Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻
2013-12-02
日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出采用PowerPAK® ChipFET®和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET® P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便攜式計算和工業(yè)控制設(shè)備中的電源效率，是-4.5V和-2.5V柵極驅(qū)動下具有業(yè)內(nèi)最低導(dǎo)通電阻的-12V和-20V器件，占位面積為3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。
Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN適用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、工業(yè)傳感器和POL模塊里的電源管理等各種應(yīng)用中的負載、電池和監(jiān)控開關(guān)。器件的低導(dǎo)通電阻使設(shè)計者能夠在其電路里實現(xiàn)更低的電壓降，更高效地使用電能，延長電池使用壽命。
在節(jié)省PCB空間是首要因素的應(yīng)用里，-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低導(dǎo)通電阻，而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封裝具有明顯優(yōu)勢。當需要更高的電壓等級時，-20 V Si5415AEDU可滿足需求，具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低導(dǎo)通電阻。兩款器件的典型ESD保護為5000V。對于需要極低導(dǎo)通電阻的應(yīng)用，SiSS23DN的4.5m?(-4.5V)和6.3m?(-2.5V)導(dǎo)通電阻可滿足需求，3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝的高度低至0.75mm。
Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規(guī)定，符合RoHS指令2011/65/EU。
器件規(guī)格表：
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器件型號 |
Si5411EDU |
Si5415AEDU |
SiSS23DN |
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VDS (V) |
-12 |
-20 |
-20 |
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|
VGS (V) |
± 8 |
± 8 |
± 8 |
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RDS(ON) (m?) @ |
4.5 V |
8.2 |
9.6 |
4.5 |
|
3.7 V |
9.4 |
- |
- |
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|
2.5 V |
11.7 |
13.2 |
6.3 |
|
|
1.8 V |
20.6 |
22.0 |
11.5 |
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封裝 |
PowerPAK ChipFET |
PowerPAK ChipFET |
PowerPAK 1212-8S |
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Vishay的P溝道Gen III系列包括60余款器件，占位面積從5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。有關(guān)MOSFET的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。
新款P溝道MOSFET現(xiàn)可提供樣品，并已實現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂貨的供貨周期為十三周。
VISHAY簡介
Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1000 強企業(yè)”，是全球分立半導(dǎo)體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大制造商之一。這些元器件可用于工業(yè)、計算、汽車、消費、電信、軍事、航空航天、電源及醫(yī)療市場中幾乎所有類型的電子設(shè)備和裝備。憑借產(chǎn)品創(chuàng)新、成功的收購戰(zhàn)略，以及“一站式”服務(wù)使Vishay成為了全球業(yè)界領(lǐng)先者。有關(guān)Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網(wǎng)站www.vishay.com。