《電子技術(shù)應(yīng)用》
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基于NOR Flash的卷积计算单元的设计
《信息技术与网络安全》2020年第5期
徐伟民1,黄鲁1,蒋明峰2
1.中国科学技术大学 微电子学院,安徽 合肥 230026; 2.中国科学技术大学 信息科学技术学院,安徽 合肥 230026
摘要: 提出一种基于NOR Flash的模拟卷积运算单元,与同类模拟卷积运算单元相比具有高精度、高能耗比、低噪声的特点。该单元采用存算一体架构,将卷积核的权重参数以阈值电压的方式存储在Flash中,输入图片经过模拟卷积运算得到输出图片。在SMIC 65 nm浮栅工艺下,使用SOBEL边缘检测算法评估该单元的性能。仿真结果表明,在3.3 V电源电压,100 MHz时钟下,实现一个3×3卷积核的Flash阵列的能耗比达到0.18 TOPS/W,卷积计算结果的峰值信噪比(PSNR)为39.05 dB。
關(guān)鍵詞: NORFlash 存算一体 卷积加速
中圖分類號:TN432
文獻標識碼:A
DOI: 10.19358/j.issn.2096-5133.2020.05.013
引用格式:徐偉民,黃魯,蔣明峰.基于NOR Flash的卷積計算單元的設(shè)計[J].信息技術(shù)與網(wǎng)絡(luò)安全,2020,39(5):63-68.
Abstract:
Key words :

深度學(xué)習(xí)在人臉識別、音頻識別、圖像分類等領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用。深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)具有大量的權(quán)重數(shù)據(jù)和大量的乘累加操作,極大的算力需求和功耗限制使得深度學(xué)習(xí)應(yīng)用難以部署在物聯(lián)網(wǎng)終端設(shè)備。而在深度學(xué)習(xí)網(wǎng)絡(luò)中,卷積計算占用前向計算89%的時間,隨之產(chǎn)生巨大的功耗。所以高速、低功耗的卷積計算單元的設(shè)計成為迫切的需求。

主流的馮諾依曼架構(gòu)中,計算單元和內(nèi)存單元是兩個完全分離的單元,計算單元根據(jù)指令從內(nèi)存讀取數(shù)據(jù),在計算單元完成計算,再存回內(nèi)存。數(shù)據(jù)需要在計算單元和存儲單元之間進行頻繁的移動,因此帶來較大的功耗和較低的運算效率。存算一體架構(gòu)將計算單元與內(nèi)存單元合二為一,在存儲數(shù)據(jù)的同時完成運算,從而極大地減少了計算過程中數(shù)據(jù)存取的時間和功耗。實現(xiàn)存算一體化的介質(zhì)有相變存儲PCM,靜態(tài)隨機存儲SRAM、浮柵器件Flash等。Flash具有工藝成熟、成本低等特點,因此本設(shè)計采用Flash作為存算一體的介質(zhì)。具體做法是將卷積核的權(quán)值映射到Flash陣列的閾值電壓,然后Flash陣列進行高速、低功耗的模擬乘累加計算來加速卷積計算過程。

本文的主要內(nèi)容在于:(1)利用Flash的線型區(qū)I/V特性,設(shè)計基于NOR Flash的模擬矩陣計算單元;(2)基于模擬矩陣計算單元,設(shè)計了基于NOR Flash的模擬卷積計算單元;(3)通過SOBEL邊緣檢測算子評估基于NOR Flash的卷積計算單元的性能。


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作者信息:

徐偉民1,黃魯1,蔣明峰2(1.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 微電子學(xué)院,安徽 合肥 230026;

2.中國科學(xué)技術(shù)大學(xué) 信息科學(xué)技術(shù)學(xué)院,安徽 合肥 230026)


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