內(nèi)容簡(jiǎn)介：基于0.25 μm柵長(zhǎng)的GaN HEMT工藝，設(shè)計(jì)了一款8~12 GHz 60 W高功率放大器。該芯片的末級(jí)輸出端功率合成網(wǎng)絡(luò)在Bus-bar總線型的基礎(chǔ)上添加并聯(lián)LC到地枝節(jié)，達(dá)到優(yōu)化各路平衡度的目的，在實(shí)現(xiàn)高功率輸出的同時(shí)使芯片整體結(jié)構(gòu)緊湊且易于匹配。采用輸入端二次諧波阻抗匹配技術(shù)，在不影響輸出功率的前提下提升高頻效率。輸出級(jí)匹配結(jié)構(gòu)采用兩段串電感并電容匹配的方式，將輸出級(jí)阻抗匹配至目標(biāo)阻抗的同時(shí)實(shí)現(xiàn)較低的匹配損耗。在脈寬100 μs、占空比10%測(cè)試條件下，該放大器飽和輸出功率在8~12 GHz范圍內(nèi)大于48 dBm，效率大于35%，功率增益為23 dB。芯片尺寸為3.97 mm×5 mm。