頭條 英偉達(dá)官宣：CUDA將全面支持RISC-V架構(gòu)！ 早在2024年10月，英偉達(dá)在RISC-V北美峰會上透露，其在2015年就選定將RISC-V選定為其專有Falcon微控制器（MCU）的繼任架構(gòu)。由于 MCU 內(nèi)核是通用的，因此可以在英偉達(dá)的產(chǎn)品中廣泛使用。根據(jù)英偉達(dá)當(dāng)時的預(yù)計，2024年英偉達(dá)將交付10億個內(nèi)置于其 GPU、CPU、SoC 和其他產(chǎn)品中的 RISC-V 處理器，這也凸顯了定制 RISC-V 內(nèi)核在英偉達(dá)硬件中的普遍性和重要性。 在此次RISC-V中國峰會上，F(xiàn)rans Sijstermanns也指出，英偉達(dá)是RVI和RISE的董事會成員和技術(shù)委員會代表，也是相關(guān)規(guī)范的貢獻(xiàn)者。英偉達(dá)產(chǎn)品中的微控制器都是基于RISC-V架構(gòu)，具有可配置、可擴(kuò)展和安全保護(hù)功能，并且也被集成在30多個IP中，每年出貨量超過10億個RISC-V MCU。 最新資訊 美國將長江存儲、寒武紀(jì)、上海微等36家中企列入實(shí)體清單 2022 年12 月15 日晚間，美國商務(wù)部決定將包括長江存儲、寒武紀(jì)、上海集成電路電路研發(fā)中心、上海微電子、深圳鵬芯微等在內(nèi)的36 家中國實(shí)體（包括一家長江存儲日本子公司） 加入實(shí)體清單。 發(fā)表于：12/18/2022 壞消息：臺積電停止SRAM微縮！卡在了5納米！ 根據(jù)WikiChip的一份報告，臺積電的SRAM微縮速度已經(jīng)大大放緩。當(dāng)涉及到全新的制造節(jié)點(diǎn)時，我們希望它們能夠提高性能、降低功耗并增加晶體管密度。但是，盡管邏輯電路在最近的工藝技術(shù)中得到了很好的擴(kuò)展，但SRAM單元一直落后，顯然在臺積電的3nm級生產(chǎn)節(jié)點(diǎn)上幾乎停止了微縮。對于未來的CPU、GPU和SoC來說，這是一個主要問題，由于SRAM單元區(qū)域微縮緩慢，它們可能會變得更加昂貴。 發(fā)表于：12/18/2022 高通看好RISC-V前景，暗諷Arm已過時 正與Arm進(jìn)行專利訴訟的高通近日表示RISC-V將會擁有更廣闊的未來，并暗諷Arm 是過時的傳統(tǒng)架構(gòu)，不僅具備一些無用的功能，且還無法滿足某些設(shè)計需求。 發(fā)表于：12/18/2022 富士康出售紫光集團(tuán)全部股權(quán)！ 鴻海昨日晚間重磅公告，全數(shù)出售北京智廣芯控股有限公司及紫光集團(tuán)有限公司持有的股權(quán)。 發(fā)表于：12/18/2022 韓國本土半導(dǎo)體廠商開發(fā)石墨烯技術(shù)，提高生產(chǎn)良率 12月15日消息，據(jù)報導(dǎo)，韓國本土的半導(dǎo)體和顯示材料開發(fā)商——石墨烯實(shí)驗(yàn)室 (Graphene Lab) 開發(fā)出了基于石墨烯制造的EUV光罩保護(hù)膜 (Pellicle) ，有望顯著提高ASML的極紫外光 (EUV) 系統(tǒng)生產(chǎn)芯片的良率。 發(fā)表于：12/18/2022 曝三星向華為轉(zhuǎn)讓上百項美國專利 據(jù)媒體報道，日前，三星向華為轉(zhuǎn)讓了98項美國專利。 發(fā)表于：12/18/2022 中國首個原生Chiplet小芯片標(biāo)準(zhǔn)發(fā)布 據(jù)報道，在16日舉辦的“第二屆中國互連技術(shù)與產(chǎn)業(yè)大會”上，首個由中國集成電路領(lǐng)域相關(guān)企業(yè)和專家共同主導(dǎo)制定的《小芯片接口總線技術(shù)要求》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)正式通過工信部中國電子工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)協(xié)會的審定并發(fā)布。 發(fā)表于：12/18/2022 曝臺積電1nm新廠最早或于2026年動工 業(yè)內(nèi)分析稱，臺積電1奈米廠最快2026年中可開始動土，最快2027年試產(chǎn)、2028年量產(chǎn)。 發(fā)表于：12/18/2022 芯片設(shè)計公司最新排名：韋爾半導(dǎo)體第十！ 近日，市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce公布2022年第三季全球十大IC設(shè)計企業(yè)排名，高通依然保持龍頭位置，博通超車NVIDIA（英偉達(dá)）與AMD（超微）至排名第二，NVIDIA與AMD因個人電腦與挖礦需求疲弱，排名分別下滑至第三與第四。 發(fā)表于：12/18/2022 Transphorm按功率段發(fā)布氮化鎵功率管可靠性評估數(shù)據(jù) 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒企業(yè)和全球供貨商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)今日發(fā)布了針對其氮化鎵功率管的最新可靠性評估數(shù)據(jù)。評估可靠性使用的失效率（FIT）是分析客戶現(xiàn)場應(yīng)用中失效的器件數(shù)。迄今為止，基于超過850億小時的現(xiàn)場應(yīng)用數(shù)據(jù)，該公司全系列產(chǎn)品的平均失效率(FIT)小于0.1?，F(xiàn)有氮化鎵功率解決方案的全功率可靠性評估中，這一失效率是業(yè)界報道過的最好的評估結(jié)果之一。 發(fā)表于：12/18/2022 ?…283284285286287288289290291292…?
