(yīng)用及原理[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

程控單結(jié)晶體管PUT（Programmable Uniguction Tr-ansistor），又稱(chēng)可編程單結(jié)晶體管或可調(diào)單結(jié)晶體管，程控單結(jié)晶體管實(shí)質(zhì)上是一個(gè)N極門(mén)控晶閘管的功能，但因它與單結(jié)晶體管的用途相近，故納入單結(jié)管之列。它與單結(jié)晶體管也有重工區(qū)別。單結(jié)管一經(jīng)制成，從外部就無(wú)法改變r(jià)B1、rB2、RBB、ηV、IP、IV等參數(shù)值，加之工藝的離散性導(dǎo)致同類(lèi)單結(jié)管的ηV值總會(huì)存在一定的偏差，這就給用記帶來(lái)不便。程控單結(jié)晶體管圓滿(mǎn)解決了上述問(wèn)題，它是用外部電阻R1、R2取代內(nèi)基極電阻rB1、rB2，只需改變二者的電阻比，即可從外部調(diào)整其參數(shù)值。正是由于PUT器件使用靈活，用途廣泛，因此頗受使用者歡迎。

發(fā)表于：8/17/2016 3:40:00 PM

“簡(jiǎn)潔至上”的晶體管甲類(lèi)音頻功率放大器[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　Hi－Fi界有一句至理名言，就是“簡(jiǎn)潔至上”。這就是說(shuō)，假如能用一個(gè)元件或器件做成的電路，就盡量不用兩個(gè)。電子電路中常用的電子元件有電阻、電容、電感等，常用的電子器件有二極管、三極管及集成電路等。電阻、電容都屬于線(xiàn)性元件，在放大電路中可以認(rèn)為不會(huì)因它們而產(chǎn)生非線(xiàn)性失真。但是，目前用于放大的電子器件，不論是電子管、晶體管，還是集成電路，統(tǒng)統(tǒng)都是非線(xiàn)性器件，它們是放大電路中產(chǎn)生非線(xiàn)性失真的根源。因此，在放大電路中應(yīng)盡量少用管子。要做到這一點(diǎn)也并非容易，所以通常所見(jiàn)到的放大電路都比較復(fù)雜。要想“簡(jiǎn)潔”，必須解決兩個(gè)問(wèn)題：一是放大倍數(shù)要足夠大，至少應(yīng)該在接CD機(jī)時(shí)能夠達(dá)到額定的輸出功率；二是非線(xiàn)性失真要盡量小些，在不加負(fù)反饋或只加少量的負(fù)反饋時(shí)，諧波失真系數(shù)能夠達(dá)到Hi－Fi要求。

發(fā)表于：8/17/2016 3:18:00 PM

22納米3D晶體管技術(shù)[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

　Intel在微處理器晶體管設(shè)計(jì)上取得重大突破，沿用50多年的傳統(tǒng)硅晶體管將實(shí)現(xiàn)3D架構(gòu)，一款名為T(mén)ri-Gate的晶體管技術(shù)得到實(shí)現(xiàn)。

發(fā)表于：8/17/2016 3:16:00 PM

5納米制程技術(shù)挑戰(zhàn)重重成本之高超乎想象[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

半導(dǎo)體業(yè)自28納米進(jìn)步到22/20納米，受193i光刻機(jī)所限，必須采用兩次圖形曝光技術(shù)（DP）。再進(jìn)一步發(fā)展至16/14納米時(shí)，大多采用finFET技術(shù)。如今finFET技術(shù)也一代一代升級(jí)，加上193i的光學(xué)技術(shù)延伸，采用SADP、SAQP等，所以未來(lái)到10納米甚至7納米時(shí)，基本上可以使用同樣的設(shè)備，似乎己無(wú)懸念，只是芯片的制造成本會(huì)迅速增加。然而到5納米時(shí)肯定是個(gè)坎，因?yàn)槿绻鸈UV不能準(zhǔn)備好，就要被迫采用五次圖形曝光技術(shù)（FP），這已引起全球業(yè)界的關(guān)注。

發(fā)表于：8/16/2016 9:13:00 PM

基于GaN FET的CCM圖騰柱無(wú)橋PFC[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開(kāi)關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開(kāi)關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開(kāi)了大門(mén)。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無(wú)橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無(wú)橋PFC能夠使半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被構(gòu)造成具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器的安全GaN，并且展示出性能方面的提升。

發(fā)表于：8/16/2016 8:59:00 PM

芯片里面有幾千萬(wàn)的晶體管是怎么實(shí)現(xiàn)的？[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

1. 當(dāng)前CPU上的晶體管已經(jīng)遠(yuǎn)遠(yuǎn)不是千萬(wàn)級(jí)別的概念，而是數(shù)個(gè)billion。 2. 目前最先進(jìn)的制程工藝是Intel 剛剛公布的14nm工藝，F(xiàn)in Pitch小于 50nm，可以說(shuō)是技術(shù)上的一個(gè)飛躍了。關(guān)于所謂的14nm，實(shí)際只能初略的反映工藝的一個(gè)技術(shù)節(jié)點(diǎn)，真正的溝道長(zhǎng)度要比14nm要長(zhǎng)一些。

發(fā)表于：8/16/2016 8:50:00 PM

晶體管出現(xiàn)的意義[模擬設(shè)計(jì)][消費(fèi)電子]

晶體管的出現(xiàn)，是電子技術(shù)之樹(shù)上綻開(kāi)的一朵絢麗多彩的奇葩。　　同電子管相比，晶體管具有諸多優(yōu)越性：　?、倬w管的構(gòu)件是沒(méi)有消耗的。無(wú)論多么優(yōu)良的電子管，都將因陰極原子的變化和慢性漏氣而逐漸劣化。由于技術(shù)上的原因，晶體管制作之初也存在同樣的問(wèn)題。隨著材料制作上的進(jìn)步以及多方面的改善，晶體管的壽命一般比電子管長(zhǎng)100到1000倍，稱(chēng)得起永久性器件的美名。

發(fā)表于：8/16/2016 8:44:00 PM