華為已正式將部分芯片的訂單交給中國(guó)最大的芯片代工廠中芯國(guó)際，由于華為對(duì)14nmFinFET工藝產(chǎn)能的強(qiáng)烈需求，市調(diào)機(jī)構(gòu)集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心指中芯國(guó)際因此計(jì)劃在今年內(nèi)將14nmFinFET工藝的月產(chǎn)能5000片，提高至3．5萬(wàn)片。

    中芯國(guó)際是中國(guó)大陸最大的芯片代工企業(yè)，其也擁有中國(guó)大陸本土芯片代工廠最先進(jìn)的14nmFinFET工藝。中芯國(guó)際在去年底成功投產(chǎn)14nmFinFET工藝，這是它在引入臺(tái)積電前資深技術(shù)研發(fā)處長(zhǎng)梁孟松后開(kāi)發(fā)的先進(jìn)工藝。

    在14nmFinFET工藝投產(chǎn)后，中芯國(guó)際可能擔(dān)憂客戶的問(wèn)題以及工藝初期良率水平較低的問(wèn)題，同時(shí)其資金也較為有限，因此初期的14nmFinFET工藝產(chǎn)能并不大，希望通過(guò)小規(guī)模投產(chǎn)來(lái)進(jìn)一步完善14nmFinFET工藝。

    然而2019年底美國(guó)對(duì)華為進(jìn)一步采取限制手段，要求臺(tái)積電采用美國(guó)專利超過(guò)10％的工藝不得為華為代工芯片，這迫使華為迅速轉(zhuǎn)單中芯國(guó)際。最先采用中芯國(guó)際14nmFinFET工藝的就是華為海思的麒麟710F，該款芯片已搭載于華為的榮耀play3上市銷售。華為是全球前十大半導(dǎo)體企業(yè)，其推出的芯片除了手機(jī)芯片之外，還包括電源管理芯片、網(wǎng)通處理器等眾多芯片，其是臺(tái)積電第二大客戶，對(duì)芯片制造產(chǎn)能的需求極為龐大，目前華為的先進(jìn)芯片麒麟990、麒麟820、麒麟985等芯片依然由臺(tái)積電采用7nm及更先進(jìn)工藝生產(chǎn)，不過(guò)如麒麟710F等中低端芯片以及電源管理芯片等其他芯片卻是采用技術(shù)較為落后的制造工藝，這些芯片都可以由中芯國(guó)際生產(chǎn)。

    從中芯國(guó)際今年計(jì)劃將14nmFinFET工藝產(chǎn)能提升6倍來(lái)看，可能它已獲得華為更多的芯片訂單，因此加快了14nmFinFET工藝產(chǎn)能擴(kuò)張的進(jìn)度，以滿足華為對(duì)該工藝的強(qiáng)烈需求。

    中芯國(guó)際獲得華為的芯片訂單對(duì)它有巨大的好處，華為的訂單可望為它帶來(lái)數(shù)十億美元的收入，加上此前它已獲得國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金II期及上海集成電路產(chǎn)業(yè)基金II期合計(jì)約22．5億美元的投資，這將有助于它為提升工藝產(chǎn)能和研發(fā)更先進(jìn)的工藝提供資金支持。

    事實(shí)上早前中芯國(guó)際就決定將今年的資本開(kāi)支從11億美元增加近三倍至43億美元，這對(duì)于它加快研發(fā)更先進(jìn)的N＋1工藝有很大的幫助，據(jù)稱N＋1工藝的性能將提升20％、功耗降低57％，性能將接近臺(tái)積電的7nm工藝，如此一來(lái)將有助于華為進(jìn)一步擺脫目前高度依賴臺(tái)積電的局面。

    由于美國(guó)因素的影響，從2014年中國(guó)成立集成電路產(chǎn)業(yè)基金支持國(guó)產(chǎn)芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā)展以來(lái)，中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)已取得許多成果，除了在手機(jī)芯片方面已在技術(shù)上與美國(guó)企業(yè)相當(dāng)之外，在AI、物聯(lián)網(wǎng)等芯片行業(yè)也已取得巨大的成果，目前中國(guó)芯片產(chǎn)業(yè)的最大瓶頸就是芯片制造工藝，在美國(guó)的壓力下，中國(guó)從芯片制造設(shè)備到芯片制造廠正全力推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈的完善，從而加速中國(guó)芯片制造的技術(shù)升級(jí)。