Vishay Siliconix推出业界最小导通电阻的双P沟道功率MOSFET
2009-04-30
作者:Vishay Intertech
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出具有兩個20V P溝道的第三代TrenchFET功率MOSFET --- SiA921EDJ,其導通電阻是目前所有雙P溝道器件當中最小的,所采用的熱增強PowerPAK SC-70封裝的占位面積只有2mmx
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SiA921EDJ在4.5V和2.5V條件下分別具有59 mΩ和98 mΩ的超低導通電阻。第三代TrenchFET MOSFET的低導通電阻意味著更低的傳導損耗,使器件在開關(guān)時比市場上任何雙P溝道功率MOSFET所消耗的能量都要少。?
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而其他最接近的P溝道器件在4.5V柵極驅(qū)動電壓、大于12V的柵源額定電壓下的導通電阻為
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通過推出SiA921EDJ,Vishay將第三代P溝道TrenchFET技術(shù)應用到適用于手持式電子產(chǎn)品的超小封裝中。新器件可用于DC-DC降壓轉(zhuǎn)換器,以及手機、智能手機、PDA和MP3播放器等便攜式設備中的負載、功放和電池開關(guān)。SiA921EDJ更低的導通電阻意味著更少的功耗,節(jié)約電能并延長這些設備在兩次充電期間的電池壽命。?
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SiA921EDJ TrenchFET功率MOSFET 符合IEC 6
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VISHAY SILICONIX簡介?
Vishay Siliconix 是現(xiàn)今世界上排名第一的低壓功率MOSFET和用于在計算機、蜂窩電話和通信基礎設備的管理和功率轉(zhuǎn)換以及控制計算機磁盤驅(qū)動和汽車系統(tǒng)的固態(tài)開關(guān)的供應商。Vishay Siliconix的硅技術(shù)和封裝產(chǎn)品的里程碑,包括在業(yè)內(nèi)建成第一個基于槽硅工藝(TrenchFET)的功率型MOSFET和業(yè)內(nèi)第一個小型的表面貼裝的功率型MOSFET(LITTLE FOOT)。?
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創(chuàng)新的傳統(tǒng)不斷的衍生出新的硅技術(shù),例如被設計用來在直流電到直流電的轉(zhuǎn)換和負荷切換的應用中最佳化功率MOSFET的性能的硅技術(shù),以及可以滿足客戶需求的更佳熱性能(PowerPAK) 和更小空間(ChipFET,MICRO FOOT)新的封裝選擇。 除了功率MOSFET外,Vishay Siliconix的產(chǎn)品還包括功率集成電路和業(yè)界最杰出的模擬交換和多路復用器的線路。Vishay Siliconix功率集成電路的發(fā)展不僅專注于應用在蜂窩電話、筆記本計算機、和固定電信基礎設備的功率轉(zhuǎn)換元件,而且也同樣關(guān)注低電壓、約束空間的新型模擬開關(guān)集成電路。?
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Siliconix創(chuàng)建于1962年,在1998年Vishay購買了其80.4%的股份使其成為Vishay子公司。?
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VISHAY簡介?
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市(VSH)的“財富 1,000 強企業(yè)”,是全球分立半導體(二極管、整流器、晶體管、光電器件及某些精選 IC)和無源電子元件(電阻器、電容器、電感器、傳感器及轉(zhuǎn)換器)的最大制造商之一,這些元件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天及醫(yī)療市場的各種類型的電子設備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略,以及提供“一站式”服務的能力使 Vishay 成為了全球業(yè)界領先者。有關(guān) Vishay 的詳細
TrenchFET和PowerPAK 是 Siliconix Incorporated 的注冊商標?
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