一、ATE：廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈，需求趨勢(shì)向上

（一）測(cè)試需求貫穿半導(dǎo)體設(shè)計(jì)、前道制造、后道封裝全程 

半導(dǎo)體測(cè)試貫穿設(shè)計(jì)、生產(chǎn)過(guò)程的核心環(huán)節(jié)。半導(dǎo)體測(cè)試就是通過(guò)測(cè)量半導(dǎo)體的輸 出響應(yīng)和預(yù)期輸出并進(jìn)行比較以確定或評(píng)估集成電路功能和性能的過(guò)程，其測(cè)試內(nèi) 容主要為電學(xué)參數(shù)測(cè)試。一般來(lái)說(shuō)，每個(gè)芯片都要經(jīng)過(guò)兩類測(cè)試：

（1）參數(shù)測(cè)試。參數(shù)測(cè)試是確定芯片管腳是否符合各種上升和下降時(shí)間、建立和保 持時(shí)間、高低電壓閾值和高低電流規(guī)范，包括DC（Direct Current）參數(shù)測(cè)試與AC （Alternating Current）參數(shù)測(cè)試。DC參數(shù)測(cè)試包括短路測(cè)試、開路測(cè)試、最大電 流測(cè)試等。AC參數(shù)測(cè)試包括傳輸延遲測(cè)試、建立和保持時(shí)間測(cè)試、功能速度測(cè)試等。這些測(cè)試通常都是與工藝相關(guān)的。CMOS輸出電壓測(cè)量不需要負(fù)載，而TTL器件則 需要電流負(fù)載。

（2）功能測(cè)試。功能測(cè)試決定芯片的內(nèi)部數(shù)字邏輯和模擬子系統(tǒng)的行為是否符合期 望。這些測(cè)試由輸入適量和相應(yīng)的響應(yīng)構(gòu)成。他們通過(guò)測(cè)試芯片內(nèi)部節(jié)點(diǎn)來(lái)檢查一 個(gè)驗(yàn)證過(guò)的設(shè)計(jì)是否正產(chǎn)工作。功能測(cè)試對(duì)邏輯電路的典型故障有很高的覆蓋率。

測(cè)試成本與測(cè)試時(shí)間成正比，而測(cè)試時(shí)間取決于測(cè)試行為，包括低速的參數(shù)測(cè)試和 高速的矢量測(cè)試（功能測(cè)試）。其中參數(shù)測(cè)試的時(shí)間與管腳的數(shù)目成比例，適量測(cè) 試的時(shí)間依賴于矢量的數(shù)目和時(shí)鐘頻率。測(cè)試的成本主要是功能測(cè)試。

半導(dǎo)體測(cè)試貫穿設(shè)計(jì)、制造、封裝、應(yīng)用全過(guò)程。從最初形成滿足特定功能需求的 芯片設(shè)計(jì)，經(jīng)過(guò)晶圓制造、封裝環(huán)節(jié)，在最終形成合格產(chǎn)品前，需要檢測(cè)產(chǎn)品是否符合各種規(guī)范。按生產(chǎn)流程分類。半導(dǎo)體測(cè)試可以按生產(chǎn)流程可以分為三類：驗(yàn)證 測(cè)試、晶圓測(cè)試測(cè)試、封裝檢測(cè)。

（1）驗(yàn)證測(cè)試：又稱實(shí)驗(yàn)室測(cè)試或特性測(cè)試，是在器件進(jìn)入量產(chǎn)之前驗(yàn)證設(shè)計(jì)是否 正確，需要進(jìn)行功能測(cè)試和全面的AC/DC。特性測(cè)試確定器件工作參數(shù)的范圍。通 常測(cè)試最壞情況，因?yàn)樗绕骄闆r更容易評(píng)估，并且通過(guò)此類測(cè)試的器件將會(huì)在 其他任何條件下工作。

（2）晶圓測(cè)試：每一塊加工完成后的芯片都需要進(jìn)行晶圓測(cè)試，他沒(méi)有特性測(cè)試全 面，但必須判定芯片是否符合設(shè)計(jì)的質(zhì)量和需求。測(cè)試矢量需要高的故障覆蓋率， 但不需要覆蓋所有的功能和數(shù)據(jù)類型。晶圓測(cè)試主要考慮的是測(cè)試成本，需要測(cè)試 時(shí)間最小，只做通過(guò)/不通過(guò)的判決。

（3）封裝測(cè)試：是在封裝完成后的測(cè)試。根據(jù)具體情況，這個(gè)測(cè)試內(nèi)容可以與生產(chǎn) 測(cè)試相似，或者比生產(chǎn)測(cè)試更全面一些，甚至可以在特定的應(yīng)用系統(tǒng)中測(cè)試。封裝 測(cè)試最重要的目標(biāo)就是避免將有缺陷的器件放入系統(tǒng)之中。晶圓測(cè)試又稱前道測(cè)試、 “Circuit porbing”（即CP測(cè)試）、“Wafer porbing”或者“Die sort”。晶圓測(cè)試大 致分為兩個(gè)步驟：①單晶硅棒經(jīng)標(biāo)準(zhǔn)制程制作的晶圓，在芯片之間的劃片道上會(huì)有 預(yù)設(shè)的測(cè)試結(jié)構(gòu)圖，在首層金屬刻蝕完成后，對(duì)測(cè)試結(jié)構(gòu)圖進(jìn)行晶圓可靠性參數(shù)測(cè) 試（WAT）來(lái)監(jiān)控晶圓制作工藝是否穩(wěn)定，對(duì)不合格的芯片進(jìn)行墨點(diǎn)標(biāo)記，得到芯 片和微電子測(cè)試結(jié)構(gòu)的統(tǒng)計(jì)量；②晶圓制作完成后，針對(duì)制作工藝合格的晶圓再進(jìn) 行CP測(cè)試（Circuit Probing），通過(guò)完成晶圓上芯片的電參數(shù)測(cè)試，反饋芯片設(shè)計(jì) 環(huán)節(jié)的信息。完成晶圓測(cè)試后，合格產(chǎn)品才會(huì)進(jìn)入切片和封裝步驟。

封裝測(cè)試：在一個(gè)Die封裝之后，需要經(jīng)過(guò)生產(chǎn)流程中的再次測(cè)試。這次測(cè)試稱為 “Final test”（即通常說(shuō)的FT測(cè)試）或“Package test”、成品測(cè)試。在電路的特性要 求界限方面，F(xiàn)T測(cè)試通常執(zhí)行比CP測(cè)試更為嚴(yán)格的標(biāo)準(zhǔn)。芯片也許會(huì)在多組溫度條 件下進(jìn)行多次測(cè)試以確保那些對(duì)溫度敏感的特征參數(shù)。商業(yè)用途（民品）芯片通常會(huì)經(jīng)過(guò)0℃、25℃和75℃條件下的測(cè)試，而軍事用途（軍品）芯片則需要經(jīng)過(guò) -55℃、 25℃和125℃。

不同測(cè)試環(huán)節(jié)的測(cè)試參數(shù)和應(yīng)用場(chǎng)景稍有區(qū)別。晶圓測(cè)試的對(duì)象是未劃片的整個(gè)晶 圓，屬于在前端工序中對(duì)半成品的測(cè)試，目的是監(jiān)控前道工藝良率，并降低后道封 裝成本。而成品測(cè)試是對(duì)完成封裝的集成電路產(chǎn)品進(jìn)行最后的質(zhì)量檢測(cè)，主要是針 對(duì)芯片應(yīng)用方面的測(cè)試，有些甚至是待機(jī)測(cè)試，以保證出廠產(chǎn)品的合格率。CP測(cè)試 與成品測(cè)試的測(cè)試參數(shù)大體是相似的，但由于探針的容許電流有限，CP測(cè)試通常不 能進(jìn)行大電流測(cè)試項(xiàng)。此外，CP測(cè)試的常見(jiàn)室溫為25℃左右，而成品測(cè)試有時(shí)需要 在75-90℃的溫度下進(jìn)行。

半導(dǎo)體檢測(cè)是產(chǎn)品良率和成本管理的重要環(huán)節(jié)，在半導(dǎo)體制造過(guò)程有著舉足輕重的 地位。面臨降低測(cè)試成本和提高產(chǎn)品良率的壓力，測(cè)試環(huán)節(jié)將在產(chǎn)業(yè)鏈中占據(jù)更為 重要的地位。摩爾定律預(yù)測(cè)，芯片上的元器件數(shù)目每隔18個(gè)月會(huì)增加一倍，單位元 器件的材料成本和制造成本會(huì)成倍降低，但芯片的復(fù)雜化將使測(cè)試成本不斷增加。根據(jù)ITRS的數(shù)據(jù)，單位晶體管的測(cè)試成本在2012年前后與制造成本持平，并在2014 年之后完成超越，占據(jù)芯片總成本的35-55%。另外，隨著芯片制程不斷突破物理極 限，集成度也越來(lái)越高，測(cè)試環(huán)節(jié)對(duì)產(chǎn)品良率的監(jiān)控將會(huì)愈發(fā)重要。

（二）ATE 迭代速度較慢，設(shè)備商充分享受技術(shù)沉淀成果 

ATE迭代速度較慢，主力產(chǎn)品生命周期長(zhǎng)。半導(dǎo)體自動(dòng)化測(cè)試系統(tǒng)不屬于工藝設(shè)備， 和制程的直接相關(guān)度較低，產(chǎn)品迭代速度較慢，單類產(chǎn)品的存在時(shí)間較長(zhǎng)，設(shè)備商 享受技術(shù)沉淀成果。市場(chǎng)目前主流的ATE多是在同一測(cè)試技術(shù)平臺(tái)通過(guò)更換不同測(cè) 試模塊來(lái)實(shí)現(xiàn)多種類別的測(cè)試，提高平臺(tái)延展性。例如國(guó)際半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)龍頭泰瑞 達(dá)的模擬及數(shù)?；旌蠝y(cè)試平臺(tái)ETS-364/ETS-600由Eagle Test System于2001年推 出，目前仍在泰瑞達(dá)官網(wǎng)銷售。愛(ài)德萬(wàn)的V93000機(jī)型、T2000機(jī)型分別于1999年、 2003年推出。根據(jù)愛(ài)德萬(wàn)官方數(shù)據(jù)，2014年V93000出貨超過(guò)500臺(tái)，截至2015年3 月16日累計(jì)出貨4000臺(tái)，2017年更是創(chuàng)下累計(jì)出貨5000臺(tái)的記錄，即使在2019年 也有單筆訂單超過(guò)30臺(tái)的情況。

而這兩款機(jī)型之所以能夠維持如此好的銷售成績(jī)，是因?yàn)锳TE設(shè)備僅需更換測(cè)試模 塊和板卡就可實(shí)現(xiàn)多種類測(cè)試以及測(cè)試性能提升，而不需要更換機(jī)器。V93000在更 換AVI64模塊之后將測(cè)試范圍擴(kuò)大到了電源市場(chǎng)和模擬市場(chǎng)，而更換PVI8板卡后不 僅可以實(shí)現(xiàn)大功率電壓/電流的測(cè)量，并且測(cè)試速度更快，測(cè)量更精準(zhǔn)，更換Wave Scale板卡后可實(shí)現(xiàn)高并行，多芯片同測(cè)及芯片內(nèi)并行測(cè)試，大大降低了測(cè)試成本與 時(shí)間。而T2000也可以通過(guò)組合不同的模塊完成對(duì)SoC器件、RF、CMOS圖像、大 功率器件以及IGBT的測(cè)試。于是一款A(yù)TE設(shè)備可以在市場(chǎng)上存在20年之久且依然有良好的銷售業(yè)績(jī)，設(shè)備商從而可以享受技術(shù)沉淀的成果。

半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)的技術(shù)核心在于功能集成、精度與速度、與可延展性。隨著芯片工藝 的發(fā)展，一片芯片上承載的功能越來(lái)越多，測(cè)試機(jī)需要測(cè)試的范圍也越來(lái)越大，這 就對(duì)測(cè)試機(jī)提出了考驗(yàn)，測(cè)試機(jī)的測(cè)試覆蓋范圍越廣，能夠測(cè)試的項(xiàng)目越多，就越 受客戶青睞。同時(shí)，企業(yè)購(gòu)買測(cè)試機(jī)就是為了把不符合要求的產(chǎn)品精準(zhǔn)地判斷出來(lái)， 于是測(cè)試機(jī)的測(cè)試精度也成了技術(shù)核心之一，測(cè)試精度的重要指標(biāo)包括測(cè)試電流、 電壓、電容、時(shí)間量等參數(shù)的精度，先進(jìn)設(shè)備一般能夠在電流測(cè)量上能達(dá)到皮安（pA） 量級(jí)的精度，在電壓測(cè)量上達(dá)到微伏（μV）量級(jí)的精度，在電容測(cè)量上能達(dá)到0.01 皮法（pF）量級(jí)的精度，在時(shí)間量測(cè)量上能達(dá)到百皮秒（pS）。同時(shí)，隨著市場(chǎng)對(duì) 半導(dǎo)體的需求越來(lái)越大，半導(dǎo)體生產(chǎn)商為了提高出貨速度，會(huì)希望測(cè)試的時(shí)間越少 越好，這就要求測(cè)試機(jī)的測(cè)試速度越快越好，主要指標(biāo)有響應(yīng)速度等，先進(jìn)設(shè)備的 響應(yīng)速度一般都達(dá)到了微秒級(jí)。最后，因?yàn)榘雽?dǎo)體的測(cè)試要求不同且發(fā)展很快，而 測(cè)試機(jī)的投入較高，測(cè)試機(jī)的可延展性也成為了買家關(guān)心的重點(diǎn)，這項(xiàng)技術(shù)具體體 現(xiàn)在測(cè)試機(jī)能否根據(jù)需要靈活地增加測(cè)試功能、通道和工位數(shù)。例如愛(ài)德萬(wàn)的T2000 測(cè)試機(jī)就可以通過(guò)組合不同的測(cè)試模塊從而靈活實(shí)現(xiàn)對(duì)數(shù)字、電源、模擬、功率器 件、圖像傳感器和射頻的測(cè)試等。

跟隨半導(dǎo)體產(chǎn)品不斷推進(jìn)的測(cè)試需求。測(cè)試機(jī)的價(jià)格相對(duì)昂貴，通常為數(shù)百萬(wàn)元， 針對(duì)不同測(cè)試對(duì)象而頻繁更換測(cè)試機(jī)將帶來(lái)大量資本開支。因此，目前的高端測(cè)試 機(jī)已經(jīng)由自動(dòng)測(cè)試設(shè)備向開放式測(cè)試平臺(tái)方向發(fā)展，基于開放式系統(tǒng)（如 OpenStar2000等），通過(guò)搭建自定義的PXI模塊，以適應(yīng)日益增多的待測(cè)參數(shù)需求， 增強(qiáng)了測(cè)試機(jī)的靈活性和兼容性。

由于元器件設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工藝的不斷進(jìn)步，器件性能迅速提升，產(chǎn)品生命周期越來(lái)越 短，相應(yīng)的測(cè)試設(shè)備也必須及時(shí)升級(jí)換代，近年來(lái)國(guó)內(nèi)集成電路測(cè)試需求主要包括：①模擬信號(hào)測(cè)試強(qiáng)調(diào)大功率、高精度、覆蓋關(guān)鍵交流參數(shù)；②數(shù)字信號(hào)測(cè)試從中低 速向高速跨越式發(fā)展，測(cè)試通道數(shù)倍增；③混合信號(hào)測(cè)試從模擬信號(hào)測(cè)試中逐漸剝 離，追求高速、高帶寬、高采樣率，射頻（RF）測(cè)試的需求日漸增長(zhǎng)；④存儲(chǔ)器測(cè) 試產(chǎn)品更新?lián)Q代較快，需要獨(dú)立的測(cè)試平臺(tái)。

（三）具備可觀的市場(chǎng)空間，需求趨勢(shì)向上 

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備具備可觀的市場(chǎng)空間。半導(dǎo)體檢測(cè)（包括過(guò)程工藝控制與半導(dǎo)體測(cè) 試）的廣泛應(yīng)用以及對(duì)良率和成本的重要性，總體檢測(cè)設(shè)備的投資與光刻、刻蝕等 關(guān)鍵工藝相差無(wú)幾。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，在全球半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)中，近年來(lái)前段晶圓加 工設(shè)備部分，光刻、刻蝕、薄膜沉積設(shè)備各占約20%的市場(chǎng)；在檢測(cè)設(shè)備領(lǐng)域，包 括工藝過(guò)程控制、CP測(cè)試、FT測(cè)試等，其占整個(gè)半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)空間的大致在 15%~20%，其中半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備（包括ATE、探針臺(tái)、分選機(jī)）大概占比8%~10%。

半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備主要包括三類：ATE、探針臺(tái)、分選機(jī)。其中測(cè)試功能由測(cè)試機(jī)實(shí) 現(xiàn)，而探針臺(tái)和分選機(jī)實(shí)現(xiàn)的則是機(jī)械功能，將被測(cè)晶圓/芯片揀選至測(cè)試機(jī)進(jìn)行檢 測(cè)。探針臺(tái)和分選機(jī)的主要區(qū)別在于，探針臺(tái)針對(duì)的是晶圓級(jí)檢測(cè)，而分選機(jī)則是 針對(duì)封裝的芯片級(jí)檢測(cè)。根據(jù)SEMI，ATE大致占到半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的2/3，探針臺(tái) 和分選機(jī)合計(jì)占到半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備的1/3。

從ATE的歷史發(fā)展看，1960s行業(yè)起步，在1990s~2000s伴隨下游行業(yè)快速增長(zhǎng)。在 半導(dǎo)體行業(yè)上一輪大的景氣周期中（2001年-2009年），全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備銷售額在2006年達(dá)到頂點(diǎn)，當(dāng)年銷售額達(dá)到64.2億美元，占半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額的 15.9%。值得注意的是，在這一時(shí)期半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)處于快速成長(zhǎng)期，下游需 求旺盛，市場(chǎng)也在不斷推出更適應(yīng)當(dāng)前需求的新產(chǎn)品，測(cè)試成本占比較高，在2003 年到2006年半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備占半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額的比重都超過(guò)15%。而隨著測(cè)試 產(chǎn)品逐步成熟，下游需求增長(zhǎng)放緩，市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)開始加劇，測(cè)試設(shè)備成本被壓縮，主 要的成本向前道（主要是光刻、刻蝕、薄膜沉積設(shè)備、過(guò)成功工藝控制等）傾斜， 同時(shí)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)份額逐步向頭部集中。目前全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)已經(jīng)非常成 熟，測(cè)試設(shè)備占半導(dǎo)體設(shè)備銷售額穩(wěn)定在8%~10%。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2018年全球半 導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備整體市場(chǎng)規(guī)模約56.3億美元，其中，SoC類和數(shù)字集成電路測(cè)試設(shè)備 市場(chǎng)規(guī)模約為25.5億美元。2015-2018年全球半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備需求穩(wěn)步增長(zhǎng)，年均復(fù) 合增速達(dá)到19.0%。

二、豐富的產(chǎn)業(yè)鏈客戶，國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)推動(dòng)市場(chǎng)擴(kuò)張

（一）設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)三大環(huán)節(jié)，半導(dǎo)體全面國(guó)產(chǎn)化蘊(yùn)藏機(jī)遇 

對(duì)應(yīng)測(cè)試在半導(dǎo)體設(shè)計(jì)制造過(guò)程的應(yīng)用，半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)企業(yè)的客戶包含：（1）IDM 模式下，IDM廠商。（2）晶圓分工模式下，IC設(shè)計(jì)企業(yè)（Fabless）、代工廠、封 裝測(cè)試企業(yè)（OSAT）。此外，對(duì)國(guó)際大廠而言，原始設(shè)備制造商（OEM）是非常 重要的一類客戶，主要通過(guò)直接采購(gòu)、以及通過(guò)對(duì)代工廠、封測(cè)廠的間接采購(gòu)。 

從對(duì)ATE的需求量來(lái)看，封測(cè)環(huán)節(jié)>制造環(huán)節(jié)>設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)。在封測(cè)環(huán)節(jié)，成品測(cè)試要 求每一顆都要全參數(shù)測(cè)試，測(cè)試量大。晶圓制造環(huán)節(jié)，由于是半成品，所以以測(cè)試 基本功能和主要參數(shù)為主，一般都是多工位測(cè)試，測(cè)試效率高，整體對(duì)測(cè)試機(jī)的需 求量低于封測(cè)廠。設(shè)計(jì)公司買測(cè)試機(jī)目的是工程驗(yàn)證，以及問(wèn)題驗(yàn)證和解決，對(duì)測(cè) 試機(jī)的需求量相對(duì)較小。

因而，對(duì)ATE廠商來(lái)說(shuō)，晶圓制造廠商（包括IDM和代工廠）以及封測(cè)廠是設(shè)備直 接采購(gòu)主力。值得注意的是，設(shè)計(jì)廠商、以及OEM也是重要的客戶，包括直接采購(gòu)， 以及通過(guò)對(duì)代工廠、封測(cè)廠的間接采購(gòu)。代工廠、封測(cè)廠往往會(huì)基于OEM、IDM以 及設(shè)計(jì)廠的要求或建議來(lái)采購(gòu)ATE。從泰瑞達(dá)的客戶結(jié)構(gòu)看，近幾年，單一客戶曾 創(chuàng)造當(dāng)年10%以上的收入的客戶包括蘋果公司、臺(tái)積電等。根據(jù)泰瑞達(dá)年報(bào)， 2012-2013年公司來(lái)自蘋果公司的收入占公司總收入達(dá)到10%、12%。2016-2017 年公司來(lái)自臺(tái)積電的收入占比達(dá)到12%~13%。而考慮直接采購(gòu)、以及通過(guò)代工廠與 封測(cè)廠間接采購(gòu)，在2014-2016年某OEM客戶收入占泰瑞達(dá)總收入的比重達(dá)到22%、 23%、25%，這其中包含了通過(guò)臺(tái)積電、JA Mitsui Leasing公司的銷售。近兩年， 來(lái)自華為的需求快速增長(zhǎng)，根據(jù)泰瑞達(dá)2019年年報(bào)，2017-2019年公司來(lái)自華為的 銷售收入（包括直接采購(gòu)，以及通過(guò)代工廠、封測(cè)廠采購(gòu)）的占比分別達(dá)到1%、4%、 11%。泰瑞達(dá)2019年收入22.95億美元，由此計(jì)算2019年公司來(lái)自華為的銷售收入 達(dá)到2.52億美元。

從國(guó)內(nèi)公司的情況看，國(guó)內(nèi)ATE廠商需求主要來(lái)自國(guó)內(nèi)封測(cè)廠，主要是受益國(guó)內(nèi)封 測(cè)產(chǎn)業(yè)近年來(lái)的快速擴(kuò)張。包括長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電等3家國(guó)內(nèi)封測(cè)領(lǐng)先 企業(yè)，2013-2018年合計(jì)收入規(guī)模從93.2億元擴(kuò)張至382.0億元，年均復(fù)合增速 32.6%；相對(duì)應(yīng)的，三家企業(yè)2013-2018年資本開支水平從17.7億元增長(zhǎng)至81.8億元， 年均復(fù)合增速35.9%。這一時(shí)期，持續(xù)快速擴(kuò)張的國(guó)內(nèi)封測(cè)巨頭是國(guó)內(nèi)ATE廠商最 重要的客戶，占據(jù)收入份額的絕大部分。以長(zhǎng)川科技為例，2014-2016年公司的前 兩大客戶華天科技、長(zhǎng)電科技占公司總收入的比重每年均超過(guò)60%，前五大客戶收 入占比均在80%左右。

而隨著當(dāng)下國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全面國(guó)產(chǎn)化，產(chǎn)業(yè)鏈前端的制造、設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，對(duì)國(guó)內(nèi)ATE 需求將得到顯著提升，豐富的產(chǎn)業(yè)鏈客戶有助于國(guó)內(nèi)ATE需求的穩(wěn)健攀升。以華峰 測(cè)控為例， 2018年公司收入2.19億元，是2016年收入的1.95倍。其中客戶結(jié)構(gòu)顯 示以下變化：（1）客戶集中度進(jìn)一步下降，2018年公司前五大客戶集中度僅38.6%， 較2016年下降10.1個(gè)百分點(diǎn)。（2）發(fā)展了豐富的設(shè)計(jì)企業(yè)客戶資源。2017-2018年 設(shè)計(jì)企業(yè)芯源系統(tǒng)連續(xù)兩年進(jìn)入公司前五大客戶，2017-2018年公司來(lái)自芯源系統(tǒng) 的收入分別為1458萬(wàn)元、1444萬(wàn)元。根據(jù)公司招股書，公司擁有百家集成電路設(shè)計(jì) 企業(yè)客戶資源，也與超過(guò)三百家以上的集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)保持了業(yè)務(wù)合作關(guān)系。（3） 制造環(huán)節(jié)的客戶需求在增加。根據(jù)公司招股說(shuō)明書，2016-2018年華潤(rùn)微進(jìn)入公司 前五大客戶，收入分別為554萬(wàn)元、1253萬(wàn)元、880萬(wàn)元；2019年5月取得萬(wàn)國(guó)半導(dǎo) 體1008萬(wàn)元的測(cè)試設(shè)備訂單。

（二）設(shè)計(jì)廠商/OEM：以華為為代表，需求潛力已逐步顯現(xiàn) 

設(shè)計(jì)廠商主要負(fù)責(zé)芯片的設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)，他們會(huì)直接對(duì)測(cè)試設(shè)備產(chǎn)生需求，也會(huì)間接推 動(dòng)自己的代工廠購(gòu)買同一家企業(yè)的測(cè)試設(shè)備從而產(chǎn)生需求。隨著國(guó)內(nèi)研發(fā)能力的不 斷增強(qiáng)，不少國(guó)內(nèi)芯片設(shè)計(jì)企業(yè)開始占據(jù)領(lǐng)先地位，根據(jù)智研咨詢數(shù)據(jù)，2018年中 國(guó)有11家企業(yè)上榜全球前五十芯片設(shè)計(jì)企業(yè)，而在2009年，這個(gè)數(shù)據(jù)僅為1家，而 隨著5G、AI等新一輪科技逐漸走向產(chǎn)業(yè)化，國(guó)內(nèi)芯片行業(yè)將會(huì)迎來(lái)良好發(fā)展，從而 給國(guó)內(nèi)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)帶來(lái)需求。我們統(tǒng)計(jì)了10家芯片設(shè)計(jì)上市公司的數(shù)據(jù)，包括匯 頂科技、兆易創(chuàng)新、紫光國(guó)微等，10家公司2019Q3營(yíng)業(yè)收入155.5億元，同比增長(zhǎng) 49.7%；10家公司2019年歸母凈利潤(rùn)57.6億元，同比增長(zhǎng)81.6%。2016-2019年十家 公司歸母凈利潤(rùn)的年均復(fù)合增速達(dá)到44.3%。

華為產(chǎn)業(yè)鏈加速國(guó)產(chǎn)化的機(jī)遇。處于供應(yīng)鏈安全考量，華為產(chǎn)業(yè)鏈有望加速國(guó)產(chǎn)化， 包括代工行業(yè)、封測(cè)行業(yè)都有望受益華為需求向國(guó)內(nèi)轉(zhuǎn)移的良好機(jī)遇。華為對(duì)ATE 的需求路徑包括：（1）華為自身的測(cè)試需求，包括各部門的實(shí)驗(yàn)室等。（2）對(duì)產(chǎn) 業(yè)鏈服務(wù)需求的增長(zhǎng)，包括對(duì)代工環(huán)節(jié)、封測(cè)環(huán)節(jié)的需求增長(zhǎng)，由此推動(dòng)ATE需求。其中華為可能影響對(duì)應(yīng)代工廠、封測(cè)廠對(duì)ATE產(chǎn)品的選擇。

根據(jù)泰瑞達(dá)2019年年報(bào)，2019年泰瑞達(dá)來(lái)自華為（包括直接及間接）的收入占公司 總收入比重達(dá)到11%，達(dá)到2.52億美元，來(lái)自華為的需求正快速增長(zhǎng)，未來(lái)需求仍 然有進(jìn)一步提升的空間。根據(jù)泰瑞達(dá)2016年年報(bào)，在2014-2016年某OEM客戶收入 占泰瑞達(dá)總收入的比重達(dá)到22%、23%、25%（其中包含了通過(guò)臺(tái)積電、JA Mitsui Leasing公司的銷售），由此計(jì)算該OEM客戶2014-2016年貢獻(xiàn)泰瑞達(dá)收入達(dá)到3.62 億美元、3.77億美元、4.38億美元。

在封測(cè)環(huán)節(jié)，目前為止華為主要以外包測(cè)試為主，主要是國(guó)內(nèi)及中國(guó)臺(tái)灣封測(cè)廠。以華為海思為例，2018年收入501億元，同比增長(zhǎng)34%。按照采購(gòu)成本60億美元， 其中封測(cè)成本占比25%計(jì)算，則華為海思每年的封測(cè)訂單需求為15億美元；同時(shí)海 思仍保持較高的增長(zhǎng)。因此，華為等半導(dǎo)體需求大客戶的轉(zhuǎn)單將給中國(guó)內(nèi)地封測(cè)廠 商帶來(lái)明顯增量，使得中國(guó)內(nèi)地封測(cè)行業(yè)的景氣度回升高于全球平均水平。

在制造環(huán)節(jié)，中芯國(guó)際第一代14nm FinFET已成功量產(chǎn)并于2019Q4貢獻(xiàn)有意義的營(yíng) 收（客戶以國(guó)內(nèi)為主，產(chǎn)品涵蓋中低端手機(jī)CPU、Modem及礦機(jī)等），產(chǎn)能計(jì)劃從 當(dāng)前3-5K/月擴(kuò)充至2020年底的15K/月；12nm FinFET已進(jìn)入風(fēng)險(xiǎn)生產(chǎn)，同時(shí)第二代 FinFET N+1技術(shù)平臺(tái)研發(fā)與客戶導(dǎo)入進(jìn)展順利。（詳見(jiàn)廣發(fā)海外報(bào)告《中芯國(guó)際 （00981.HK）：半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化持續(xù)加速，需求能見(jiàn)度不斷提升》）。

根據(jù)華峰測(cè)控招股說(shuō)明書，公司已經(jīng)成為華為全球范圍類測(cè)試設(shè)備的供應(yīng)商，2019 年8月與華為機(jī)器有限公司簽訂測(cè)試機(jī)正式合同，合同金額1947.15萬(wàn)元。

（三）制造環(huán)節(jié)：存儲(chǔ)器廠與代工廠雙重?cái)U(kuò)產(chǎn)紅利 

國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)將充分受益邏輯廠與存儲(chǔ)器廠雙倍投資強(qiáng)度，具體的擴(kuò)產(chǎn)邏輯 有所區(qū)別：

1.晶圓代工廠。代工模式的核心在于“服務(wù)”，晶圓代工廠通常提供一個(gè)工藝技術(shù) 平臺(tái)，根據(jù)客戶需求提供客制化產(chǎn)品與服務(wù)，發(fā)展壯大的關(guān)鍵在于覆蓋更多的客戶、 滿足客戶更多的需求，因而晶圓代工廠的擴(kuò)廠也是為了匹配客戶需求、通常是順應(yīng) 市場(chǎng)需求發(fā)展趨勢(shì)的。當(dāng)市場(chǎng)需求旺盛時(shí)，積極的資本開支以滿足日益增長(zhǎng)的下游 需求，也是公司未來(lái)成長(zhǎng)的動(dòng)力。面向客戶需求，晶圓代工廠的產(chǎn)能擴(kuò)張情景主要 有2類：（1）產(chǎn)能需求。即現(xiàn)有產(chǎn)能利用飽滿，為匹配客戶產(chǎn)能需求而擴(kuò)大產(chǎn)能。（2）工藝需求。即為滿足客戶更多需求或者擴(kuò)大客戶覆蓋面，進(jìn)行工藝升級(jí)而新增 產(chǎn)能。

2019年以來(lái)行業(yè)的積極變化是，產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)攀升，晶圓代工廠產(chǎn)能利用率不斷 提升，促使代工廠積極規(guī)劃資本開支。以中芯國(guó)際為例，根據(jù)公司季度報(bào)告，中芯 國(guó)際19Q4的產(chǎn)能利用率進(jìn)一步提升至98.8%，公司計(jì)劃2020年資本開支31億美元， 較2019年的20億美元大幅提升。

2.存儲(chǔ)器廠。與代工廠不同，存儲(chǔ)器廠采用IDM模式，直接提供半導(dǎo)體產(chǎn)品。由于存 儲(chǔ)芯片技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)化程度高，各家廠商的產(chǎn)品容量、封裝形式都遵循標(biāo)準(zhǔn)的接口，性 能也無(wú)太大差別，在同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)情況下，存儲(chǔ)廠商通過(guò)提升制造工藝，提供制造產(chǎn) 能，利用規(guī)模優(yōu)勢(shì)降低成本，從而贏得市場(chǎng)。為了提高競(jìng)爭(zhēng)力、搶占市場(chǎng)份額，存 儲(chǔ)器廠可能采取逆市擴(kuò)張的策略。

當(dāng)前中國(guó)存儲(chǔ)器產(chǎn)業(yè)面臨重大機(jī)遇，促使國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠商積極進(jìn)行工藝研發(fā)與產(chǎn)能 建設(shè)，長(zhǎng)期性與規(guī)模性的下游投資將對(duì)國(guó)產(chǎn)裝備創(chuàng)造極佳的成長(zhǎng)環(huán)境。其中長(zhǎng)江存 儲(chǔ)與合肥長(zhǎng)鑫都將在2020年進(jìn)入積極的產(chǎn)能爬坡期，預(yù)期將促使設(shè)備需求大幅增長(zhǎng)。根據(jù)集邦咨詢，19年Q4長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能2萬(wàn)片/月（12英寸），20年底有望擴(kuò)產(chǎn)至7萬(wàn) 片/月；合肥長(zhǎng)鑫目前產(chǎn)能2萬(wàn)片/月，預(yù)計(jì)2020年第一季度末達(dá)到4萬(wàn)片/月。

中芯國(guó)際：產(chǎn)能利用率維持高位，20年計(jì)劃資本開支強(qiáng)勁。由于TWS、多攝像頭、 超薄指紋識(shí)別等持續(xù)滲透，中芯國(guó)際的CIS、Power IC、Fingerprint IC、Bluetooth IC 以及Specialty Memory等產(chǎn)品下游需求保持旺盛，產(chǎn)業(yè)景氣度持續(xù)攀升，公司產(chǎn)能 利用率持續(xù)提升。根據(jù)公司業(yè)績(jī)公布，2019Q4公司產(chǎn)能利用率達(dá)到98.8%，已經(jīng)是 2016年以來(lái)最高水平，較上一季度繼續(xù)提升1.8個(gè)百分點(diǎn)，較上年同期提升8.9個(gè)百 分點(diǎn)。2019Q4中芯國(guó)際實(shí)現(xiàn)營(yíng)業(yè)收入8.39億美元，同比增長(zhǎng)6.6%，結(jié)束了連續(xù)3個(gè) 季度的持續(xù)下滑；2019Q4公司毛利率23.8%，較上一季度提高3.0個(gè)百分點(diǎn)，較上 年同期提高6.8個(gè)百分點(diǎn)，主要得益于產(chǎn)能利用率的持續(xù)提升。根據(jù)19Q4業(yè)績(jī)報(bào)告， 公司預(yù)計(jì)2020年將重啟成長(zhǎng)。目前看一季度營(yíng)收比季節(jié)性來(lái)得好。2020Q1公司收 入指引仍保持環(huán)比增長(zhǎng)（2%~2%），得益于成熟制程產(chǎn)能利用率的持續(xù)滿載；毛利 率指引略有下滑（由23.8%下滑至21%~23%），下滑主要由于14nm產(chǎn)能開始爬坡。

半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化持續(xù)加速。2019Q4中芯國(guó)際與華虹半導(dǎo)體營(yíng)業(yè)收入中，來(lái)自中國(guó)區(qū)收 入占比分別達(dá)到65.1%、63.2%，分別較2019Q1提高11.2個(gè)百分點(diǎn)、10.4個(gè)百分點(diǎn)， 顯示半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程加速。

順應(yīng)市場(chǎng)需求，新一輪資本支出計(jì)劃將啟動(dòng)，產(chǎn)能擴(kuò)張逐步顯現(xiàn)。根據(jù)公司季度報(bào) 告，2019Q4中芯國(guó)際資本開支4.92億美元，2019年全年資本開支20.29億美元，略 高于2018年資本開支18.13億美元，接近公司在2018Q4給出的19年資本開支指引21 億美元。為了順應(yīng)下游客戶需求，公司在季報(bào)中提出，將啟動(dòng)新一輪資本支出計(jì)劃， 公司計(jì)劃2020年用于晶圓廠運(yùn)作的資本開支約為31億美元，其中20億美元用于擴(kuò)充 擁有多數(shù)股權(quán)的上海300mm晶圓廠產(chǎn)能，上年為12億美元；5億美元用于擴(kuò)充多數(shù) 股權(quán)的北京300mm晶圓廠產(chǎn)能，上年該項(xiàng)資本支出計(jì)劃為2億美元。

除了中芯國(guó)際，華虹半導(dǎo)體的無(wú)錫12英寸廠房在未來(lái)兩年也將處于產(chǎn)能快速爬坡階 段，將由當(dāng)前的1萬(wàn)片/月擴(kuò)充至2021年底的3萬(wàn)片/月。根據(jù)集微網(wǎng)，2019年9月華虹 無(wú)錫廠12寸線建成投片，開始55納米芯片產(chǎn)品制造，該項(xiàng)目總投資100億美元，月 產(chǎn)能4萬(wàn)片。該項(xiàng)目于18年3月開工，目前已完成1萬(wàn)片產(chǎn)能所需的設(shè)備安裝和調(diào)試， 通線投產(chǎn)后將迅速爬坡，形成量產(chǎn)能力。

2019年公司用于華虹無(wú)錫12寸廠的資本開支合計(jì)7.91億美元；用于華虹宏力8寸廠 的資本開支合計(jì)1.31億美元。由于產(chǎn)業(yè)景氣度回暖及成熟制程需求良好，華虹半導(dǎo)體產(chǎn)能利用率從2019Q1的87.3%提升至2019Q3的96.5%。2019Q4公司的產(chǎn)能利用 率下滑至88.0%，主要是受無(wú)錫12寸廠在19Q4投產(chǎn)影響，其中8寸廠產(chǎn)能利用率 92.5%、12寸廠產(chǎn)能利用率31.6%。

下游需求旺盛疊加國(guó)產(chǎn)化趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)晶圓代工市場(chǎng)景氣上行，產(chǎn)能利用率攀升，推 動(dòng)代工廠積極擴(kuò)產(chǎn)。當(dāng)前國(guó)內(nèi)晶圓代工廠呈現(xiàn)先進(jìn)與成熟工藝擴(kuò)產(chǎn)并行的狀態(tài)，為 國(guó)產(chǎn)狀態(tài)發(fā)展提供了充分的空間。當(dāng)前國(guó)內(nèi)晶圓代工廠的擴(kuò)產(chǎn)力量按照工藝水平可 以劃分三類：

1.面向先進(jìn)制程的12寸晶圓廠。以中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)為代表的國(guó)內(nèi)頭部晶圓代工 廠，目標(biāo)市場(chǎng)面向先進(jìn)制程。包括中芯國(guó)際北京12寸廠（28nm）、中芯南方上海12 寸廠（14nm）、華力集成二期（28-14nm）、弘芯武漢12寸廠（14nm）。

2.面向成熟制程的12寸晶圓廠。由于大尺寸硅晶圓的發(fā)展趨勢(shì)，國(guó)內(nèi)存在著一批面 向成熟制程的12寸晶圓廠正在擴(kuò)產(chǎn)中。包括華虹無(wú)錫12寸廠（90-65nm）、晶合集 成合肥12寸廠（180-55nm）、萬(wàn)國(guó)半導(dǎo)體重慶12寸廠（90nm）、士蘭微廈門12寸 廠（90nm）、粵芯廣州12寸廠（180-130nm）。

3.其余8寸廠/6寸廠等。包括中芯國(guó)際紹興、寧波、天津8寸廠、士蘭微8寸廠、積塔 半導(dǎo)體上海8寸廠、燕東微電子北京8寸廠等等。19年底以來(lái)半導(dǎo)體市況明顯回溫， 8英寸晶圓代工產(chǎn)能已吃緊。包括臺(tái)積電、聯(lián)電、世界先進(jìn)的8英寸代工產(chǎn)能滿載。伴隨著旺盛的市場(chǎng)需求，國(guó)內(nèi)8英寸也迎來(lái)擴(kuò)產(chǎn)浪潮。

對(duì)國(guó)產(chǎn)裝備而言，下游形成梯隊(duì)的晶圓廠建設(shè)為其提供了充分的發(fā)展舞臺(tái)。既有面 向國(guó)際先進(jìn)水平的先進(jìn)制程市場(chǎng)，又有當(dāng)前主流的12寸成熟制程市場(chǎng)，此外眾多的8 寸廠等為國(guó)產(chǎn)裝備提供了良好的過(guò)渡市場(chǎng)。整體上看，國(guó)內(nèi)各梯隊(duì)晶圓代工廠的設(shè) 備國(guó)產(chǎn)化率的情況是，先進(jìn)制程<12寸成熟制程<8寸廠，分別以華力集成、華虹無(wú) 錫12寸廠、積塔半導(dǎo)體8寸廠為例。根據(jù)中國(guó)招標(biāo)網(wǎng)，截止2020年2月，主要的半導(dǎo) 體設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化率分別為，華力集成（28nm）7.0%、華虹無(wú)錫（90-65nm）23.7%、 積塔半導(dǎo)體（8寸）34.4%。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器投資：具備長(zhǎng)期性與規(guī)模性，2020年迎增速向上拐點(diǎn)。中國(guó)大陸在過(guò)去 五年掀起了存儲(chǔ)芯片制造廠建設(shè)熱潮。目前我國(guó)三大存儲(chǔ)陣營(yíng)，主要包括專注于3D NAND閃存的長(zhǎng)江存儲(chǔ)（紫光集團(tuán)與武漢合作），專注于移動(dòng)式內(nèi)存（DRAM）的 合肥長(zhǎng)鑫（兆易創(chuàng)新與合肥合作）以及利基型內(nèi)存（NOR Flash，SRAM等）的福 建晉華（聯(lián)電與福建合作）。三個(gè)項(xiàng)目在2016-2017年開工，其中福建晉華目前仍 處于停滯狀態(tài)，而長(zhǎng)江存儲(chǔ)與合肥長(zhǎng)鑫都將在2020年進(jìn)入積極的產(chǎn)能爬坡期，預(yù)期 將促使設(shè)備需求大幅增長(zhǎng)。

長(zhǎng)江存儲(chǔ)：根據(jù)集微網(wǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)總投資240億美元，2018Q4成功實(shí)現(xiàn)32層NAND 量產(chǎn)，2019年9月2日宣布已開始量產(chǎn)基于Xtacking架構(gòu)的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存。產(chǎn)能規(guī)劃方面，根據(jù)集邦咨詢數(shù)據(jù)，19年Q4長(zhǎng)江存儲(chǔ)產(chǎn)能在2萬(wàn)片/月 （12英寸），到2020年底有望擴(kuò)產(chǎn)至7萬(wàn)片/月，2023年擴(kuò)產(chǎn)至30萬(wàn)片/月產(chǎn)能。投 資水平方面，根據(jù)湖北省發(fā)改委發(fā)布信息，長(zhǎng)江存儲(chǔ)一期投資569.5億元（對(duì)應(yīng)10 萬(wàn)片/月產(chǎn)能），其中2018、2019年計(jì)劃投資分別為200億元、50億元。

合肥長(zhǎng)鑫：根據(jù)集微網(wǎng)，合肥長(zhǎng)鑫總投資1500億元，總規(guī)劃三期，全部完成后產(chǎn)能 36萬(wàn)片/月（12英寸），其中一期設(shè)計(jì)產(chǎn)能12萬(wàn)片/月，目前產(chǎn)能已達(dá)到2萬(wàn)片/月，預(yù) 計(jì)2020年達(dá)到4萬(wàn)片/月，后續(xù)擴(kuò)產(chǎn)節(jié)奏將視研發(fā)進(jìn)程、產(chǎn)品良率和市場(chǎng)需求來(lái)決定。投資水平方面，根據(jù)安徽省政府發(fā)布信息，合肥長(zhǎng)鑫一期投資534億元，截止2018 年底合計(jì)投資191.3億元，2019年計(jì)劃投資50億元。

此外，紫光集團(tuán)曾宣布在南京、成都、重慶陸續(xù)展開集成電路基地建設(shè)，三地項(xiàng)目 紫光投資總規(guī)模在千億級(jí)別，有望中期對(duì)半導(dǎo)體設(shè)備需求形成有力支撐。但需要注 意，目前均處于工程建設(shè)階段，建設(shè)進(jìn)程以及最終投資規(guī)模存在不確定性。

按照目前可知的項(xiàng)目計(jì)劃與建設(shè)進(jìn)程，我們測(cè)算了目前國(guó)內(nèi)主要存儲(chǔ)器廠未來(lái)幾年 的投資規(guī)模。根據(jù)測(cè)算，2019-2022年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠投資規(guī)模分別為321.7億元/495.0 億元/806.0億元/1116.3億元，分別同比變動(dòng)-9%/+54%/+63%/38%；其中本土 2019-2022年本土存儲(chǔ)器廠投資規(guī)模分別為88.3億元/291.9億元/519.7億元/860.4億 元，分別同比變動(dòng)-54%/+231%/+78%/+66%。

（四）封測(cè)環(huán)節(jié)：封測(cè)行業(yè)景氣回暖，有望促使資本開支回升 

封測(cè)行業(yè)營(yíng)收呈現(xiàn)一定程度周期性，2019H2以來(lái)隨半導(dǎo)體景氣度提升而復(fù)蘇。封測(cè) 行業(yè)作為半導(dǎo)體加工的最后一個(gè)重要環(huán)節(jié)，其封測(cè)出片量與半導(dǎo)體晶圓的出貨量變 化趨勢(shì)保持一致，因此受半導(dǎo)體整體周期性的影響，封測(cè)行業(yè)也存在著較為明顯的 周期特性。2018年后期受半導(dǎo)體整體周期下行影響，封測(cè)行業(yè)增速放緩。2019年二 季度起，隨著半導(dǎo)體景氣度回升，封測(cè)行業(yè)也明顯回暖。同時(shí)，國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體需求大 客戶的轉(zhuǎn)單將加速國(guó)產(chǎn)替代,使得中國(guó)內(nèi)地半導(dǎo)體封測(cè)行業(yè)的景氣度回升高于全球 平均水平。

包括長(zhǎng)電科技、華天科技、通富微電3家國(guó)內(nèi)封測(cè)企業(yè)2019Q3單季度營(yíng)業(yè)收入117.8 億元，同比增長(zhǎng)11.6%，扭轉(zhuǎn)了3個(gè)季度連續(xù)下滑。2019Q4-2020Q1，3家公司合計(jì) 單季度營(yíng)業(yè)收入保持同比20%以上增長(zhǎng)。3家公司2019Q4歸母凈利潤(rùn)4.4億元，較上 年同期增長(zhǎng)147.0%，單季度合計(jì)的歸母凈利潤(rùn)創(chuàng)下新高。3家公司2020Q1歸母凈利 潤(rùn)1.8億元，上年同期為-0.8億元。

受益行業(yè)景氣回升、企業(yè)盈利改善，封測(cè)廠資本開支正在回升。以國(guó)內(nèi)封測(cè)龍頭長(zhǎng) 電科技為例，公司2019年實(shí)現(xiàn)凈利潤(rùn)0.89億元，實(shí)現(xiàn)扭虧為盈，上年同期為-9.4億 元；2020Q1長(zhǎng)電科技凈利潤(rùn)1.34億元。根據(jù)公司發(fā)布的董事會(huì)投資決議，在原有2020 年30億資本開支計(jì)劃基礎(chǔ)上，追加固定資產(chǎn)投資8.3億元人民幣用于重點(diǎn)客戶產(chǎn)能擴(kuò) 充，以滿足重點(diǎn)客戶市場(chǎng)需求。對(duì)應(yīng)2020年資本開支計(jì)劃合計(jì)38.3億元，其中重點(diǎn) 客戶產(chǎn)能擴(kuò)充23.1億元，其他零星擴(kuò)產(chǎn)6.8億元人民幣，日常維護(hù)5.9億元人民幣，降 本改造、自動(dòng)化、研發(fā)以及基礎(chǔ)設(shè)施建設(shè)等共3.0億元人民幣。根據(jù)2018年年報(bào)，公 司2019年度固定資產(chǎn)資本支出約為29.30億元。

三、產(chǎn)能與工藝驅(qū)動(dòng)，深挖細(xì)分領(lǐng)域市場(chǎng)機(jī)遇

（一）ATE 多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，市場(chǎng)需求有差異 

集成電路從功能、結(jié)構(gòu)角度主要分為數(shù)字集成電路、模擬集成電路與數(shù)/?；旌霞?電路三類，其中：數(shù)字集成電路主要與數(shù)字信號(hào)的產(chǎn)生、放大和處理有關(guān)，數(shù)字信 號(hào)即在時(shí)間和幅度上離散變化的信號(hào)；模擬集成電路主要與模擬信號(hào)的產(chǎn)生、放大 和處理有關(guān)，模擬信號(hào)及幅度對(duì)時(shí)間連續(xù)變化的信號(hào)，包括一切的感知，譬如圖像、 聲音、觸感、溫度、濕度等；數(shù)/模混合集成電路是指輸入模擬或數(shù)字信號(hào)，輸出為 數(shù)字或模擬信號(hào)的集成電路。根據(jù)WSTS，2018年全球半導(dǎo)體銷售額中，集成電路 銷售額3933億美元，占83.9%。包括存儲(chǔ)器1580億美元，占比33.7%；邏輯電路1093 元，占比23.3%；微處理器672億美元，占比14.3%；模擬電路588億美元，占比12.5%。

由于不同類型芯片的測(cè)試需求的側(cè)重點(diǎn)不同，半導(dǎo)體測(cè)試系統(tǒng)包括多個(gè)細(xì)分領(lǐng)域。半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)主要細(xì)分領(lǐng)域?yàn)榇鎯?chǔ)器、SoC、模擬、數(shù)字、分立器件和 RF測(cè)試機(jī)。全球ATE市場(chǎng)以存儲(chǔ)器和SoC測(cè)試占據(jù)絕大部分。而國(guó)內(nèi)在模擬測(cè)試、分立器件測(cè) 試等領(lǐng)域仍然有良好的市場(chǎng)空間。

根據(jù)泰瑞達(dá)年報(bào)，2018年全球ATE市場(chǎng)約40億美元。結(jié)構(gòu)方面，2017年全球ATE市 場(chǎng)為33.5億美元，其中SoC測(cè)試設(shè)備24億美元，占ATE總市場(chǎng)的71.6%；存儲(chǔ)器測(cè) 試系統(tǒng)6.5億美元，占19%；而余下的3億美元，則分散在模擬測(cè)試、數(shù)字邏輯測(cè)試、 RF測(cè)試等眾多領(lǐng)域。

根據(jù)賽迪顧問(wèn)，2018年國(guó)內(nèi)ATE市場(chǎng)36.0億元，同比增長(zhǎng)41.7%。其中存儲(chǔ)器測(cè)試 機(jī)和SoC測(cè)試機(jī)分別占比43.8%、23.5%。此外，數(shù)字測(cè)試機(jī)、模擬測(cè)試機(jī)、分立器件測(cè)試機(jī)占比分別達(dá)到12.7%、12.0%以及6.8%，RF測(cè)試機(jī)為0.9%。國(guó)內(nèi)ATE需求 結(jié)構(gòu)與全球整體有較大差異，主要是由下游市場(chǎng)需求所決定。由于國(guó)內(nèi)目前高端芯 片的國(guó)產(chǎn)化仍然處于較低水平， 所以SoC測(cè)試系統(tǒng)需求占比較全球整體水平有較大 差距，未來(lái)伴隨汽車電動(dòng)化、5G和人工智能等的迅速發(fā)展和未來(lái)中國(guó)在SoC芯片和 封測(cè)領(lǐng)域的國(guó)產(chǎn)化，國(guó)內(nèi)SoC測(cè)試需求有望持續(xù)攀升。

（二）存儲(chǔ)器測(cè)試：國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器擴(kuò)產(chǎn)浪潮將有力推動(dòng)測(cè)試設(shè)備需求 

存儲(chǔ)芯片與邏輯芯片的測(cè)試區(qū)別。存儲(chǔ)器芯片必須經(jīng)過(guò)許多必要的測(cè)試以保證 其功能正確，這些測(cè)試主要用來(lái)確保芯片不包括以下錯(cuò)誤：存儲(chǔ)單元短路、存儲(chǔ)單 元開路、存儲(chǔ)單元干擾等。由于存儲(chǔ)單元類型多樣化，存儲(chǔ)器內(nèi)部還有大量的模擬 部件，其中一些部件不能直接進(jìn)行存取操作，而且存儲(chǔ)器的每一個(gè)單元可能處于不 同的狀態(tài)，按邏輯測(cè)試方法測(cè)試需要龐大的測(cè)試圖形，這些特性決定了存儲(chǔ)器測(cè)試 要求與模擬電路和數(shù)字電路不同。存儲(chǔ)器芯片測(cè)試時(shí)使用測(cè)試向量進(jìn)行錯(cuò)誤檢測(cè)， 測(cè)試向量是施加給存儲(chǔ)芯片的一些列功能，即不同的讀和寫的功能組合。

存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)需求由存儲(chǔ)芯片擴(kuò)產(chǎn)驅(qū)動(dòng)。存儲(chǔ)器是一個(gè)周期性極強(qiáng)的產(chǎn)業(yè)，強(qiáng) 于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)整體周期性。下游需求的周期波動(dòng)、市場(chǎng)份額集中的格局、產(chǎn)品的標(biāo) 準(zhǔn)化屬性導(dǎo)致存儲(chǔ)器行業(yè)歷史上容易出現(xiàn)大幅的波動(dòng)。由于存儲(chǔ)器行業(yè)的強(qiáng)周期性， 行業(yè)的資本開支也呈現(xiàn)較強(qiáng)的波動(dòng)，從而導(dǎo)致存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)需求的周期波動(dòng)。

在2007年之前，存儲(chǔ)器測(cè)試還占據(jù)全部半導(dǎo)體自動(dòng)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)的30%~40%；在2008年金融危機(jī)后，雖然到2010年存儲(chǔ)器產(chǎn)品銷售額已有良好的恢復(fù)，占半導(dǎo)體 總市場(chǎng)的比重恢復(fù)至2006-2007年水平，但存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備的市場(chǎng)已經(jīng)進(jìn)一步被侵 蝕，2009年存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備比重降至11%左右，此后存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備基本在 17%~22%之間。

由于2017-2018年存儲(chǔ)器行業(yè)需求高景氣，國(guó)際存儲(chǔ)器巨頭紛紛擴(kuò)產(chǎn)，推動(dòng)了 存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng)的快速增長(zhǎng)。根據(jù)愛(ài)德萬(wàn)年報(bào)，2017-2018年全球存儲(chǔ)ATE銷售額分別 為7.5億美元、11.5億美元。2019年由于下游存儲(chǔ)器行業(yè)景氣下滑，對(duì)存儲(chǔ)測(cè)試系統(tǒng) 的需求也受到較大影響。根據(jù)愛(ài)德萬(wàn)年報(bào)，2019年全球存儲(chǔ)ATE市場(chǎng)6.5億美元。

國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠建設(shè)，將直接推動(dòng)存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備快速增長(zhǎng)。根據(jù)愛(ài)德萬(wàn)公司預(yù) 測(cè)，隨著存儲(chǔ)器市場(chǎng)復(fù)蘇，存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備行業(yè)正在復(fù)蘇。公司預(yù)測(cè)2020年全球存 儲(chǔ)ATE需求將達(dá)到8億美元，較上年增長(zhǎng)23%，其中三星、美光等國(guó)際存儲(chǔ)巨頭的擴(kuò) 產(chǎn)有限，中國(guó)地區(qū)存儲(chǔ)器廠建設(shè)將貢獻(xiàn)最主要的增量。愛(ài)德萬(wàn)公司存儲(chǔ)器測(cè)試設(shè)備 的訂單反映了這一點(diǎn)。19Q4愛(ài)德萬(wàn)新簽存儲(chǔ)器測(cè)試訂單15.9十日日元，同比增長(zhǎng) 40.6%，結(jié)束了自18Q3以來(lái)連續(xù)5個(gè)季度的持續(xù)下滑。分區(qū)域看，2019年愛(ài)德萬(wàn)全 部業(yè)務(wù)新簽訂單72.9億日元，同比下滑10.9%其中韓國(guó)區(qū)域、中國(guó)臺(tái)灣、中國(guó)大陸 區(qū) 域 訂 單 占 總 訂 單 合 計(jì) 74.9% ， 2019 年 三 個(gè) 區(qū) 域 訂 單 分 別 同 比 變 動(dòng) -10.7%/-32.5%/+26.2%，中國(guó)地區(qū)貢獻(xiàn)了最重要的增量。

我們進(jìn)一步測(cè)算了國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠擴(kuò)產(chǎn)將帶來(lái)的測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)需求。我們統(tǒng)計(jì)了目前 國(guó)內(nèi)主要的在建晶圓廠，按照產(chǎn)能規(guī)劃將投資額在各年進(jìn)行分配。我們測(cè)算 2020-2022年國(guó)內(nèi)存儲(chǔ)器廠投資495億元/806億元/1116億元，分別同比增長(zhǎng) 54%/63%/38%。對(duì)應(yīng)測(cè)試設(shè)備需求分別為39.6億元/64.5億元/89.3億元，其中ATE 需求分別為26.0億元/42.3億元/58.6億元。

（三）SoC 測(cè)試：ATE 最大的細(xì)分領(lǐng)域，仍然是未來(lái)主流發(fā)展方向 

SOC測(cè)試占據(jù)大部分市場(chǎng)，趨勢(shì)持續(xù)向上。進(jìn)入新世紀(jì)以來(lái)，互聯(lián)網(wǎng)大范圍推廣。同時(shí)，蘋果推出智能手機(jī)、谷歌推出安卓系統(tǒng)，移動(dòng)通訊進(jìn)入爆發(fā)期，迅速取代PC 成為新的驅(qū)動(dòng)力。不同于臺(tái)式電腦，人們對(duì)智能手機(jī)等消費(fèi)類電子產(chǎn)品提出了輕薄 短小、多功能和低功耗等新要求。在20世紀(jì)90年代中期誕生的SoC技術(shù)滿足了人們 這一需求，反過(guò)來(lái)對(duì)于消費(fèi)類電子產(chǎn)品日益增長(zhǎng)的需求也促使著SoC芯片產(chǎn)業(yè)的發(fā) 展。而SoC芯片的快速發(fā)展也帶來(lái)了對(duì)SoC測(cè)試設(shè)備的大量需求，SoC測(cè)試設(shè)備逐 漸成為自動(dòng)測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)新的增長(zhǎng)驅(qū)動(dòng)力。根據(jù)愛(ài)德萬(wàn)年報(bào)，2017-2019年全球SoC 測(cè)試系統(tǒng)市場(chǎng)規(guī)模分別為22億美元、25.5億美元、27億美元，保持穩(wěn)步增長(zhǎng)。

SoC芯片可使系統(tǒng)級(jí)產(chǎn)品具有高可靠、實(shí)時(shí)性、高集成、低功耗等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用 于工業(yè)控制、航空航天、移動(dòng)通信、消費(fèi)類電子、汽車電子、醫(yī)療電子設(shè)備等領(lǐng)域。與傳統(tǒng)芯片不同， SoC芯片集成了微處理器、模擬IP核、數(shù)字IP核以及片外存儲(chǔ)器 控制接口等功能，其核心技術(shù)在于IP核的復(fù)用，這些模塊可以是模擬、數(shù)字或數(shù)模 混合類型，不同模塊的頻率、電壓、測(cè)試原理也不同。同時(shí)，高集成度造成測(cè)試的 數(shù)據(jù)量和時(shí)間成倍增長(zhǎng)，測(cè)試功耗也是傳統(tǒng)測(cè)試項(xiàng)目的2~4倍。因此SoC的復(fù)雜性使 得傳統(tǒng)測(cè)試機(jī)難以滿足需求，專業(yè)的SoC測(cè)試機(jī)具有強(qiáng)大的并測(cè)能力，通過(guò)合理規(guī) 劃調(diào)度各個(gè)IP核完成并發(fā)測(cè)試，有效地降低了測(cè)試時(shí)間和測(cè)試成本。由于產(chǎn)品難以 復(fù)制，客戶愿意支付更高的溢價(jià)購(gòu)買設(shè)備。

（四）模擬測(cè)試：下游需求分散、產(chǎn)品成熟，為測(cè)試設(shè)備提供穩(wěn)定需求 

根據(jù)WSTS，2018年全球模擬芯片銷售額588億元，占全球集成電路銷售額的14.9%。模擬芯片的兩個(gè)主要用途包括電源管理與信號(hào)鏈路。模擬IC產(chǎn)品在各大電子系統(tǒng)基 本上都會(huì)使用到，涉及下游應(yīng)用有通信、汽車、工控醫(yī)療、消費(fèi)類家電產(chǎn)品等。在 數(shù)字電路系統(tǒng)中也會(huì)提供電源管理、穩(wěn)壓等功能。其中電源管理芯片是模擬芯片的 主要部分。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2017年電源管理芯片占模擬芯片的53%左右（包括標(biāo)準(zhǔn) power IC和模擬ASSP用途的power IC），電源管理用途在家電、工業(yè)用途相對(duì)較為 成熟，技術(shù)更新迭代較慢，技術(shù)壁壘相對(duì)較低，國(guó)內(nèi)布局廠商較多，包括圣邦股份、 矽力杰、韋爾股份、富滿電子、中穎電子等。信號(hào)鏈路芯片可細(xì)分為非power IC的 模擬ASSP、放大器、比較器、數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換芯片等，根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，2017年信號(hào)鏈路芯 片占模擬芯片的47%，國(guó)內(nèi)布局廠商較少，以華為海思、圣邦股份為主。

模擬測(cè)試系統(tǒng)是國(guó)內(nèi)ATE的重要組成部分，下游模擬芯片的需求穩(wěn)定帶來(lái)了模擬測(cè) 試系統(tǒng)的穩(wěn)定需求。根據(jù)賽迪顧問(wèn)，2018年國(guó)內(nèi)模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模4.3億元，占國(guó) 內(nèi)ATE的12.0%。一方面，模擬芯片下游應(yīng)用非常廣泛，而單一下游市場(chǎng)規(guī)模相對(duì) 較小，競(jìng)爭(zhēng)者通常專注差異市場(chǎng)，廠商之間的產(chǎn)品重疊度較低、競(jìng)爭(zhēng)較小。另一方 面，模擬芯片產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)，模擬類產(chǎn)品下游汽車、工業(yè)用途要求以可靠性、 安全行為主，偏好性能成熟穩(wěn)定類產(chǎn)品的同時(shí)資格認(rèn)可相對(duì)較為嚴(yán)格，同時(shí)先進(jìn)制 程對(duì)于模擬類產(chǎn)品推動(dòng)作用較小，基本不受摩爾定律推動(dòng)，因此模擬類產(chǎn)品性能更 新迭代較慢。因此模擬類產(chǎn)品生命周期較長(zhǎng)，一般不低于10年。

目前國(guó)內(nèi)ATE廠商的測(cè)試機(jī)產(chǎn)品主要集中在模擬測(cè)試以及數(shù)?；旌蠝y(cè)試系統(tǒng)。在國(guó) 內(nèi)模擬測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域，包括華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技等國(guó)內(nèi)ATE領(lǐng)先企業(yè)已經(jīng)占據(jù)了相 當(dāng)?shù)氖袌?chǎng)份額。根據(jù)華峰測(cè)控的招股說(shuō)明書，公司2018年境內(nèi)模擬測(cè)試相關(guān)收入1.73 億元，占中國(guó)模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng)的份額為40.14%。

四、全球市場(chǎng)高度集中，國(guó)產(chǎn)裝備向中高端進(jìn)階

（一）歷經(jīng)半個(gè)世紀(jì)，形成高度聚焦市場(chǎng) 

自動(dòng)測(cè)試設(shè)備（ATE，Automatic Test Equipment）是檢測(cè)芯片功能和性能的專用設(shè) 備，測(cè)試機(jī)對(duì)芯片施加輸入信號(hào)，采集被檢測(cè)芯片的輸出信號(hào)與預(yù)期值進(jìn)行比較， 判斷芯片在不同工作條件下功能和性能的有效性。ATE行業(yè)從1960s誕生以來(lái)，其發(fā) 展大致可歸納為以下幾個(gè)階段：

（1）起步階段：1960s~1970s，行業(yè)成立初期，在仙童半導(dǎo)體的主導(dǎo)下得以發(fā)展。ATE行業(yè)最早產(chǎn)生于1960s，龍頭企業(yè)泰瑞達(dá)便是成立于1960年，但行業(yè)最開始的 發(fā)展并不是由這些獨(dú)立的設(shè)備商引導(dǎo)，而是由半導(dǎo)體企業(yè)主導(dǎo)的。ATE最開始就是 由仙童半導(dǎo)體、德州儀器等企業(yè)生產(chǎn)用于內(nèi)部使用，在70年代末之前，仙童半導(dǎo)體 掌握著全球范圍70%的ATE市場(chǎng)。

（2）發(fā)展初期：1980s，ATE市場(chǎng)開始成為廣泛的市場(chǎng)，獨(dú)立的設(shè)備商嶄露頭角。隨著CMOS技術(shù)開始起步，高管腳數(shù)門陣列器件的時(shí)代到來(lái)，測(cè)試要求提升，但仙 童半導(dǎo)體在開發(fā)新的ATE系統(tǒng)上卻遭遇失敗，隨后將其ATE部門賣給斯倫貝謝。而 在這一段時(shí)間，日本愛(ài)德萬(wàn)在日本大力發(fā)展本國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的背景下得到迅速發(fā)展， 泰瑞達(dá)從模擬測(cè)試供應(yīng)商成長(zhǎng)為數(shù)字測(cè)試和存儲(chǔ)測(cè)試供應(yīng)商，另外還包括GanRad、 LTX、Agilent（安捷倫）等眾多ATE公司出現(xiàn)，ATE發(fā)展成為廣泛的市場(chǎng)。

（3）規(guī)模階段：1990s，主要的ATE設(shè)備商開始形成規(guī)模，并開始出現(xiàn)合并行為。根據(jù)WSTS數(shù)據(jù)，1991年全球半導(dǎo)體銷售額僅546億美元，到2000年增長(zhǎng)至2044億 美元，增長(zhǎng)274.%。隨著下游半導(dǎo)體行業(yè)的迅速發(fā)展，設(shè)備商也得以規(guī)模成長(zhǎng)，同 時(shí)行業(yè)開始出現(xiàn)并購(gòu)活動(dòng)，行業(yè)主要參與者開始顯現(xiàn)，到90年代末期，行業(yè)內(nèi)主要 的10多家企業(yè)形成了行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局。

（4）聚焦階段：2000s，行業(yè)出現(xiàn)大規(guī)模整合，主要競(jìng)爭(zhēng)者減少至5家左右。2008年泰瑞達(dá)250百萬(wàn)美元收購(gòu)Eagle拓展閃存測(cè)試、379百萬(wàn)美元收購(gòu)Nextest加強(qiáng)模擬 測(cè)試業(yè)務(wù)；2004年科利登以660百萬(wàn)美元收購(gòu)NPTest（2002年從Schlumberger的 ATE部門分離出來(lái)），進(jìn)入高端SOC測(cè)試領(lǐng)域，2008年LTX收購(gòu)科利登，改名為 LTX-Credence；2011年愛(ài)德萬(wàn)以1100百萬(wàn)美元收購(gòu)惠睿捷，使得其在SOC測(cè)試市 場(chǎng)份額得以迅速發(fā)展。全球ATE行業(yè)持續(xù)聚焦，到2009年泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)、惠睿捷、 科利登四家企業(yè)占據(jù)全球ATE設(shè)備行業(yè)87%的市場(chǎng)份額。

（5）平衡與聯(lián)盟階段：2010s~，由于下游半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入成熟的周期性發(fā)展階段， 設(shè)備行業(yè)也呈現(xiàn)平穩(wěn)發(fā)展；同時(shí)，行業(yè)集中度已經(jīng)非常高，行業(yè)內(nèi)并購(gòu)的機(jī)會(huì)稀缺， 近年來(lái)，全球ATE主要企業(yè)更加專注于市場(chǎng)份額鞏固，以及可能地尋求其他領(lǐng)域的 發(fā)展以拓寬可觸及的市場(chǎng)空間。

（二）行業(yè)雙寡頭格局，國(guó)際龍頭產(chǎn)品線豐富 

以2011年愛(ài)德萬(wàn)收購(gòu)惠睿捷為標(biāo)志，以泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)為中心的雙寡頭格局日漸清 晰。根據(jù)SEMI數(shù)據(jù)，2017年泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)兩家企業(yè)在全球半導(dǎo)體測(cè)試機(jī)行業(yè)的市 場(chǎng)份額達(dá)到87%。其中泰瑞達(dá)在SOC測(cè)試領(lǐng)域具有較高的優(yōu)勢(shì)；而愛(ài)德萬(wàn)在存儲(chǔ)器 測(cè)試領(lǐng)域處于領(lǐng)軍地位，在SOC測(cè)試市場(chǎng)相對(duì)于泰瑞達(dá)、惠瑞捷屬于后進(jìn)入者，但 其SOC測(cè)試設(shè)備市場(chǎng)份額逐漸穩(wěn)步上升。根據(jù)泰瑞達(dá)2017年年報(bào)，2017年泰瑞達(dá)在 ATE市場(chǎng)的份額已經(jīng)達(dá)到50%左右。而在模擬測(cè)試機(jī)等其他測(cè)試機(jī)領(lǐng)域，市場(chǎng)參與 者較多，格局相對(duì)分散。

在存儲(chǔ)器測(cè)試領(lǐng)域，由于80年代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)由家電進(jìn)入PC時(shí)代催生了DRAM大量需 求，而日本在原有積累基礎(chǔ)上實(shí)現(xiàn)DRAM大規(guī)模量產(chǎn)，迅速取代美國(guó)成為DRAM主 要供應(yīng)國(guó)，在此產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移背景下，愛(ài)德萬(wàn)搶先布局存儲(chǔ)器測(cè)試領(lǐng)域，于1976年推出 了全球首臺(tái)DRAM測(cè)試機(jī)T310/31，此后公司長(zhǎng)期在存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)領(lǐng)域占據(jù)50%以上 絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，特別在存儲(chǔ)器發(fā)展良好的2003-2007年間公司份額達(dá)到60%~70%。

而在具備更大市場(chǎng)空間的SOC測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域，此前這一領(lǐng)域的主要領(lǐng)導(dǎo)者包括泰瑞 達(dá)、惠睿捷、愛(ài)德萬(wàn)，其中泰瑞達(dá)早在1995年收購(gòu)Megatest，通過(guò)Catalyst和Tiger 測(cè)試系統(tǒng)成為高端片上系統(tǒng)（SoC）測(cè)試的市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)者。而愛(ài)德萬(wàn)雖然在存儲(chǔ)器領(lǐng) 域有著絕對(duì)優(yōu)勢(shì)，但在SOC測(cè)試領(lǐng)域則長(zhǎng)期處于追趕的態(tài)勢(shì)。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)， 2010年泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)、惠睿捷、科利登在SOC測(cè)試領(lǐng)域的份額分別為55%、24%、 12%、8%。而在2011年愛(ài)德萬(wàn)收購(gòu)惠睿捷后，其在SOC測(cè)試領(lǐng)域迅速提升。至此， 泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)兩家在SOC、存儲(chǔ)器領(lǐng)域都占據(jù)了絕對(duì)的優(yōu)勢(shì)地位。2017財(cái)年泰瑞 達(dá)營(yíng)業(yè)收入2,137百萬(wàn)美元，研發(fā)支出306百萬(wàn)美元；愛(ài)德萬(wàn)營(yíng)業(yè)收入1,442百萬(wàn)美元， 研發(fā)支出288百萬(wàn)美元。絕對(duì)的規(guī)模優(yōu)勢(shì)以及遙遙領(lǐng)先于其他競(jìng)爭(zhēng)者的研發(fā)投入，將 有助于持續(xù)鎖定行業(yè)領(lǐng)先地位。

根據(jù)美國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)調(diào)查公司VLSI Research發(fā)布的按銷售額排名的2019年全球 前十大半導(dǎo)體設(shè)備廠商，測(cè)試設(shè)備商占據(jù)兩個(gè)席位，分別是日本的愛(ài)德萬(wàn)公司（第6）、 以及美國(guó)的泰瑞達(dá)公司（第8）。2019年愛(ài)德萬(wàn)、泰瑞達(dá)銷售額（包括服務(wù)收入） 分別為24.7億美元、15.5億美元。

從產(chǎn)品類型上看，泰瑞達(dá)、愛(ài)德萬(wàn)形成了SOC測(cè)試、存儲(chǔ)器測(cè)試、模擬信號(hào)測(cè)試、 數(shù)?；旌闲盘?hào)測(cè)試等全面的產(chǎn)品系列，同時(shí)對(duì)5G、AI、物聯(lián)網(wǎng)等新興趨勢(shì)進(jìn)行了積 極開發(fā)布局，代表著行業(yè)最前沿的水平。目前國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備與國(guó)際水平仍有 很大差距。國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備領(lǐng)先企業(yè)包括華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、武漢精鴻等， 其中在模擬測(cè)試機(jī)領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)包括華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技已經(jīng)占據(jù)國(guó)內(nèi)相當(dāng)一部分市 場(chǎng)份額，在存儲(chǔ)測(cè)試機(jī)領(lǐng)域，根據(jù)中國(guó)招標(biāo)網(wǎng)，武漢精鴻已經(jīng)取得長(zhǎng)江存儲(chǔ)訂單， 在SoC測(cè)試機(jī)領(lǐng)域，包括華峰測(cè)控等已經(jīng)在積極布局。

（三）模擬測(cè)試國(guó)產(chǎn)化程度高，國(guó)產(chǎn)裝備向中高端逐步進(jìn)階 

根據(jù)賽迪顧問(wèn)數(shù)據(jù)，2018年中國(guó)集成電路測(cè)試機(jī)市場(chǎng)規(guī)模為36.0億元，其中：泰瑞 達(dá)和愛(ài)德萬(wàn)產(chǎn)品線豐富，兩者2018年中國(guó)銷售收入分別約為16.8億元和12.7億元， 分別占中國(guó)集成電路測(cè)試機(jī)市場(chǎng)份額的46.7%、35.3%；華峰測(cè)控產(chǎn)品以模擬及混合 信號(hào)類測(cè)試系統(tǒng)為主，與長(zhǎng)川科技2018年測(cè)試機(jī)銷售收入分別約為2.2億元和0.86 億元，分別占中國(guó)集成電路測(cè)試機(jī)市場(chǎng)份額的6.1%和2.4%。

國(guó)內(nèi)目前主要的測(cè)試設(shè)備商包括華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技、武漢精鴻等。其中在模擬測(cè) 試機(jī)領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)包括華峰測(cè)控、長(zhǎng)川科技已經(jīng)占據(jù)國(guó)內(nèi)相當(dāng)一部分市場(chǎng)份額，在存 儲(chǔ)測(cè)試機(jī)領(lǐng)域，根據(jù)中國(guó)招標(biāo)網(wǎng)，武漢精鴻已經(jīng)取得長(zhǎng)江存儲(chǔ)訂單，在SoC測(cè)試機(jī) 領(lǐng)域，包括華峰測(cè)控等已經(jīng)在積極布局。

華峰測(cè)控：公司是國(guó)內(nèi)最早進(jìn)入半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備行業(yè)的企業(yè)之一，公司在行業(yè)內(nèi)深 耕二十余年， 聚焦于模擬和混合信號(hào)測(cè)試設(shè)備領(lǐng)域。根據(jù)公司招股書，在模擬集成 電路測(cè)試系統(tǒng)方面，公司已與國(guó)際領(lǐng)先廠商共同處于行業(yè)一流水平，是目前為數(shù)不 多的能夠進(jìn)入歐美半導(dǎo)體市場(chǎng)的中國(guó)本土半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備廠商。

公司產(chǎn)品已經(jīng)在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈得到廣泛應(yīng)用，擁有廣泛其具有較高粘性的客戶基礎(chǔ)。根據(jù)公司招股書，公司目前是國(guó)內(nèi)前三大半導(dǎo)體封測(cè)廠商模擬測(cè)試領(lǐng)域的主力測(cè)試平臺(tái)供應(yīng)商，相關(guān)產(chǎn)品已經(jīng)在華潤(rùn)微電子等大中型晶圓制造企業(yè)和矽力杰、圣邦微 電子、芯源系統(tǒng)等知名集成電路設(shè)計(jì)企業(yè)中批量使用，截止招股說(shuō)明書簽署日，公 司累計(jì)裝機(jī)量已超過(guò)2300臺(tái)。

根據(jù)華峰測(cè)控招股書，2018年華峰測(cè)控的模擬測(cè)試相關(guān)產(chǎn)品在中國(guó)模擬測(cè)試機(jī)市場(chǎng) 的市場(chǎng)占有率為40.14%，測(cè)試機(jī)產(chǎn)品占中國(guó)集成電路測(cè)試機(jī)市場(chǎng)份額的6.1%。2017-2019年公司營(yíng)業(yè)收入分別為1.49億元/2.19億元/2.55億元，年均復(fù)合增速 30.8%，顯著高于行業(yè)整體水平；2017-2019年歸母凈利潤(rùn)分別為0.41億元/0.53億 元/1.02億元。2018年公司毛利率82.15%、凈利率41.49%。

根據(jù)公司招股書，在產(chǎn)品擴(kuò)產(chǎn)上，公司計(jì)劃進(jìn)入SoC類集成電路測(cè)試系統(tǒng)和大功率 期間測(cè)試系統(tǒng)領(lǐng)域。根據(jù)其招股書，公司募投項(xiàng)目之一的集成電路先進(jìn)測(cè)試設(shè)備產(chǎn) 業(yè)化基地項(xiàng)目，達(dá)產(chǎn)后預(yù)計(jì)將實(shí)現(xiàn)800套模擬測(cè)試系統(tǒng)和200套SoC類集成電路自動(dòng) 化測(cè)試系統(tǒng)的產(chǎn)能。

長(zhǎng)川科技：主要產(chǎn)品包括測(cè)試機(jī)和分選機(jī)，在核心性能指標(biāo)上已達(dá)到國(guó)際先進(jìn)水平。其中測(cè)試機(jī)包括大功率測(cè)試機(jī)、模擬/數(shù)?；旌蠝y(cè)試機(jī)和數(shù)字測(cè)試機(jī)；分選機(jī)包括重 力下滑式分選機(jī)、平移式分選機(jī)等，2019年完成對(duì)新加坡商STI公司的收購(gòu)從而增 加了AOI測(cè)試設(shè)備線，STI主要為芯片及Wafer提供光學(xué)檢測(cè)、分選、編帶等集成電 路檢測(cè)裝備，其2D/3D高精度光學(xué)檢測(cè)技術(shù)（AOI）位居世界前列。2019年公司營(yíng) 業(yè)收入4.03億元，同比增長(zhǎng)86.49%；歸母凈利潤(rùn)1278萬(wàn)元，同比下降64.95%。收 入大幅增長(zhǎng)主要由于STI并表，以及公司不斷加大新產(chǎn)品研發(fā)和新市場(chǎng)拓展力度、加 大與行業(yè)內(nèi)知名客戶的合作力度；凈利潤(rùn)下滑主要是受下游景氣下滑以及公司研發(fā) 投入加大、收購(gòu)資產(chǎn)的商譽(yù)減值、固定資產(chǎn)折舊及重大資產(chǎn)重組股份支付等費(fèi)用大 幅增加。

武漢精鴻：武漢精鴻主要產(chǎn)品是存儲(chǔ)芯片測(cè)試設(shè)備，根據(jù)中國(guó)招標(biāo)網(wǎng)，其于2019年 年底獲得長(zhǎng)江存儲(chǔ)5臺(tái)存儲(chǔ)器測(cè)試機(jī)訂單。