作為內(nèi)地規(guī)模最大的晶圓代工廠，中芯國際的一舉一動都牽動人心。

　　近日有報道稱，在大規(guī)模量產(chǎn)14nm工藝后，中芯國際的N+1代工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2021年進(jìn)入量產(chǎn)。

　　對此，中芯國際回應(yīng)稱，該公司的第一代FinFET 14nm工藝已于2019年第四季度量產(chǎn)，第二代FinFET N+1工藝已經(jīng)進(jìn)入客戶導(dǎo)入階段，可望于2020年底小批量試產(chǎn)。

　　按照這樣的時間表推測，中芯國際N+1代工藝確實會在2021年規(guī)模量產(chǎn)。

　　N+1是中芯國際對其第二代先進(jìn)工藝的代號，但從未明確具體數(shù)字節(jié)點，只是說相比于14nm性能提升20％、功耗降低57％、邏輯面積縮小63％、SoC面積縮小55％，之后的N+2工藝性能和成本都更高一些。

　　今年8月底的時候，中芯國際曾表示，N+1工藝進(jìn)展順利，已經(jīng)進(jìn)入客戶產(chǎn)品驗證階段。