存儲器毫無疑問是現(xiàn)在集成電路市場上的明星。

拋開過去一年飛漲的價格不提，未來幾年巨大的銷量預期也讓它成為各大廠商眼中的香餑餑，這也是吸引國內的長江存儲、合肥長鑫和福建晉華等企業(yè)大舉進軍存儲器產業(yè)的原因之一。但是隨著產品和應用的發(fā)展，傳統(tǒng)的電荷型存儲器性能已經無法滿足需求：

一方面在于Flash與DRAM速度差距大，導致“存儲墻”和“功耗墻”等問題的產生；另一方面信息存儲與計算分離，成為大數(shù)據(jù)處理實時性的瓶頸。于是業(yè)界開始探索新型存儲器，阻變存儲器（RRAM）就成為廠商們的一個選擇。由于擁有速度快、可靠性高、非揮發(fā)、多值存儲和高密度的特性，這種存儲能給滿足現(xiàn)在新興的人工智能等新興應用領域的需求。

雖然優(yōu)點不少，但我們同時也應該看到，RRAM面臨著機理不清、漲落大、可靠性不足、工藝集成問題和模擬阻變特性優(yōu)化等問題。在RRAM可靠性與表征的研究中，也同時還存在諸多挑戰(zhàn)：如在RRAM器件，需要考慮瞬態(tài)測量、循環(huán)次數(shù)測試、微觀原位表征；而在RRAM陣列，則有自動測試方法和讀取速度的困擾。