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解決方案

采用創(chuàng)新型 C29 內(nèi)核的 MCU 如何提升高壓系統(tǒng)的實(shí)時(shí)性能[嵌入式技術(shù)][汽車電子]

　　本文探討了 F29H859TU-Q1 和 F29H850TU 等實(shí)時(shí)控制 MCU 及其 C29 內(nèi)核如何幫助工程師在電動(dòng)汽車子系統(tǒng)（如 OBC 以及高壓和低壓直流/直流轉(zhuǎn)換器）和能源基礎(chǔ)設(shè)施（如光伏逆變器和 UPS）中提供更高的處理能力、電源效率和快速開(kāi)關(guān)頻率。

發(fā)表于：12/31/2024 9:12:00 PM

汽車 GPU 算力新高度支持智駕芯片實(shí)現(xiàn)架構(gòu)創(chuàng)新[嵌入式技術(shù)][汽車電子]

　　隨著汽車行業(yè)在“新四化”領(lǐng)域內(nèi)迅猛地進(jìn)步，汽車電子電氣架構(gòu)正在發(fā)生顯著的變化。智能化的深入促使汽車計(jì)算架構(gòu)逐步由傳統(tǒng)的以分域來(lái)進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)控制的分布式架構(gòu)，轉(zhuǎn)向以強(qiáng)調(diào)高性能計(jì)算同時(shí)減少冗余硬件和系統(tǒng)復(fù)雜性，從而提高系統(tǒng)效率和可靠性的中央計(jì)算架構(gòu)。與此同時(shí)，一些新興的功能在新車中的滲透率也在不斷提升，例如在汽車座艙內(nèi)人機(jī)界面（HMI）領(lǐng)域，諸如車內(nèi)屏幕顯示交互及后排娛樂(lè)屏幕等，其年度增長(zhǎng)率大致維持在8%左右；而在高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)（ADAS）方面，增長(zhǎng)率基本達(dá)到10%，部分研究機(jī)構(gòu)所報(bào)告的增長(zhǎng)率數(shù)據(jù)甚至更高。在此背景下，汽車對(duì)GPU算力的需求呈現(xiàn)出爆發(fā)增長(zhǎng)的趨勢(shì)。

發(fā)表于：12/31/2024 8:56:00 PM

物聯(lián)網(wǎng)設(shè)備安全性：挑戰(zhàn)和解決方案[通信與網(wǎng)絡(luò)][物聯(lián)網(wǎng)]

　　任何連接到互聯(lián)網(wǎng)的設(shè)備都可能在某一時(shí)刻面臨攻擊。攻擊者可能會(huì)試圖遠(yuǎn)程破壞物聯(lián)網(wǎng)（IoT）設(shè)備以竊取數(shù)據(jù)，進(jìn)行DDoS攻擊（Distributed Denial of Service attacks，分布式拒絕服務(wù)攻擊），或試圖破壞網(wǎng)絡(luò)的其余部分。物聯(lián)網(wǎng)安全需要一種集成方法來(lái)保障，覆蓋整個(gè)設(shè)備生命周期，從設(shè)計(jì)和開(kāi)發(fā)到部署和維護(hù)。

發(fā)表于：12/31/2024 4:55:06 PM

從燃油車向電動(dòng)車邁進(jìn)：開(kāi)啟電動(dòng)出行的新時(shí)代[測(cè)試測(cè)量][汽車電子]

汽車行業(yè)在從燃油車向電動(dòng)車轉(zhuǎn)型的道路上正面臨重重挑戰(zhàn)。消費(fèi)者的購(gòu)買意愿有所減弱，高昂的電池更換費(fèi)用以及公共充電基礎(chǔ)設(shè)施的不健全等等，這些顧慮讓消費(fèi)者望而卻步。因此，汽車行業(yè)必須克服這些挑戰(zhàn)，才能推動(dòng)交通出行領(lǐng)域的低碳化轉(zhuǎn)型，進(jìn)而為整個(gè)經(jīng)濟(jì)社會(huì)帶來(lái)裨益。加速電動(dòng)出行時(shí)代的到來(lái)

發(fā)表于：12/30/2024 4:50:13 PM

Microchip推出集成式緊湊型CAN FD系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片解決方案，專為空間受限應(yīng)用而設(shè)計(jì)[電子元件][汽車電子]

　　汽車和工業(yè)市場(chǎng)中聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的增加推動(dòng)了對(duì)帶寬更高、延遲更低和安全性更強(qiáng)的有線連接解決方案的需求。可靠、安全的通信網(wǎng)絡(luò)解決方案對(duì)于按預(yù)期傳輸和處理數(shù)據(jù)至關(guān)重要。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）今日宣布推出ATA650x CAN FD系統(tǒng)基礎(chǔ)芯片（SBC）新系列產(chǎn)品。該系列產(chǎn)品完全集成了高速CAN FD收發(fā)器和5V低壓降穩(wěn)壓器（LDO），采用緊湊型8引腳、10引腳和14引腳封裝，節(jié)省了空間。

發(fā)表于：12/30/2024 1:57:21 PM

派克漢尼汾推出新的快換接頭產(chǎn)品系列，擴(kuò)展熱管理解決方案[電子元件][消費(fèi)電子]

　　近期，運(yùn)動(dòng)與控制技術(shù)領(lǐng)域的先行者——派克漢尼汾宣布推出四個(gè)具有開(kāi)創(chuàng)性的熱管理解決方案——NSAC、NSEC和NSIC系列盲插式快換接頭以及NSSC螺紋連接快換接頭。這些創(chuàng)新產(chǎn)品旨在滿足電子冷卻、電池制造、信息技術(shù)、能源管理、工程機(jī)械和運(yùn)輸?shù)刃袠I(yè)復(fù)雜的熱管理需求。

發(fā)表于：12/28/2024 11:04:16 PM

二極管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇[測(cè)試測(cè)量][工業(yè)自動(dòng)化]

二極管/三極管/場(chǎng)效應(yīng)管完整測(cè)試方案設(shè)計(jì)及選擇

發(fā)表于：12/23/2024 5:31:28 PM

場(chǎng)效應(yīng)管的重要參數(shù)介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

場(chǎng)效應(yīng)管（FET）的重要參數(shù)包括： 1.最大漏源電壓（VDSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管漏極和源極之間能夠承受的最大電壓。 2.最大漏極電流（IDmax）：場(chǎng)效應(yīng)管能夠承受的最大漏極電流，超過(guò)此值可能會(huì)導(dǎo)致器件損壞。 3.最大柵源電壓（VGSmax）：場(chǎng)效應(yīng)管柵極和源極之間能夠承受的最大電壓。 4.閾值電壓（Vth）：使場(chǎng)效應(yīng)管開(kāi)始導(dǎo)電的最小柵源電壓。

發(fā)表于：12/23/2024 4:55:24 PM

場(chǎng)效應(yīng)管的主要類型介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor，簡(jiǎn)稱FET）是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件，它利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流。場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入電阻高、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒(méi)有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)。由于它僅靠極少量電流即可工作，因此非常適用于功率電路中作放大用；此外，這種電子元件還有較高的輸入阻抗和輸出電阻，因而也適用于信號(hào)處理、高頻振蕩和調(diào)制等電路中作輸入級(jí)或輸出級(jí)。

發(fā)表于：12/23/2024 4:35:23 PM

三極管的重要參數(shù)介紹[電子元件][工業(yè)自動(dòng)化]

三極管（晶體管）是電子電路中常用的半導(dǎo)體器件，它有多種類型，如雙極型晶體管（BJT）和金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）。不同類型的三極管有不同的參數(shù)，但以下是一些重要的通用參數(shù)：

發(fā)表于：12/23/2024 4:15:23 PM